溫度循環(huán)試驗(高低溫循環(huán)試驗/Temperature Cycling)是將晶振暴露在高低溫交替的試驗環(huán)境下，測試元器件抗高低溫交替沖擊的能力。

試驗模擬溫度交替變化對電子元器件的機械性能和電氣性能的影響《晶體諧振器電性能參數(shù)介紹》，及元器件在短期內(nèi)反復承受溫度變化的能力。同時，本試驗將暴露元器件制造問題，如：芯片裂紋，密封性不強，接觸不良，材料熱脹冷縮等。

溫度循環(huán)試驗一般采用高低溫交變試驗箱，例如“慶聲KSON-KSK系列”。試驗箱可根據(jù)預設的曲線完成試驗。可參考的測試標準有：MIL-STD-810F，JESD22 Method JA- 104，GJB 360B.107等。

試驗說明

低溫：-40±5°C

高溫：125±5°C?

循環(huán)：1000 cycles

高低溫度保持時間最大時間30mins?

高低溫切換時間最大1min?

實驗結(jié)束后24±2Hrs進行電性能測試?

本試驗對晶振的影響

晶體諧振器頻率降低2.5ppm左右(5max)，諧振阻抗增大3Ω左右(5max)/±10%；晶體振蕩器頻率降低3ppm左右(5max)。

審核編輯：劉清