在能源問題日益突出的現代，以IGBT為代表的功率半 導體器件以其優良的能效轉換性能廣發應用于功率電子領域。正確的IGBT測試技術,不僅能準確的測量IGBT各項電氣指標，而且可以盡可能降低IGBT對整體電路的影響。常用的IGBT測量方法為:雙脈沖測試方法,其通過對比不同的IGBT的參數，例如同一品牌的不同系列的產品的參數,或者是不同品牌的IGBT的性能，獲取IGBT在開關過程的主要參數,以評估Rgon及Rgoff的數值是否合適，評估是否需要配吸收電路等，最終考量IGBT在變換器中工作時的實際表現。例如二極管的反向恢復電流是否合適，關斷時的電壓尖峰是否合適，開關過程是否有不合適的震蕩等。

在主流的雙脈沖測試平臺中，用高壓隔離探頭取Vce電壓，用羅氏線圈電流探頭取Ic,用普通探頭測量Vge信號。

實驗硬件包括:

1. 高壓電源

2.電容組

3.疊層直流母排

4.負載電感(可以自己繞制，不要飽和即可)

5. 被測IGBT及驅動電 路6.示波器(最好是4通道，高帶寬)

7. 高壓差分探頭

8.羅氏線圈電流探頭

9.可編程信號發生器或簡易信號發生裝置(發出一組雙脈沖信號)。

推薦產品：

1. CWT Ultra Mini系列羅氏線圈，線圈采用非常細而且柔性的材料，甚至可以輕易地穿過IGBT的管腳。測量 范圍從測量范圍: 300mA ~數MA;,且頻率高達16MHz是IGBT測試和分析的最佳傳感器。

2. Verivolt電壓互感器，其滿量程的測量范圍從5V到5000V， 且全范圍內帶寬50KHz,總體測量精度為0.2%。

審核編輯：湯梓紅