MM32系列微控制器為用戶提供了豐富的選擇，可適用于工業控制、智能家電、建筑安防、醫療設備以及消費類電子產品等多方位嵌入式系統設計。在一些應用中，使用MM32F3270系列的片內SRAM還不夠支持應用的需要，就要用外擴SRAM/PSRAM的方式來擴展。這時可以采用MM32F3270片內的FSMC接口來擴展SRAM/PSRAM。

因為SRAM和PSRAM的異步讀寫接口完全相同，只是時序方面需要根據不同的芯片所規定的參數不同而做相關的設置即可。本文接下來就使用SRAM來代指對SRAM和PSRAM芯片的支持。

前文已經介紹了MM32F3270的FMSC的接口功能與特色。結合MM32F3270 的FMSC外部接口信號，可使用異步方式訪問SRAM，可以選用復用或非復用方式擴展SRAM，還可以通過配置實現外擴8位總線或16位總線接口的SRAM。

表1、FSMC控制器外部信號

MM32F3270系列MCU因為封裝的原因，導致只有部分MCU產品可以通過硬件復用出全部或部分的FSMC接口的相關GPIO，才能支持外接SRAM存儲器擴展存儲空間。其中LQFP144引腳封裝MCU芯片支持連接地址數據非復用和復用方式外擴并行SRAM；而LQFP100引腳封裝芯片因地址線縮減，僅支持連接地址數據復用方式外擴并行SRAM。LQFP64因為無法引出足夠的地址與數據總線，不支持外擴并行SRAM。

表2、MM32F3270不同封裝芯片與SRAM接口

目前市場上非復用型16位數據總線接口的SRAM/PSRAM較為普遍，下面就非復用方式，介紹MCU與SRAM的硬件原理圖設計和軟件寄存器配置。

在此用MM32F3270擴展ISSI的SRAM ：IS62WV51216，其原理框圖如下：

圖1、SRAM原理框圖
表3、SRAM引腳信號

IS62WV51216的數據按 16 位的Half Word尋址，容量1M字節。IS62WV51216可以通過CS, OE, WR, UB, LB控制電路，結合Address與Data I/O實現數據的高速讀寫。

01、FSMC非復用方式控制SRAM的硬件設計

表4、SRAM信號對應的電源、復位與MCU接口的引腳說明

外部設備地址映像從FSMC的角度看，FMSC外擴尋址空間用于訪問最多4個FSMC地址映射空間，可以用于訪問4個NOR閃存或SRAM/PSRAM存儲設備，并對應的有4個專用的片選FSMC_NE[4:1]。

外部存儲器劃分為固定大小為64M字節的四個存儲塊，見下圖。

存儲區塊與片選信號對應關系：

HADDR是需要轉換到外部存儲器的內部AHB地址線。HADDR[25:0]包含外部存儲器地址。HADDR是字節地址，而存儲器訪問不都是按字節訪問，因此接到存儲器的地址線依存儲器的數據寬度有所不同，如下表：

對于16位寬度的外部存儲器，FSMC將在內部使用HADDR[25:1]產生外部存儲器的地址FSMC_A[24:0]。不論外部存儲器的寬度是多少(16位或8位)，FSMC_A[0]始終應該連到外部存儲器的地址線A[0]。

根據外部SRAM設計原理圖：

02、FSMC非復用方式控制SRAM的硬件設計

根據配置的接口電路配置GPIO初始化程序與FSMC初始化程序。

void FSMC_SRAM_Init(void) { FSMC_InitTypeDef FSMC_InitStructure; FSMC_NORSRAM_Bank_InitTypeDef FSMC_BankInitStructure; FSMC_NORSRAM_BankStructInit( FSMC_BankInitStructure); FSMC_NORSRAMStructInit( FSMC_InitStructure); RCC_AHB3PeriphClockCmd(RCC_AHB3ENR_FSMC, ENABLE); FSMC_BankInitStructure.FSMC_SMReadPipe = 0; FSMC_BankInitStructure.FSMC_ReadyMode = 0; FSMC_BankInitStructure.FSMC_WritePeriod = 7; FSMC_BankInitStructure.FSMC_WriteHoldTime = 0; FSMC_BankInitStructure.FSMC_AddrSetTime = 1; FSMC_BankInitStructure.FSMC_ReadPeriod = 9; FSMC_BankInitStructure.FSMC_DataWidth = FSMC_DataWidth_16bits; FSMC_NORSRAM_Bank_Init( FSMC_BankInitStructure, FSMC_NORSRAM_BANK1); FSMC_InitStructure.FSMC_Mode = FSMC_Mode_NorFlash; FSMC_InitStructure.FSMC_TimingRegSelect = FSMC_TimingRegSelect_0; FSMC_InitStructure.FSMC_MemSize = FSMC_MemSize_64MB; FSMC_InitStructure.FSMC_MemType = FSMC_MemType_NorSRAM; FSMC_InitStructure.FSMC_AddrDataMode = FSMC_AddrDataDeMUX; FSMC_NORSRAMInit( FSMC_InitStructure); }

GPIO初始化

void SRAM_PIN_GPIO_Config(void) { GPIO_InitTypeDef GPIO_InitStructure; RCC_AHBPeriphClockCmd(RCC_AHBENR_GPIOB | RCC_AHBENR_GPIOC | RCC_AHBENR_GPIOA | RCC_AHBENR_GPIOD | RCC_AHBENR_GPIOE | RCC_AHBENR_GPIOF | RCC_AHBENR_GPIOG, ENABLE); RCC_APB2PeriphClockCmd(RCC_APB2Periph_SYSCFG, ENABLE); GPIO_PinAFConfig(GPIOD, GPIO_PinSource0, GPIO_AF_12); //DA2 GPIO_PinAFConfig(GPIOD, GPIO_PinSource1, GPIO_AF_12); //DA3 // ……部分代碼請參考樣例程序 GPIO_InitStructure.GPIO_Pin = GPIO_Pin_7; GPIO_InitStructure.GPIO_Speed = GPIO_Speed_50MHz; GPIO_InitStructure.GPIO_Mode = GPIO_Mode_AF_PP; GPIO_Init(GPIOB, GPIO_InitStructure); }

從選擇的片選信號與FSMC外擴存儲映像空間可以得出Bank1地址為0x64000000，使用該地址作為讀寫外部SRAM的基地址。

#define Bank1_SRAM3_ADDR ((uint32_t)(0x64000000)) //used NE2 PG9 p = (vu16*)Bank1_SRAM3_ADDR; for (i = 0x00; i < BUFFERLEN; i++) { *p++ = (u16)writebuffer[i]; } p = (vu16*)Bank1_SRAM3_ADDR; for (i = 0x00; i < BUFFERLEN; i++) { readbbuffer[i] = *p++; }

讀寫外部SRAM與讀寫片內SRAM是一樣的操作，不同的是從不同的對應地址讀寫數據。通過上述代碼可以觀察到寫入數據與讀出的數據相同，表明配置準確，Demo實驗成功。

審核編輯：彭菁