全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM的SiC MOSFET和SiC肖特基勢壘二極管(以下簡稱“SiC SBD”)已被成功應(yīng)用于大功率模擬模塊制造商ApexMicrotechnology的功率模塊系列產(chǎn)品。該電源模塊系列包括驅(qū)動器模塊“SA310”(非常適用于高耐壓三相直流電機驅(qū)動)和半橋模塊“SA110”“SA111”(非常適用于眾多高電壓應(yīng)用)兩種產(chǎn)品。

ROHM的1,200VSiCMOSFET“S4101”和650VSiCSBD“S6203”是以裸芯片的形式提供的，采用ROHM的這些產(chǎn)品將有助于應(yīng)用的小型化并提高模塊的性能和可靠性。另外，ApexMicrotechnology的功率模塊系列還采用了ROHM的柵極驅(qū)動器IC“BM60212FV-C”裸芯片，這使得高耐壓電機和電源的工作效率更高。此外，根據(jù)ApexMicrotechnology委托外部機構(gòu)進(jìn)行的一項調(diào)查，與分立元器件組成的結(jié)構(gòu)相比，使用裸芯片構(gòu)建這些關(guān)鍵部件可減少67%的安裝面積。

GregBrennan,President,ApexMicrotechnology表示：“ApexMicrotechnology主要以大功率、高精度模擬、混合信號*解決方案為業(yè)務(wù)組合，我們的模塊還適用于醫(yī)療設(shè)備、航空航天和人造衛(wèi)星等要求苛刻的應(yīng)用。由于要為各種應(yīng)用產(chǎn)品提供電力，所以我們的目標(biāo)是設(shè)計出符合嚴(yán)格標(biāo)準(zhǔn)的產(chǎn)品，并與具有高技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)和高品質(zhì)要求的供應(yīng)商合作。在這過程中，ROHM作為ApexMicrotechnology的SiC功率元器件供應(yīng)商脫穎而出。ROHM的服務(wù)和技術(shù)支持都非常出色，使得我們能夠如期將產(chǎn)品交付給最終用戶。未來，ApexMicrotechnology將會繼續(xù)開發(fā)模擬和混合信號創(chuàng)新型解決方案，助力解決各種社會課題。另外，我們也很期待與ROHM展開更深入的合作。”

JayBarrus,President,ROHMSemiconductorU.S.A.,LLC表示：“APEXMicrotechnology是一家為工業(yè)、測試和測量等眾多應(yīng)用領(lǐng)域提供大功率模擬模塊的制造商，很高興能與APEXMicrotechnology開展合作。ROHM作為SiC功率元器件的先進(jìn)企業(yè)，能夠提供與柵極驅(qū)動器IC相結(jié)合的（找元器件現(xiàn)貨上唯樣商城）功率系統(tǒng)解決方案，并且已經(jīng)在該領(lǐng)域取得了巨大的技術(shù)領(lǐng)先優(yōu)勢。我們將與APEXMicrotechnology協(xié)力，通過更大程度地發(fā)揮ROHM在功率電子技術(shù)和模擬技術(shù)方面的潛力，為提高大功率應(yīng)用的效率做出貢獻(xiàn)。”

據(jù)悉，電源和電機占全世界用電量的一大半，為實現(xiàn)無碳社會，如何提高它們的效率已成為全球性的社會問題。而功率元器件是提高它們效率的關(guān)鍵，SiC和GaN等新材料在進(jìn)一步提升各種電源效率方面被寄予厚望。ROHM和ApexMicrotechnology在功率電子和模擬技術(shù)領(lǐng)域都擁有強大的優(yōu)勢，雙方保持著技術(shù)交流并建立了合作關(guān)系。今后，通過將ROHM的SiC功率元器件和控制技術(shù)與ApexMicrotechnology的模塊技術(shù)完美結(jié)合，雙方將能夠提供滿足市場需求的出色的功率系統(tǒng)解決方案，從而持續(xù)為工業(yè)設(shè)備的效率提升做出貢獻(xiàn)。

＜關(guān)于ApexMicrotechnology＞

ApexMicrotechnology是HEICOCorporation旗下公司，坐落于美國亞利桑那州的圖森。ApexMicrotechnology面向工業(yè)設(shè)備、測量、醫(yī)療設(shè)備和航空航天領(lǐng)域設(shè)計和制造精密的功率模擬模塊。ApexMicrotechnology是業(yè)內(nèi)以持續(xù)開發(fā)具有優(yōu)異性能、品質(zhì)和可靠性的產(chǎn)品而聞名的先進(jìn)企業(yè)。

＜支持信息＞

ROHM在官網(wǎng)特設(shè)網(wǎng)頁中，介紹了SiCMOSFET、SiCSBD和SiC功率模塊等SiC功率元器件的概況，同時，還發(fā)布了用于快速評估和引入第4代SiCMOSFET的各種支持資源，歡迎瀏覽。

第4代SiCMOSFET相關(guān)的支持資料：

?概要介紹視頻、產(chǎn)品視頻

?應(yīng)用指南(產(chǎn)品概要和評估信息、牽引逆變器、車載充電器、SMPS)

?設(shè)計模型(SPICE模型、PLECS模型、封裝和FootPrint等的3DCAD數(shù)據(jù))

?主要應(yīng)用中的仿真電路(ROHMSolutionSimulator)

?評估板信息

＜術(shù)語解說＞

*混合信號

混合信號是指在電路中混同存在的模擬信號和數(shù)字信號。其代表性的產(chǎn)品包括將數(shù)字信號轉(zhuǎn)換為模擬信號的D/A轉(zhuǎn)換器(Digital-to-AnalogConverter)。

審核編輯 黃宇