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通過高壓IGBT、線性MOSFET等功率器件,Littelfuse賦能醫療設備創新

Felix分析 ? 來源:電子發燒友網 ? 作者:吳子鵬 ? 2023-09-11 09:16 ? 次閱讀

電子發燒友網報道(文/吳子鵬)隨著遠程醫療、智慧醫療、數字醫療等創新概念的興起,全球醫療電子產業發展換擋提速,未來幾年將保持蓬勃發展的態勢。在PCIM Asia 2023上,Littelfuse半導體應用技術經理劉鵬援引市場分析機構Statista的數據稱,預計到2030年全球市場中美國、中國、法國和德國醫療設備市場規模均將超過500億美元,其中美國醫療設備市場規模屆時將超過2000億美元。

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數據來源:Statista


他指出,針對醫療設備市場,Littelfuse提供三大產品線,分別是來自IXYS的功率半導體產品,包括可控硅Mosfet、IGBT、二極管、三極管和驅動器等;來自Littelfuse的電路保護器件,包括保險絲、TVS二極管、保護IC等;還有來自C&K的按鍵產品,包括觸控按鍵、按鍵開關和滑動按鍵等。



Littelfuse將醫療設備市場分為三個方向,分別是生命力支持設備、外科手術設備、診斷和治療設備。

除顫儀AED屬于生命力支持設備。劉鵬介紹稱,圍繞除顫儀,Littelfuse在電源系統、電池管理單元、開關按鈕、用戶界面和高壓脈沖放電H橋(H-Bridge)等方面都有產品供應。在H橋應用上,Littelfuse提供獨有的3000V IGBT,不僅提高了AED的可靠性,并且縮小了設備體積和設計周期。。

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除顫儀電路框圖


應用于除顫儀的IGBT并非普通的IGBT產品,而是高壓IGBT,器件的工作電壓達到3000V。Littelfuse的Very High Voltage系列BiMOSFET兼具MOSFET和IGBT的優勢,工作電壓為2500V-3600V。除顫儀的電池電壓一般為12V或24V,然后升壓到2000VDC,H橋是目前除顫儀中主流的電路架構。根據劉鵬的介紹,現階段在醫療設備用的3000V IGBT市場只有Littelfuse獨家供應,是一個出貨量很大的產品類別。除了IGBT,高壓可控硅也是Littelfuse在除顫儀市場非常具有統治力的一個器件,在2500V高壓可控硅市場幾乎沒有競爭對手。

他指出,過去幾年,除顫儀設備在國內市場快速起量,原因在于政府政策對于公眾健康更加重視,像體育場、學校、交通樞紐和醫院等公共場所都開始要求配備除顫儀。未來,家用除顫儀是一個巨大的待開發市場,出貨量可能遠超過現有的市場規模,小型化和低成本是其中的挑戰。除顫儀也是本次Littelfuse在PCIM Asia 2023上重點展示的醫療設備方案。

X光影像系統DR屬于診斷和治療設備,Littelfuse在高壓發生器、輔助電源和用戶界面方面能夠提供相關器件。

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X光影像系統電路框圖


劉鵬談到,X光影像系統里面的高壓發生器會產生一個150kV的高壓,功率可能達到40-80kW的級別,Littelfuse高性能大電流的保險絲在其中起到了保護作用。另外,設備前端會用到Littelfuse的三相整流橋,850V-1000V的MOSFET應用在高壓發生器(HV Generator),高壓的MOSFET是Littelfuse的強項,這些器件擁有超低的RDS(ON)和Qg,以及卓越的dv/dt性能,可以顯著提高醫療產品的可靠性。

超聲手術刀是一種外科手術設備,主要用于生物組織的切割與血管閉合等操作。具有出血少、對周圍組織傷害少、術后恢復快等特點。在相關設備的AD/DC系統、電源系統和換能器等方面,Littelfuse提供了對應的解決方案。

劉鵬表示,超聲手術刀電路的功率不大,一般不超過200W,但電路較為復雜。功放電路(Power Amplifier), 發出純正的正弦波,推動換能器工作。由于換能器核心部件是壓電陶瓷,在正弦波的激勵下,換能器不停地震蕩,將電能轉化成機械能,會以55.5kHz的高頻來進行切割。

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超聲手術刀電路框圖


在超聲手術刀應用中,如果用方波驅動換能器,那么就會造成換能器異常損壞,因此純正的正弦波才能保證換能器的工作壽命。
Littelfuse提供極具創新價值的線性MOSFET管。這種器件和傳統的開關MOSFET有很大的不同,后者的驅動波形一般是PWM方波,而Littelfuse的線性MOSFET管可以承受嚴苛的正弦波驅動。

常規MOSFET管內部是均勻排布的小MOSFET管,比例是相同的,那么在開關波形里面就會具有很好的一致性。不過,常規MOSFET的開啟電壓Vgsth是負溫度系數的,熱點主要集中在器件的中間區域。由于Vgsth是負溫度系數的,那么器件中間熱區的MOSFET管Vgsth 將進一步下降,并形成正反饋,導致電流異常集中而損壞Mosfet。 Littelfuse的技術創新在于,將MOSFET中間區域MOSFET晶胞的Vgsth人為調高,這是一個非常領先的工藝調整。當MOSFET 工作在線性區,大電流進入Littelfuse的線性MOSFET管時,器件表面的溫度就會趨向均勻,不會因為熱集中效應而失效。


除了這些典型的案例,劉鵬還向電子發燒友網記者介紹了Littelfuse 產品在創新醫療中的應用。比如:脈沖電場消融、血管內脈沖除鈣化和呼吸機等方面的應用,涉及了4500V超高壓IGBT等功率器件以及C&K的高性能開關,體現了Littelfuse在醫療電子領域的布局廣度和布局深度。

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