《電子時報》報道說，繼hbm技術之后，三星電子將開發新一代dram技術。

《首爾經濟日報》援引業界消息人士的話報道說，三星avp事業部以2025年批量生產為目標，正在開發名為“cache d內存”的新一代d內存技術。三星電子表示，與hbm相比，現金dram的能源效率提高了60%，數據移動延遲時間也減少了50%。

有傳聞稱，三星緩存DRAM將使用與hbm不同的成套方式。hbm目前水平連接到gpu，但緩存d內存垂直連接到gpu。據悉，hbm可以將多個dram垂直連接起來，提高數據處理速度，因此，現金dram僅用一個芯片就可以儲存與整個hbm相同數量的數據。

三星開發高速緩存DRAM等存儲器技術的主要目標是加強后端技術競爭力。回顧2022年，臺積電在封裝領域的銷售額約為51.13億美元，遠遠超過了40億美元的三星。

值得關注的是，三星在擴充先進封裝技術方面投入了大量資金。該公司的目標是，每年投資2萬億韓元（15億美元）以上建立裝配線，并在2023年之前建立avp事業部門，趕超臺積電等競爭企業。

業界有關人士認為，隨著很難體現更加精巧的電路，3D封裝將成為半導體企業競爭優勢的關鍵。三星要想在2030年之前成為系統半導體的領頭羊，就必須進行封裝技術投資。