華為技術有限公司最近新增了多項專利信息。其中兩個專利名稱是“芯片包裝結構、制造方法及終端設備”，分別為cn116648780a和cn116670808a。

cn116648780a專利芯片封裝結構的第一個，第二個芯片，第一個布線層和第二個布線層和垂直硅橋；其中第一芯片和垂直硅硅橋梁并排在第一中間配線設在樓，第二中間配線層是垂直硅橋梁和第一芯片，第二中間配線層設置，第一芯片第一雙重連接到布線層，第二芯片第二雙重連接在電線上。垂直硅橋有硅通孔，垂直硅橋為完成高密度線，在無源晶圓上準備了大量硅通孔，成熟的技術、穩定性和信賴性高，沒有斷裂或短路的危險。第二芯片通過第二層襯墊層、硅孔、第一層襯墊層和第一芯片的垂直相互連接，垂直硅橋內的硅孔大小可以與第二芯片的物理通道大小相匹配，實現高密度信號相互連接。

cn116670808a專利芯片包裝結構如下。芯片的表面有多個導電的電路板，有多個顛倒孜上面放著多個凸塊結構，多個凸塊結構中的每一凸塊結構中，金屬層和金屬層上放著一個或多個焊接蓋，又包括多個凸塊結構中至少一個凸塊結構的金屬層之上有設有多個焊接蓋。申請實施例中提供的芯片結構中至少一個凸塊結構的各種焊接金屬層設置的帽子，芯片可以增加凸塊結構按使用面積比率的玻璃制造過程分散在密封包裝的凸塊結構的半導體內部的壓力也可能會進一步增加凸塊結構的冷卻能力和通電流的能力。