選擇合適的晶振測(cè)試儀主要取決于您的具體需求和測(cè)試環(huán)境。以下是一些考慮因素:
頻率范圍:根據(jù)需要測(cè)試的晶振頻率范圍,選擇能夠覆蓋該范圍的測(cè)試儀。
精度和分辨率:高精度和分辨率的測(cè)試儀可以提供更準(zhǔn)確的測(cè)試結(jié)果。考慮您對(duì)測(cè)試結(jié)果的要求,選擇能夠滿足您需求的測(cè)試儀。
測(cè)試功能:不同的晶振測(cè)試儀可能提供不同的測(cè)試功能,例如阻抗測(cè)量、負(fù)載電容測(cè)量、PPM測(cè)量、Q值測(cè)量等。根據(jù)您的需求,選擇具有所需測(cè)試功能的測(cè)試儀。
操作便捷性:考慮儀器的操作界面、操作步驟以及報(bào)告生成等便捷性。一個(gè)易于使用的測(cè)試儀可以節(jié)省您的測(cè)試時(shí)間。
預(yù)算:根據(jù)您的預(yù)算,選擇適合您經(jīng)濟(jì)狀況的晶振測(cè)試儀。
一、產(chǎn)品簡(jiǎn)介
晶振測(cè)試儀GDS-80系列是高性價(jià)比的晶振測(cè)試系統(tǒng),采用網(wǎng)絡(luò)分析技術(shù),實(shí)現(xiàn)智能化測(cè)量,符合IEC-444標(biāo)準(zhǔn)。測(cè)量頻率范圍10KHz-200KHz,1MHz-200MHz,附USB接口進(jìn)行數(shù)據(jù)通迅。
晶振測(cè)試儀GDS-80系列采用π型網(wǎng)絡(luò)零相位法實(shí)現(xiàn)串聯(lián)諧振頻率的測(cè)量,采用直接阻抗法來(lái)測(cè)試負(fù)載諧振頻率和負(fù)載電容,它測(cè)量精度高,速度快。具有串聯(lián)諧振頻率Fs、負(fù)載諧振頻率FL、串聯(lián)諧振電阻Rs、負(fù)載諧振電阻RL、負(fù)載電容CL、動(dòng)態(tài)電容C1、動(dòng)態(tài)電感L1、品質(zhì)因數(shù)Q、靜電容C0、頻率牽引力Ts等參數(shù)測(cè)量功能,負(fù)載電容在1-100P范圍內(nèi)任意編程設(shè)置,從滿足不同負(fù)載電容的晶振測(cè)試,智能網(wǎng)絡(luò)分析技術(shù)運(yùn)算克服了市場(chǎng)上晶振測(cè)試設(shè)備使用實(shí)體電容法測(cè)試精度差,無(wú)法測(cè)試電參數(shù)的缺點(diǎn)、解除了手工校對(duì)的麻煩,讓晶振測(cè)試變得更輕松。
依據(jù)標(biāo)準(zhǔn):
SJ/Z 9154.1-87/ IEC 444-1(1989)《用π型網(wǎng)絡(luò)零相位法測(cè)量石英晶體元件參數(shù)第一部分:用π型網(wǎng)絡(luò)零相位法測(cè)量石英晶體元件諧振頻率和諧振電阻的基本方法》;
SJ/Z 9154.2-87/ IEC 444-2(1980)《用π型網(wǎng)絡(luò)零相位法測(cè)量石英晶體元件參數(shù)第二部分測(cè)量石英晶體元件動(dòng)態(tài)電容的相位偏置法》;
GB∕T22319.11-2018/IEC 60444-11:2010《石英晶體元件參數(shù)的測(cè)量第11部分:采用自動(dòng)網(wǎng)絡(luò)分析技術(shù)和誤差校正確定負(fù)載諧振頻率和有效負(fù)載電容的標(biāo)準(zhǔn)方法》;
二、主要技術(shù)指標(biāo)
中心頻率范圍: 10KHz-200KHz,1MHz-200MHz任意設(shè)定
掃描范圍:±1000ppm(默認(rèn)±400ppm)
負(fù)載電容:1-100P任意設(shè)定
串聯(lián)諧振頻率Fs測(cè)量范圍:±1000ppm(默認(rèn)±400ppm) 測(cè)量精度:±5ppm
串聯(lián)諧振電阻Fr:1MHz-100MHz:1Ω-1000Ω(2±10%*R Ω)
10KHz-200KHz:10K-300K (2±10%*R KΩ)
負(fù)載電容CL測(cè)量范圍:1-200PF
時(shí)基誤差:±1ppm
負(fù)載諧振頻率FL測(cè)量精度:±5ppm+時(shí)基誤差+0.5Pf*頻率牽引力Ts
配件:插件式100歐π網(wǎng)絡(luò)測(cè)試座(標(biāo)配),貼片式100歐π網(wǎng)絡(luò)測(cè)試座(選配),插件式表晶測(cè)試座(選配),貼片式表晶測(cè)試座(選配),2520/3225/5032/7050貼片晶振適配套件(選配),通信軟件(僅GDS-80P/S)。
審核編輯 黃宇
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