GaN（KT65C1R200D）具有高帶隙、高飽和電子遷移速度、高熱導率等特點。因此，GaN比Si更適合于大功率和高頻功率器件。具有體積小、散熱容易、損耗低、功率大等優點。GaN充電器的主要成本來自氮化鎵，MOS功率芯片。昂貴的原材料導致消費級GaN充電器價格居高不下，但GaN充電器是實現快充突破的關鍵，未來將成為各大手機廠商的優先選擇。
GaN，這是小型快速充電電源適配器的關鍵。隨著功率的增加，充電器的重量和體積也會相應增加，大大降低了充電器的便攜性。如何將充電裝置小型化，并保證小型充電器具有更好的散熱性能，成為業界關注的問題。

氮化鎵芯片

Keep Tops氮化鎵（KT65C1R120D）具有開關頻率高、禁斷寬度大、導通電阻小的特點。開關頻率是指充電頭內的電子元器件(如晶閘管和晶閘管)每秒完全打開和關閉的次數。變壓器恰好是充電器中體積最大的組件之一，占據了相當多的內部空間。高開關頻率允許使用更小的變壓器。使用氮化鎵作為變壓器組件，減小了變壓器和電容器的尺寸，有助于減小充電頭的尺寸和重量。
帶隙直接決定電子器件的耐壓和最高工作溫度。帶隙越大，器件攜帶的電壓和溫度越高，擊穿電壓越高，功率越高。較低的導通電阻直接反映在傳導過程中產生的熱量上。導通電阻越低，發熱量越低。
氮化鎵功率器件高頻、低損耗的優勢，提高了充電效率，減少了發熱，有效縮短了充電時間，并進一步減小了適配器的體積和重量，使其更便于攜帶。雖然氮化鎵充電器具有結構緊湊、效率高、發熱量低的優點，但由于技術和成品率問題，氮化鎵快速充電器的價格相對較高。在USB—PD快充協議持續推廣的環境下，Keep Tops品牌的GaN技術不斷成熟，效率高、體積小、散熱低、便攜性好的快充適配器將迅速普及，解決5G時代手機續航問題。

氮化鎵工藝
氮化鎵技術最早可以追溯到上世紀70年代，當時美國無線電公司（RCA）開發了氮化鎵工藝來制造LED。今天市場上銷售的許多LED在藍寶石襯底上使用氮化鎵技術。除了LED，氮化鎵還用于功率半導體和射頻器件。基于GaN的電源芯片在市場上站穩了腳跟。

氮化鎵工藝

GaN技術具有以下優點：
高擊穿場強：由于GaN（KT65C1R070D）的大禁帶寬度，GaN材料具有高擊穿場強，這使得GaN器件能夠在比其他半導體器件高得多的電壓下工作。當受到足夠高的電場時，半導體中的電子可以獲得足夠的動能來打破化學鍵（這個過程稱為碰撞電離或電壓擊穿）。如果不控制碰撞電離，將降低裝置的性能。由于GaN器件可以在更高的電壓下工作，它們可以用于更高功率的應用。
高飽和速度：GaN上的電子具有很高的飽和速度（電子在非常高的電場下的速度）。再加上強大的充電能力，這意味著GaN器件可以提供更高的電流密度。射頻功率輸出是電壓和電流擺動的產物，因此更高的電壓和電流密度可以在實際尺寸的晶體管中產生更高的射頻功率。簡而言之，GaN器件可以產生更高的功率密度。

優異的熱性能：
GaN-on-SiC器件具有優異的熱性能，主要是由于SiC的高導熱性。實際上，這意味著在消耗相同功率的情況下，GaN-on-SiC器件不會像GaAs或Si器件那樣發熱。“較冷的”裝置意味著更可靠的裝置。
GaN器件的功率密度是砷化鎵（GaAs）器件的十倍。更高的功率密度使GaN器件能夠提供更寬的帶寬，更高的放大器增益和更高的效率。
GaN場效應晶體管（FET）器件可以在比同類GaAs器件高5倍的電壓下工作。由于GaN FET器件可以工作在更高的電壓下，設計人員可以更容易地在窄帶放大器設計上實現阻抗匹配。阻抗匹配（英語：Impedance matching）是一種設計電氣負載輸入阻抗的方法，其目的是使功率從設備傳輸到負載的能力最大化。
GaN FET器件可以吸收兩倍于GaAsFET器件的電流。由于GaN FET器件可以提供兩倍于GaAs FET器件的電流，因此GaN FET器件具有更高的帶寬能力。
大多數半導體器件對溫度變化非常敏感。為了保證可靠性，必須將半導體的溫度變化控制在一定范圍內。熱管理對于射頻系統尤其重要，因為射頻系統具有相對較高的能量損耗，并且會導致嚴重的散熱問題。GaN在保持低溫方面有其獨特的優勢。此外，即使在較高的溫度下，其性能也比硅受到的影響要小。例如，100萬小時MTTF的中位故障時間表明GaN可以在比GaAs高50攝氏度的溫度下工作。

氮化鎵芯片

Keep Tops氮化鎵具有廣泛的應用領域和廣闊的市場前景。GaN電力電子市場規模將在2023年達到4.24億美元。該機構認為，未來GaN器件將在射頻領域和功率領域迎來更大的增長。華西證券指出，在隨后的手機品牌發布會上，廣受消費者關注的GaN充電器將繼續出現在舞臺上。隨著GaN在消費電子行業的普及，GaN芯片的設計和制造成本將迅速下降，進一步刺激市場。應用大受歡迎。
在5G時代，GaN材料適用于基站。在宏基站應用中，GaN材料由于具有高頻、高輸出功率的優勢，正逐漸取代Si LDMOS。在微型基站中，GaAsPA組件由于其目前市場證明的可靠性和成本效益優勢，在未來一段時間內仍將占據主導地位。但隨著器件成本的降低和工藝的提高，GaNPA有望在微型基站中得到應用。分一杯羹。在移動終端中，由于成本高、電源電壓高，GaN PA短期內將無法撼動GaAs PA的霸主地位。

審核編輯 黃宇