SK海力士開發“最佳性能”HBM3E
來源：半導體芯科技編譯
以“業界頂尖性能”推動人工智能技術創新的產品將從2024年1月起開始量產。
SK海力士已開發出HBM3E1，是目前用于人工智能應用的下一代最高規格DRAM，并表示客戶的樣品評估正在進行中。
該公司表示，HBM3E（HBM3的擴展版本）的成功研發得益于其作為業界唯一的HBM3大規模供應商的經驗。憑借作為業界最大HBM產品供應商的經驗和量產準備水平，SK海力士計劃從明年上半年開始量產HBM3E，鞏固其在AI內存市場獨特的領導地位。
該公司表示，最新產品不僅可滿足業界最高的速度標準（AI內存產品的關鍵規格），而且還可滿足包括容量、散熱和用戶友好性在內的所有類別。
在速度方面，HBM3E每秒可處理高達1.15TB的數據，相當于每秒處理230多部5GB大小的全高清電影。
此外，最新產品上采用了先進的批量回流模制底部填充（MR-MUF2）尖端技術，將其散熱性能提高了10%。產品還支持向后兼容，甚至可以將最新產品應用于為HBM3準備的系統上，無需修改設計或結構。
審核編輯：湯梓紅
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