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光耦技術參數(shù)外圍電路選型

圖斯特 ? 來源:圖斯特 ? 作者:圖斯特 ? 2023-09-04 17:00 ? 次閱讀

光耦的技術參數(shù)主要有發(fā)光二極管正向壓降VF、正向電流IF、電流傳輸比CTR、輸入級與輸出級之間的絕緣電阻、集電極-發(fā)射極反向擊穿電壓V(BR)CEO、集電極-發(fā)射極飽和壓降VCE(sat)。此外,在傳輸數(shù)字信號時還需考慮上升時間、下降時間、延遲時間和存儲時間等參數(shù)

CTR:發(fā)光管的電流和光敏三極管的電流比的最小值

CTR表示電流傳輸比,當輸出電壓保持恒定時,它等于直流輸出電流IC與直流輸入電流IF的百分比。光耦的CTR的范圍大多為20%~300%甚至有的可達600%。CTR大表明光耦越省電,但更容易誤觸發(fā);CTR小表明輸入不易誤觸發(fā),但是功耗大。

隔離電壓:發(fā)光管和光敏三極管的隔離電壓的最小值

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工作在開關狀態(tài)的光耦副邊三極管飽和導通,管壓降<0.4V,Vout約等于Vcc(Vcc-0.4V
左右),Vout 大小只受Vcc大小影響。此時IcCTR,此工作狀態(tài)用于傳遞邏輯開關信號。
工作在線性狀態(tài)的光耦,Ic=IfCTR,副邊三極管壓降的大小等于Vcc-IcRL,Vout= IcRL
=(Vin-1.6V)/Ri * CTR*RL,Vout 大小直接與Vin 成比例,一般用于反饋環(huán)路里面 (1.6V 是
粗略估計,實際要按器件資料,后續(xù)1.6V同) 。

對于光耦開關和線性狀態(tài)可以類比為普通三極管的飽和放大兩個狀態(tài)。

對于工作在開關狀態(tài)的光耦要保證光耦導通時CTR 有一定余量

假設 Ri = 1k,R = 1k,光耦CTR= 50%,光耦導通
時假設二極管壓降為1.6V,副邊三極管飽和導通壓降Vce=0.4V。輸入信號Vi 是5V的方波,輸出Vcc 是3.3V。Vout 是多少?
If = (Vi-1.6V)/Ri = 3.4mA
副邊的電流限制:Ic’ ≤ CTRIf = 1.7mA
假設副邊要飽和導通,那么需要Ic’ = (3.3V – 0.4V)/1k = 2.9mA,大于電流通道限制,所以導通時,Ic會被光耦限制到1.7mA, Vout = Ro1.7mA = 1.7V

所以副邊得到的是1.7V 的方波。
為什么得不到3.3V 的方波,可以理解為光耦電路的電流驅動能力小,只能驅動1.7mA 的電流,所以光耦會增大副邊三極管的導通壓降來限制副邊的電流到1.7mA。
解決措施:增大If;增大CTR;減小Ic。對應措施為:減小Ri 阻值;更換大CTR 光耦;增大Rl 阻值。
假設增大Ri 到200歐姆,其他一切條件都不變,重新計算:

If = (Vi – 1.6V)/Ri = 17mA;副邊電流限制Ic’ ≤ CTR*If = 8.5mA,遠大于副邊飽和導通需要的電流(2.9mA),

所以實際Ic = 2.9mA。
所以,更改Ri 后,Vout 輸出3.3V 的方波。
開關狀態(tài)的光耦,實際計算時,一般將電路能正常工作需要的最大Ic 與原邊能提供的最小If 之間 Ic/If 的比值與光耦的CTR 參數(shù)做比較,如果Ic/If ≤CTR,說明光耦能可靠導通。一般會預留一點余量(建議小于CTR 的90%)。

作在線性狀態(tài)的光耦

Ic=IfCTR,副邊三極管壓降的大小等于Vcc-IcRL,

Vout= IcRL=(Vin-1.6V)/Ri * CTRRL,Vout 大小直接與Vin 成比例,一般用于反饋環(huán)路里面 (1.6V 是粗略估計,實際要按器件資料,后續(xù)1.6V同) 。

審核編輯 黃宇

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