歐洲著名半導(dǎo)體研究機(jī)構(gòu)imec beta測試中的軟件平臺建立了虛擬晶圓工廠。通過自下而上的方法，幫助真實(shí)工藝條件和合作伙伴出身的驗(yàn)證數(shù)據(jù)以及imec技術(shù)測定制造過程環(huán)境的影響，在ic制造鏈中實(shí)現(xiàn)碳目標(biāo)。

隨著技術(shù)的發(fā)展，與ic制造相關(guān)的排放量也增加了，特別是光刻和蝕刻能耗較大，例如n3工程中光刻工序產(chǎn)生的二氧化碳排放量約占45%。imec的工程師們半導(dǎo)體制造過程中產(chǎn)生的尾氣可以建模軟件平臺開發(fā)，可持續(xù)半導(dǎo)體技術(shù)及系統(tǒng)計劃（ssts）的使用率，作為克萊嘔心瀝血塑造和牛一樣的高排放技術(shù)，可以優(yōu)先考慮。

該公司的專家Emily Gallagher說：“建模軟件最終會被公開，因?yàn)槲覀兊氖姑歉纳瓢雽?dǎo)體產(chǎn)業(yè)的環(huán)境足跡。””將焦點(diǎn)放在制造芯片所需的各種工具上。需要什么樣的工程，需要什么樣的氣體，需要什么樣的公共設(shè)施？”

gallagher接著表示：“像微軟和蘋果這樣的大企業(yè)的管理層不僅理解自己的事業(yè)，還理解在包括自己使用的芯片在內(nèi)的整個價值鏈中，減少二氧化碳排放量的必要性。”“我們可以在這里提供幫助，因?yàn)槲覀兛梢哉页鲇兄跍p少半導(dǎo)體工藝排放的問題領(lǐng)域，并制造定量工具來定義開發(fā)項(xiàng)目。”

除了二氧化碳，其他許多氣體更有可能導(dǎo)致全球變暖。同樣質(zhì)量的排放氣體含氟蝕刻氣體和氫氣在大氣中抓住更多的熱量，euv反射光刻中污染物沉積反射鏡表面上有些高反射率的損失影響，氫氣可用于保護(hù)物鏡系統(tǒng)，使顆粒遠(yuǎn)離反射表面，，但氫也較高的全球變暖的潛能二氧化碳（co2）的13倍。現(xiàn)在，不是再利用，而是稀釋或燒掉。

imec目前在300毫米晶圓潔凈室設(shè)置了euv光刻用氫氣回收系統(tǒng)，使用了約70%的氫氣。此外，imec也對減少euv容量所必需的材料和暴露條件給予更多的關(guān)注。減少容量和減少晶圓的排放量之間有明顯的關(guān)系。