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RA2快速設(shè)計(jì)指南 [2] MCU工作模式和選項(xiàng)設(shè)置存儲器
5. 時鐘電路
RA2 MCU具有六個振蕩源。其中有五個可以用作主系統(tǒng)時鐘源。剩下的一個專用于獨(dú)立看門狗定時器。在典型系統(tǒng)中,主時鐘由外部晶體或時鐘驅(qū)動。將此輸入指向內(nèi)部選擇器和分頻器,在此進(jìn)一步指向主系統(tǒng)時鐘(ICLK)、閃存時鐘、CPU時鐘和外設(shè)模塊時鐘。此外,時鐘分配也包括ADC和USB的外設(shè)時鐘。有關(guān)時鐘生成電路框圖的信息,請參見《硬件手冊》中的“時鐘生成電路”一章。
每個時鐘都有特定的容差和時序值。有關(guān)頻率和時鐘時序規(guī)范的信息,請參見《硬件手冊》中“電氣特性”一章的“交流特性”部分。有關(guān)各種時鐘頻率之間關(guān)系的信息,請參見《硬件手冊》中的“時鐘生成電路”一章。
表5. RA2振蕩源
2. 僅RA2A1產(chǎn)品支持USB時鐘。
3. RA2A1產(chǎn)品的閃存時鐘(FCLK)是獨(dú)立于MOSC存在的,也可以通過MOSC、SOSC、HOCO、MOCO或LOCO生成。
4. RA2E2產(chǎn)品不支持。
一些產(chǎn)品如RA2E2不支持選擇外部振蕩器或外部時鐘。此種情況下,主時鐘的振蕩源僅限于片上振蕩器。
5.1 復(fù)位條件
復(fù)位后,RA2 MCU開始以中速片上振蕩器(MOCO)作為主時鐘源運(yùn)行。復(fù)位時,默認(rèn)情況下主振蕩器處于關(guān)閉狀態(tài)。HOCO和IWDT可能處于打開或關(guān)閉狀態(tài),具體取決于選項(xiàng)設(shè)置存儲器中的設(shè)置(請參見后文第4節(jié))。
5.2 時鐘頻率要求
最小和最大頻率如下表所示。有關(guān)詳細(xì)信息,請參見《硬件手冊》中“時鐘生成電路”一章的“概述”部分,其中包括外部和內(nèi)部時鐘源規(guī)范。更多詳細(xì)信息,請參見《硬件手冊》中“電氣特性”一章的“交流特性”部分。
表6. RA2 MCU內(nèi)部時鐘的頻率范圍
注1. 僅限RA2A1產(chǎn)品。對ROM或數(shù)據(jù)閃存進(jìn)行編程或擦除操作時,F(xiàn)CLK的運(yùn)行頻率必須至少為1 MHz。
2. 僅限支持USB外設(shè)功能的產(chǎn)品。
3. 僅限支持CAN外設(shè)功能的產(chǎn)品。
4. RA2E1、RA2E2 和 RA2L1對 ROM 或數(shù)據(jù)閃存進(jìn)行編程或擦除操作時,ICLK 的運(yùn)行頻率必須至少為1 MHz。
5.2.1 USB通信要求
全速USB 2.0模塊(USBFS)需要48 MHz 的 USB 時鐘信號(UCLK)。
對于支持USBFS模塊的RA2產(chǎn)品,HOCO為UCLK的時鐘源。因此當(dāng)使用USBFS模塊時,HOCO必須配置為48 MHz。
5.2.2 ROM或數(shù)據(jù)閃存的編程和擦除要求
RA2A1產(chǎn)品的FCLK必須至少為1 MHz才能在內(nèi)部ROM和數(shù)據(jù)閃存上執(zhí)行編程和擦除。
其他RA2產(chǎn)品的ICLK必須至少為1 MHz才能在內(nèi)部ROM和數(shù)據(jù)閃存上執(zhí)行編程和擦除。
5.3 降低時鐘生成電路(CGC)的功耗
為了幫助節(jié)省功耗,請盡可能將所有未使用的時鐘的分頻器設(shè)置為最大可能值。另外,如果不使用時鐘,請通過設(shè)置適當(dāng)?shù)?a href="http://www.1cnz.cn/tags/寄存器/" target="_blank">寄存器來確保時鐘已停止。下表顯示了用于控制每個時鐘源的寄存器。
表7. 時鐘源配置寄存器
注1:RA2E2產(chǎn)品不支持。
5.4 寫入系統(tǒng)時鐘控制寄存器
寫入系統(tǒng)時鐘分頻控制寄存器(SCKDIVCR)和系統(tǒng)時鐘源控制寄存器(SCKSCR)中的各個位域時,應(yīng)格外小心。
當(dāng)外圍模塊時鐘的時鐘源更改為其他時鐘源時,在時鐘源切換期間,外圍模塊時鐘周期會變長。詳見圖8。因此,必須在指令處理中增加延遲,以確保時鐘在切換時鐘源時仍保持穩(wěn)定。
為保證時鐘頻率改變后的處理準(zhǔn)確無誤,首先寫入相關(guān)的時鐘控制寄存器改變頻率,再從寄存器中讀取值,最后進(jìn)行后續(xù)處理。
圖8. 切換時鐘源的時序
5.5 時鐘設(shè)置示例
Renesas FSP為RA2A1 MCU提供了一個簡單的可視化時鐘配置工具,如下所示。此配置器可配置板級支持包中的代碼,以根據(jù)用戶的選擇初始化時鐘生成電路,并按照MCU硬件手冊中的說明進(jìn)行適當(dāng)?shù)呐渲谩?/p>
圖9. 使用 Renesas FSP配置器進(jìn)行時鐘設(shè)置
5.6 HOCO精度
RA2 MCU內(nèi)部高速片上振蕩器(HOCO)的運(yùn)行頻率為24 MHz、32 MHz、48 MHz,精度為+/-2%或更高。HOCO的精度規(guī)格適用于各種環(huán)境工作溫度(Ta)范圍。有關(guān)詳細(xì)信息,請參見《硬件手冊》中“電氣特性”章節(jié)的內(nèi)容。
HOCO可以用作時鐘生成電路的輸入。當(dāng)以這種方式使用HOCO時,不需要外部振蕩器。當(dāng)因空間限制或其他限制而需要減少PCB設(shè)計(jì)中的元件數(shù)量時,這可能是一個優(yōu)勢。不過,此時會因時鐘精確度問題而產(chǎn)生性能影響和限制,因此應(yīng)針對您的應(yīng)用進(jìn)行評估。
RA2E2產(chǎn)品沒有外部晶振和外部時鐘輸入,必須選擇其內(nèi)部時鐘(HOCO、MOCO、LOCO)作為主系統(tǒng)時鐘。
5.7 閃存接口時鐘
RA2A1產(chǎn)品對內(nèi)部閃存(ROM和DF)進(jìn)行編程和擦除操作以及從數(shù)據(jù)閃存讀取數(shù)據(jù)時,閃存接口時鐘(FCLK)用作運(yùn)行時鐘。而其他RA2產(chǎn)品進(jìn)行編程和擦除操作時,ICLK用作運(yùn)行時鐘。
因此,相關(guān)時鐘的頻率設(shè)置會直接影響從數(shù)據(jù)閃存讀取數(shù)據(jù)所需的時間。如果用戶的程序正在從數(shù)據(jù)閃存中讀取數(shù)據(jù),或者正在對內(nèi)部閃存執(zhí)行編程或擦除操作,則建議使用最大FCLK/ICLK頻率。
當(dāng)寫入或擦除代碼閃存(ROM)或數(shù)據(jù)閃存時,時鐘必須以至少1 MHz的頻率運(yùn)行。請注意,時鐘頻率對從ROM讀取數(shù)據(jù)或?qū)?a href="http://www.1cnz.cn/tags/ram/" target="_blank">RAM進(jìn)行讀寫操作沒有任何影響。
5.8 電路板設(shè)計(jì)
有關(guān)使用CGC的更多信息和電路板設(shè)計(jì)建議,請參見《硬件手冊》中“時鐘生成電路(CGC)”一章的“使用注意事項(xiàng)”部分。
通常,晶體諧振器及其負(fù)載電容應(yīng)盡可能靠近MCU時鐘引腳(XTAL/EXTAL、XCIN/XCOUT)放置。避免在晶體諧振器和MCU之間連接任何其他信號走線。盡量減少每條走線上使用的連接通孔數(shù)量。
5.9 外部晶體諧振器選擇
大多數(shù)RA2產(chǎn)品的外部晶體諧振器可以用作主時鐘源。外部晶體諧振器可跨MCU的EXTAL和XTAL引腳連接。外部晶體諧振器的頻率必須處于主時鐘振蕩器的頻率范圍內(nèi)。
晶體諧振器的選擇在很大程度上取決于各個獨(dú)特的電路板設(shè)計(jì)。由于適合與RA2 MCU產(chǎn)品配合使用的可用晶體諧振器的選擇可能很多,因此請仔細(xì)評估所選晶體諧振器的電氣特性,以確定具體的實(shí)現(xiàn)要求。
下圖給出了典型的晶體諧振器連接示例。
圖10. 晶體諧振器連接示例
選擇晶體諧振器和相關(guān)電容時,必須仔細(xì)評估。如果晶體諧振器制造商有相關(guān)建議,可以添加外部反饋電阻(Rf)和阻尼電阻(Rd)。
圖11. 晶體諧振器的等效電路
CL1和CL2的電容值選擇會影響內(nèi)部時鐘的精確度。要了解CL1和CL2值的影響,應(yīng)使用上圖中晶體諧振器的等效電路來模擬該電路。為了獲得更準(zhǔn)確的結(jié)果,還應(yīng)考慮與晶體諧振器元件之間的布線相關(guān)的雜散電容。
5.10 外部時鐘輸入
大多數(shù)RA2產(chǎn)品的數(shù)字時鐘輸入可以用作主時鐘源。圖12給出了連接外部時鐘輸入的示例。若使用外部時鐘信號運(yùn)行振蕩器,請將MOMCR.MOSEL位設(shè)為1。XTAL引腳變?yōu)楦咦杩埂?/p>
圖12. 晶體諧振器的等效電路
注:外部時鐘頻率的輸入操作只能在主時鐘振蕩器停止時運(yùn)行。請不要在主時鐘振蕩器停止位(MOSCCR.MOSTP位)為0時更改外部時鐘頻率的輸入。
來源:RA2快速設(shè)計(jì)指南 [3] 時鐘電路(上)、RA2快速設(shè)計(jì)指南 [4] 時鐘電路(下)
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審核編輯 黃宇
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