半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)獲悉：近日，英飛凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）宣布與中國的新能源汽車充電市場領(lǐng)軍企業(yè)英飛源達成合作。英飛凌將為英飛源提供業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的1200 V CoolSiCMOSFET功率半導(dǎo)體器件，用于提升電動汽車充電站的效率。

英飛凌零碳工業(yè)功率事業(yè)部總裁Peter Wawer博士表示：“英飛凌與英飛源在電動汽車充電解決方案領(lǐng)域的合作，將為當(dāng)?shù)仉妱悠嚦潆娦袠I(yè)提供出色的系統(tǒng)級技術(shù)解決方案。它將大幅提高充電效率，加快充電速度，并為電動汽車車主創(chuàng)造更好的用戶體驗。”

英飛源中國區(qū)總裁邱添泉表示：“通過與在SiC產(chǎn)品領(lǐng)域持續(xù)精進20年以上并擁有強大的集成技術(shù)實力的英飛凌合作，英飛源將通過采用最先進的產(chǎn)品工藝和設(shè)計解決方案，繼續(xù)鞏固并保持其在行業(yè)中的技術(shù)領(lǐng)先地位。我們還可以為新能源汽車直流充電解決方案的充電效率樹立新的標(biāo)桿，從而為客戶創(chuàng)造更多便利和獨一無二的價值，促進電動汽車充電行業(yè)的健康發(fā)展。”

由于擁有高功率密度，SiC適用于開發(fā)高性能、輕量且緊湊的充電解決方案，這對超級充電站及超緊湊壁掛式直流充電樁尤為有益。SiC技術(shù)相比傳統(tǒng)的硅技術(shù)可將電動汽車充電站的效率提高1%，從而降低了能耗和運營成本。以一座100 kW的充電站為例，這意味著節(jié)省1 kWh電能，每年節(jié)省270歐元成本，以及減少3.5噸碳排放。這將大幅推動SiC功率器件在電動汽車充電模塊中的應(yīng)用。

作為最早將溝槽柵技術(shù)用于晶體管的SiC功率半導(dǎo)體制造商之一，英飛凌推出了幫助提高充電解決方案可靠性的先進設(shè)計。這些器件具有高閾值電壓，并簡化了柵極驅(qū)動。CoolSiC MOSFET技術(shù)在上市前已通過馬拉松應(yīng)力試驗及柵極電壓跳變應(yīng)力試驗，并在上市后定期進行監(jiān)控，以確保擁有最高柵極可靠性。

通過采用英飛凌1200 V CoolSiCMOSFET，使得英飛源的30 kW直流充電模塊能夠?qū)崿F(xiàn)寬恒功率范圍、高功率密度、最小電磁輻射和干擾、高保護性能以及高可靠性。這使其不僅能夠滿足大多數(shù)電動汽車的快速充電需求，還能實現(xiàn)比市場上的其他解決方案高出1%的效率。這有助于大幅降低能耗和碳排放，達到全球領(lǐng)先水平。

審核編輯：劉清