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      一周新品推薦：ODU MEDI-SNAP連接器和安森美1200V M3S系列SiC MOSFET

      得捷電子DigiKey ? 來源：未知 ? 2023-09-06 20:20 ? 次閱讀

      DigiKeyDaily

      短視頻

      本期DigiKeyDaily 向大家推薦兩款產(chǎn)品——ODU MEDI-SNAP 連接器和安森美1200V M3S系列SiC MOSFET

      1

      產(chǎn)品一：ODU MEDI-SNAP 連接器

      ODUMEDI-SNAP采用靈活、可靠并且緊湊的產(chǎn)品設計，因其型式小巧、插芯密度高、有多種角度，可在最小的安裝空間內(nèi)實現(xiàn)優(yōu)良性能。該系列全套系統(tǒng)包括插拔自鎖或易分離式連接器、帶相應組裝的電纜，以及機械或視覺編碼定位。

      01

      產(chǎn)品特性

      • 可達1000 V AC的高電壓解決方案
      • 符合誤觸防護標準IEC 60601–1 (最多2個MOPP/2個MOOP)
      • 安裝及維護的工作量極小
      • 可傳輸多種介質(zhì)
      • 雖有塑料外殼，仍可完全消毒

      02

      適用范圍

      • 醫(yī)療
      • 測量和測試
      • 工業(yè)電子

      2

      產(chǎn)品二：安森美1200V M3S系列SiC MOSFET

      安森美M3S 1200V M3S系列SiC MOSFET針對快速開關應用進行了優(yōu)化，并提供低22mΩ的漏極-源極導通電阻。M3S系列SiC MOSFET由18V柵極驅動驅動時可提供最佳性能，但也可與15V柵極驅動配合使用。該設備采用平面技術，可在柵極處于負柵極電壓驅動和關斷尖峰狀態(tài)下可靠工作。安森美1200V M3S系列SiC MOSFET采用D2PAK-7L封裝，具有低共源電感。

      01

      產(chǎn)品特性

      • 針對快速開關應用進行了優(yōu)化
      • 低開關損耗
      • 在40A、800V條件下，典型接通開關損耗485μJ
      • 18V，性能最佳；15V，兼容IGBT驅動器電路
      • 100%經(jīng)雪崩測試
      • 更高的功率密度
      • 提高了對意外涌入電壓尖峰或振鈴的耐受能力

      02

      適用范圍

      • 交流-直流轉換
      • 直流-交流轉換
      • 直流-直流轉換
      • 開關模式電源（SMPS）
      • UPS
      • 電動汽車充電器
      • 太陽能逆變器
      • 能量存儲器系統(tǒng)

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      原文標題：一周新品推薦：ODU MEDI-SNAP連接器和安森美1200V M3S系列SiC MOSFET

      文章出處：【微信公眾號：得捷電子DigiKey】歡迎添加關注！文章轉載請注明出處。


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