東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布,推出業界首款[1]2200V雙碳化硅(SiC)MOSFET模塊—“MG250YD2YMS3”。新模塊采用東芝第3代SiC MOSFET芯片,其漏極電流(DC)額定值為250A,適用于光伏發電系統和儲能系統等使用DC 1500V的應用。該產品于今日開始支持批量出貨。
類似上述的工業應用通常使用DC 1000V或更低功率,其功率器件多為1200V或1700V產品。然而,預計未來幾年內DC 1500V將得到廣泛應用,因此東芝發布了業界首款2200V產品。
MG250YD2YMS3具有低導通損耗和0.7V(典型值)的低漏極-源極導通電壓(傳感器)[2]。此外,它還具有較低的開通和關斷損耗,分別為14mJ(典型值)[3]和11mJ(典型值)[3],與典型的硅(Si)IGBT相比降低了約90%[4]。這些特性均有助于提高設備效率。由于MG250YD2YMS3可實現較低的開關損耗,用戶可采用模塊數量更少的兩電平電路取代傳統的三電平電路,有助于設備的小型化。
東芝將不斷創新,持續滿足市場對高效率和工業設備小型化的需求。
應用
工業設備
● 可再生能源發電系統(光伏發電系統等)
●儲能系統
● 工業設備用電機控制設備
●高頻DC-DC轉換器等設備
特性
●低漏極-源極導通電壓(傳感器):
VDS(on)sense=0.7V(典型值)(ID=250A、VGS=+20V、Tch=25℃)
●低開通損耗:
Eon=14mJ(典型值)(VDD=1100V、ID=250A、Tch=150℃)
●低關斷損耗:
Eoff=11mJ(典型值)(VDD=1100V、ID=250A、Tch=150℃)
●低寄生電感:
LsPN=12nH(典型值)
主要規格
(除非另有說明,Ta=25℃)
注:
[1] 采樣范圍僅限于雙SiC MOSFET模塊。數據基于東芝截至2023年8月的調研。
[2] 測量條件:ID=250A、VGS=+20V、Tch=25℃
[3] 測量條件:VDD=1100V、ID=250A、Tch=150℃
[4] 截至2023年8月,東芝對2300V Si模塊和新型SiC MOSFET芯片MG250YD2YMS3開關損耗進行比較(2300V Si模塊的性能值是東芝根據2023年3月或之前發表的論文做出的預估)。
點擊以下產品型號前往了解有關新產品的更多信息:
MG250YD2YMS3
點擊此處前往了解東芝碳化硅功率器件的更多信息。
*本文提及的公司名稱、產品名稱和服務名稱可能是其各自公司的商標。
*本文檔中的產品價格和規格、服務內容和聯系方式等信息,在公告之日仍為最新信息,但如有變更,恕不另行通知。
點擊“閱讀原文”,了解更多東芝產品信息!
關于東芝電子元件及存儲裝置株式會社
東芝電子元件及存儲裝置株式會社是先進的半導體和存儲解決方案的領先供應商,公司累積了半個多世紀的經驗和創新,為客戶和合作伙伴提供分立半導體、系統LSI和HDD領域的杰出解決方案。
公司22,200名員工遍布世界各地,致力于實現產品價值的最大化,東芝電子元件及存儲裝置株式會社十分注重與客戶的密切協作,旨在促進價值共創,共同開拓新市場,公司現已擁有超過8,598億日元(62億美元)的年銷售額,期待為世界各地的人們建設更美好的未來并做出貢獻。
如需了解有關東芝電子元件及存儲裝置株式會社的更多信息,請點擊以下鏈接進行訪問:https://toshiba-semicon-storage.com
“贊”和“在看”點這里
原文標題:東芝開發出業界首款2200V雙碳化硅(SiC)MOSFET模塊,助力工業設備的高效率和小型化
文章出處:【微信公眾號:東芝半導體】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。
-
東芝半導體
+關注
關注
1文章
102瀏覽量
14520
原文標題:東芝開發出業界首款2200V雙碳化硅(SiC)MOSFET模塊,助力工業設備的高效率和小型化
文章出處:【微信號:toshiba_semicon,微信公眾號:東芝半導體】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。
發布評論請先 登錄
相關推薦
評論