近日,深圳市泰高技術與深圳鎵宏半導體有限公司達成了一項全面戰略合作協議,旨在增強企業的可持續發展能力,提升產品競爭力。
該合作協議基于優勢互補和共同發展的原則,在芯片制造領域展開合作,涵蓋硅基氮化鎵、碳化硅基氮化鎵和藍寶石基氮化鎵外延片等領域。
這一合作舉措將有助于泰高技術積極推進產品化進程,并對未來的經營業績產生積極作用。
根據擬簽訂的《深圳市泰高技術有限公司與深圳鎵宏半導體有限公司戰略合作框架協議》,深圳鎵宏半導體將全力支持泰高技術的氮化鎵射頻與功率芯片及工藝研發,并提供長期、穩定、優質的外延片服務。協議進一步明確了雙方在工程上相互支持的合作方式。
深圳鎵宏半導體及其子公司江蘇鎵宏半導體,引進美國領先公司的核心技術團隊,以團隊在海外積累的大功率氮化鎵芯片規模化設計及生產技術經驗為基礎,結合國內市場優勢,著手建設氮化鎵功率芯片 IDM 項目。
此外,鎵宏與以色列的 VisIC、加拿大的 Gan System(2023 年 3 月被英飛凌收購)兩家全球領先的氮化鎵大功率芯片設計公司建立起了技術與業務合作伙伴關系。目前,首條試驗線已覆蓋了 6 英寸氮化鎵外延片生產、器件制造和應用模組開發等環節。除了自主研發功率芯片,還提供外延和器件代工業務。
根據《戰略合作框架協議》,泰高技術將成為深圳鎵宏半導體芯片制造的重要戰略合作伙伴。雙方將在硅基氮化鎵、碳化硅基氮化鎵和藍寶石基氮化鎵的外延片制造領域展開長期合作。
深圳鎵宏半導體將全力支持泰高技術的氮化鎵射頻與功率芯片的工藝研發,并提供長期、穩定、優質的外延片服務。雙方還將在工程上相互支持,共同討論需求和產能計劃,加深合作。
這些合作內容將有助于推動產品化進程,并對企業的可持續發展和產品競爭力產生積極影響。
協議的簽署對于雙方來說具有重要的意義和積極的影響。首先,該合作將建立起深圳泰高技術與深圳鎵宏半導體之間緊密的戰略合作伙伴關系,雙方將共同致力于推動氮化鎵射頻和功率芯片的研發和創新。
通過結合泰高技術在發射機模塊和功率模塊領域的優勢,以及鎵宏半導體在高功率氮化鎵芯片制造及外延片服務方面的專業知識和經驗,雙方將共同努力推動產品平臺技術的進一步發展,從而提升企業的產品競爭力。
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審核編輯:劉清
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原文標題:泰高技術攜手鎵宏半導體推進GaN領域的深度合作
文章出處:【微信號:第三代半導體產業,微信公眾號:第三代半導體產業】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。
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