1、純凈的半導體是四價元素，呈晶體結構，內部原子按一定規律整齊排列。

2、半導體有電子導電和空穴導電兩種形式。

3、硅、鍺、硒以及大多數金屬氧化物和硫化物都是半導體。

4、本征半導體內部電子和空穴的數量在任何情況下總是相等的。

5、摻雜是指在本征半導體中摻進一定類型和數量的其它元素（五價元素或三價元素）。

6、半導體摻雜的目的是改善導電能力，即摻雜后使半導體在原有“電子-空穴對”的基礎上，增加大量的電子或空穴。

7、P型半導體中的空穴多，N型半導體中的電子多。

8、PN結內電場的方向為由N區的正電荷區指向P區的負電荷區。

9、半導體內部的“電子-空穴對”會隨外界溫度升高或光照強度增加而明顯增加，使導電能力增強。

10、絕對零度時，“電子-空穴對”消失，半導體失去導電能力，相當于絕緣體。

11、在純凈的半導體中摻入微量雜質，半導體的導電能力將成萬倍增加。

12、在同樣的PN結面積條件下，硅管允許通過的電流比鍺管大，所以大功率二極管都用硅制造。

13、二極管的主要特性是單向導電性，當陽極處于高電位，陰極處于低電位時，二極管正向導通，即處于低阻狀態。當陽極處于低電位，陰極處于高電位時，二極管反向截止，即處于高阻狀態。

14、二極管由截止進入到導通所需的電壓稱二極管的閥電壓，一般鍺二極管在0.2V左右，硅二極管在0.5V左右。

15、二極管一經擊穿，便不能再恢復其單向導電性。

16、最高反向工作電壓是指二極管不被擊穿所允許的最高反向電壓，一般規定最高反向工作電壓為反向擊穿電壓的1/2～1/3。

17、二極管溫度升高時，正、反向電流增大，閥電壓降低、反向擊穿電壓降低。

18、二極管使用中電流不能超過最大正向電流，電壓不能超過最高反向工作電壓（峰值），否則會損壞。

19、二極管焊接時宜使用45W以下的電烙鐵，并且焊接速度要快，否則二極管會因過熱而損壞。

20、二極管的正向電阻值一般在幾十歐到幾百歐之間，反向電阻的阻值應在幾百千歐以上。

21、如果測量二極管正、反向阻值都很小，接近零歐姆，說明二極管內部擊穿或已短路；反之，如阻值都很大，接近無窮，說明內部已斷路。

22、用萬用表測量二極管時不能用Rx10k擋，因為萬用表高阻檔使用的電池電壓高，超過了某些檢波二極管的最高反向電壓，會將二極管擊穿；測量時一般也不用Rx1或Rx10檔，因為歐姆表的內阻很小，和二極管正向連接時電流很大，容易把二極管燒壞。

22、三極管的三個電極分別稱為發射極(e)、基極 (b)和集電極(c)。

23、三極管的主要功能是放大作用，根據不同需要，可組成電流放大、電壓放大、功率放大、直流放大等不同電路。

24、三極管加上工作電壓后有三個電流通過三極管，即發射極電流、基極電流和集電極電流。發射極電流等于基極電流和集電極電流之和。

25、三極管的電流放大作用是指當基極電流有微小變化時，集電極電流相應有一較大的變化。

26、當三極管受熱而引起的參數變化不超過允許值時，集電極所消耗的最大功率稱為集電極最大允許耗散功率P CM 。

27、用萬用表的黑筆(表內電池的正極)接到基極，用紅筆分別測三極管另外兩個電極。如測得的電阻都很大，則該管為PNP型；如測得的電阻均較小，則該管為NPN型。

28、溫度對三極管的參數有很大影響，溫度上升，則放大倍數β增大。

29、可控硅有三個電極，分別稱為陽極(A)、陰極(K)和控制極(門極)(G)。

30、用萬用表測量可控硅陽極與陰極之間和陽極與控制極之間的正、反向電阻，正常值都應在幾百千歐以上。

31、可控硅導通的條件，除具有足夠大的正向電源以外，還必須在控制極與陰極基之間施加一個足夠大的正向觸發電壓(稱觸發信號)。

32、可控硅一經導通，它的導通狀態完全依靠自身的正反饋作用來維持，即使控制極電流IG消失，可控硅仍處于導通狀態。

33、基本邏輯門電路有與門、或門和非門。

34、與門電路的邏輯功能為：輸入有0，輸出為0；輸入全1，輸出為1。

35、或門電路的邏輯功能為：輸入有1，輸出為1；輸入全0，輸出為0。

36、非門電路的邏輯功能為：輸入為0，輸出為1；輸入為1，輸出為0。