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今天聽從一個(gè)模擬集成電路大佬的建議,要把模擬集成電路的理論知識吃透,放大器是基礎(chǔ)要研究明白,在此之前不需要仿真做模塊啥的,要把基礎(chǔ)先打好!。
模擬設(shè)計(jì)面臨需要有趣和困難的問題,比如:晶體管的缺陷,電源電壓的降低,功耗,電路的復(fù)雜性,PVT的變化等等這些在設(shè)計(jì)前期就了解這些方面對模擬集成電路設(shè)計(jì)的限制會(huì)對之后設(shè)計(jì)出更加合適的電路有幫助。
CMOS器件尺寸按比例不斷縮小提高了MOS的速度,在過去的60年里MOS晶體管的本質(zhì)速度超過了3個(gè)數(shù)量級,已經(jīng)可以變得可以和雙極型器件的速度相比較,逐漸占據(jù)模擬集成電路的主導(dǎo)地位。
下面是對模擬集成電路做的部分基礎(chǔ)性工作的學(xué)習(xí)筆記,如有錯(cuò)誤請批評指正!
作者|集成電路小剛
《一文搞懂》系列文章一文搞懂HDMI/DP/DVI/VGA顯示器接口歷史演進(jìn)一文搞懂USB各個(gè)版本的歷史演進(jìn)一文搞懂高速TIA跨阻放大器設(shè)計(jì)一文搞懂電阻,這篇講得很全面,建議收藏一文搞懂共模電感原理一文搞懂MLCC電容的特性及生產(chǎn)工藝流程一文搞懂電感Isat、Irms以及測量方法本號對所有文章陳述的觀點(diǎn)均保持中立,文章僅供讀者交流學(xué)習(xí)。資訊、圖片來源網(wǎng)絡(luò),版權(quán)歸原作者所有,侵權(quán)請聯(lián)系刪除。
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審核編輯 黃宇
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