16.1

容性終端的反射

所有實(shí)際接收器都有門輸入電容，一般約為2pF。此外，接收器的封裝信號(hào)引腳與返回路徑之間還會(huì)有約1pF的電容。這樣，如果傳輸線末端排列著3個(gè)存儲(chǔ)器件，則負(fù)載可能為10pF左右。

當(dāng)信號(hào)沿傳輸線到達(dá)末端的理想電容器時(shí)，決定反射系數(shù)的瞬時(shí)阻抗將隨時(shí)間的變化而變化。

如果信號(hào)上升邊小于電容器的充電時(shí)間常數(shù)，那么最初電容器上的電壓將迅速上升，這時(shí)阻抗很小。隨著電容器充電，電容器上的電壓變化率dV/dt緩慢下降，這時(shí)電容器阻抗將明顯增大。如果時(shí)間足夠長，電容器充電達(dá)到飽和，電容器就相當(dāng)于斷路。

這意味著反射系數(shù)隨時(shí)間的變化而變化。反射信號(hào)將先下跌再上升到開路狀態(tài)時(shí)的情形。這個(gè)精確波形是由傳輸線特性阻抗Z_0、電容器的電容量和信號(hào)上升邊決定的。下圖給出了電容器容量分別為0pF、2pF、5pF和10pF時(shí)，仿真得到的反射信號(hào)和傳輸信號(hào)波形。

傳輸電壓模式的長期效果就像通過電阻器向電容器充電。電容器對(duì)信號(hào)上升邊進(jìn)行濾波，對(duì)接收端信號(hào)而言，它就相當(dāng)于一個(gè)“時(shí)延累加器”。它與RC電路的充電方式非常相似，電容器上的電壓隨時(shí)間呈指數(shù)增長。根據(jù)這一關(guān)系，可以估計(jì)出新的信號(hào)上升邊升至幅度中間值的時(shí)延增加量，即時(shí)延累加。這里的時(shí)間常數(shù)為 τ_e=RC 。

這個(gè)時(shí)間常數(shù)是電壓上升到電壓終值的1/e或37%所需的時(shí)間。10%-90%上升邊與RC時(shí)間常數(shù)的關(guān)系為 **τ_10%?90%=2.2τ_e=2.2RC** 。

在有容性負(fù)載的傳輸線末端，電壓的變化形式就像RC在充電。其中C是負(fù)載的電容量，R是傳輸線特性阻抗Z_0。傳輸信號(hào)的10%-90%上升邊主要由RC充電電路決定，約為 τ_10%?90%=2.2Z_0C 。

如果傳輸線的特性阻抗為50Ω，電容量為10pF，則10%-90%充電時(shí)間是 2.2×50×10=1.1ns 。如果信號(hào)的初始上升邊比充電時(shí)間1.1ns短，則傳輸線末端的容性負(fù)載引起的時(shí)延將占主導(dǎo)地位，并決定接收端的上升邊。如果信號(hào)的初始上升邊大于10%-90%充電時(shí)間，那么末端的電容器將使信號(hào)上升邊累加上約等于10%-90%RC上升邊的時(shí)延。

電容量為2pF且特性阻抗為50Ω時(shí)，10%-90%RC上升邊約為 2.2×50×2=0.2ns 。當(dāng)初始上升邊為1ns時(shí)，這個(gè)添加的0.2ns時(shí)延幾乎無法辨認(rèn)，顯得不太重要。但當(dāng)初始上升邊為0.1ns時(shí)，0.2ns的RC時(shí)延就是一個(gè)重要的累加值了。當(dāng)驅(qū)動(dòng)遠(yuǎn)端的多個(gè)負(fù)載組合時(shí)，在所有時(shí)序分析中加入RC時(shí)延累加值就變得非常重要了。

16.2

走線中途容性負(fù)載的反射

測(cè)試焊盤、過孔、封裝引線或連接到互連中途的短樁線，都起著集總電容器的作用。下圖給出了線條上接入電容器時(shí)的反射電壓和傳輸電壓。起初，電容器形成的阻抗很低，反射到源端的信號(hào)幅度有輕微下降。所以，如果在靠近線條的前端處有接收器，這種下滑使信號(hào)邊沿變成非單調(diào)的，就可能會(huì)產(chǎn)生問題。

對(duì)于遠(yuǎn)端而言，第一次經(jīng)過電容器的傳輸信號(hào)并沒有受到太大影響。但當(dāng)信號(hào)在末端發(fā)生反射后，它將向源端方向返回。當(dāng)它再次到達(dá)電容器時(shí)，帶負(fù)值符號(hào)的部分信號(hào)將反射回遠(yuǎn)端。這些反射回接收端的信號(hào)為負(fù)電壓，使接收端信號(hào)下降形成下沖。

傳輸線中的理想電容器的影響由信號(hào)上升邊和電容量決定。電容量越大，電容器阻抗就越小，負(fù)反射電壓就越大，從而接收端的下沖也就越大。同理，上升邊越短促，電容器阻抗就越小，下沖也就越大。

上升邊與電容量比值的單位是Ω，它就是時(shí)域中電容器的阻抗，即：

若信號(hào)是線性上升邊，而且其上升邊是RT，則dV/dt等于V/RT，所以電容器阻抗為：

其中，Z_cap表示電容器阻抗(單位為Ω)，C表示突變處的電容量(單位為nF)，RT表示信號(hào)上升邊(單位為ns)。

在信號(hào)上升過程中，信號(hào)路徑與返回路徑之間的電容器就是一個(gè)并聯(lián)阻抗Z_cap。這個(gè)跨接在傳輸線上的并聯(lián)阻抗引起了反射，如下圖所示。為了避免該阻抗造成嚴(yán)重的問題，希望該阻抗能大于傳輸線的阻抗。可以簡(jiǎn)單地把這一條件理解為 Z_cap>5Z_0 。這樣，對(duì)電容器和上升邊的要求可以用下式表示： C_max 。其中，Z_cap表示信號(hào)上升過程中電容器的阻抗(單位為Ω)，Z_0表示傳輸線的特性阻抗(單位為Ω)，RT表示信號(hào)上升邊(單位為ns)，C_max表示反射噪聲不出問題時(shí)可容許的最大電容量(單位為nF)。

如果特性阻抗是50Ω，則所容許的最大電容量為： C_max 其中，RT表示信號(hào)上升邊(單位為ns)，C_max表示反射噪聲不產(chǎn)生問題時(shí)可容許的最大電容量(單位為pF)。

經(jīng)驗(yàn)法則 ：為了避免容性突變?cè)斐蛇^量的下沖噪聲，應(yīng)使電容量的pF值低于信號(hào)上升邊ns值的4倍。

如果上升邊是1ns，則最大可容許的電容量為4pF。如果上升邊為0.25ns，則不會(huì)造成下沖問題的最大可容許電容量為 0.25×4=1pF 。同理，如果容性突變?yōu)?pF，那么不影響信號(hào)質(zhì)量的最短上升邊為 2/4=0.5ns 。

這一粗略的約束條件表明，如果系統(tǒng)上升邊為1ns，則不會(huì)影響信號(hào)質(zhì)量的容性突變約為4pF。同理，如果空連接器的電容量為2pF，上升邊就需要大于0.5ns。這種情況下，如果上升邊是0.2ns，就會(huì)產(chǎn)生問題。因此，在制作硬件前進(jìn)行性能仿真是非常關(guān)鍵的。此時(shí)，需要尋找其他替代連接器或者更好的設(shè)計(jì)。

16.3

中途容性時(shí)延累加

****中途容性負(fù)載產(chǎn)生的第一位的影響就是接收端的下沖噪聲。第二位的更復(fù)雜的影響則是遠(yuǎn)端信號(hào)的接收時(shí)間被延遲。電容器與傳輸線的組合就像一個(gè)RC濾波器，所以傳輸信號(hào)的10%~90%上升邊將增加，信號(hào)越過電壓閾值50%時(shí)間也將推后。傳輸信號(hào)的10%~90%上升邊約為 **RT_10%~90%=2.2×RC=2.2×1/2Z_0C=Z_0C** ，50%的時(shí)延累加量稱為 **時(shí)延累加** ，約為 **?T** **_D=RC=1/2Z_0C** 。其中，RT_10%~90%表示信號(hào)上升邊的10%~90%（單位為ns)，?T_D表示通過電壓閾值50%時(shí)延累加(單位為ns)，Z_0表示傳輸線的特性阻抗(單位為Ω)，C表示容性突變(單位為nF)，R為1/2Z_0。****

公式中的系數(shù)1/2是因?yàn)閭鬏斁€的前一半使電容器充電，而后一半則使電容器放電，所以給電容器充電的有效阻抗實(shí)際上是特性阻抗的1/2。

例如，50Ω?jìng)鬏斁€中途的2pF容性突變，使傳輸信號(hào)的10%~90%上升邊約增加 50×2=100ps 。50%閾值的時(shí)延累加約為 0.5×50×2=50ps 。下圖給出了對(duì)于3個(gè)不同的容性突變，仿真得到的上升邊。從中也可以看出接收端信號(hào)到達(dá)50%閾值時(shí)的時(shí)延。如果按公式進(jìn)行預(yù)估，則2pF、5pF和10pF電容器對(duì)應(yīng)的時(shí)延累加分別應(yīng)為50ps、125ps和250ps。這些預(yù)估值與實(shí)際的仿真值非常接近。

要保證由測(cè)試焊盤、連接器焊盤和過孔引起的容性突變低于1pF是很困難的。每1pF焊盤約增加0.5×50×1=25ps的時(shí)延，從而延長了信號(hào)上升邊。在高速鏈路中，如OC-48數(shù)據(jù)率甚至更高的情況，其上升邊約為50ps。每個(gè)過孔焊盤或連接器都可能增加25ps時(shí)延，因此信號(hào)上升邊的時(shí)延累加量可能為50ps。所以，一個(gè)過孔很容易使上升邊翻倍而造成嚴(yán)重的時(shí)序問題。

使用低特性阻抗是減小時(shí)延累加影響的一種方法。對(duì)于同樣的容性突變，特性阻抗越低，時(shí)延累加就越小。

16.4

拐角和過孔的影響

當(dāng)信號(hào)沿均勻互連傳播時(shí)，不會(huì)產(chǎn)生反射和傳輸信號(hào)的失真。如果均勻互連上有一個(gè)90°彎曲，則此處的阻抗發(fā)生改變，信號(hào)將出現(xiàn)部分反射和失真。任何均勻互連中的90°拐角一定會(huì)造成阻抗突變，影響信號(hào)質(zhì)量。

將90°拐角變成兩個(gè)45°拐角，就能減少這種影響，而使用線寬固定的弧形拐角比其他任何形狀的效果好得多。

可能會(huì)認(rèn)為90°拐角會(huì)使電子在其周圍加速，從而導(dǎo)致過量的輻射和失真。如前所述，導(dǎo)線中的電子實(shí)際上是以約為1cm/s的速度緩慢移動(dòng)的，拐角一點(diǎn)也不會(huì)影響電子速度。拐角尖端處的電場(chǎng)很高也是事實(shí)，但這是直流效應(yīng)，它是由導(dǎo)線外邊緣的尖銳程度引起的。很高的直流電場(chǎng)會(huì)使拐角處尖端變長，并引發(fā)長期可靠性問題，但不會(huì)影響信號(hào)質(zhì)量。

彎曲處的額外線寬是使拐角影響信號(hào)傳輸?shù)奈ㄒ灰蛩兀缤粋€(gè)容性突變。正是這個(gè)容性突變引起了反射和傳輸信號(hào)的時(shí)延累加。

如果拐角處導(dǎo)線的線寬固定，整條導(dǎo)線的線寬就沒有變化，信號(hào)在拐角中的任何點(diǎn)處受到的瞬時(shí)阻抗將相同，也就不會(huì)產(chǎn)生反射。

拐角處的電容量大約估計(jì)為：

其中，C_corner表示每個(gè)拐角的電容量(單位為pF)，C_L表示單位長度電容(單位為pF/in)，w表示導(dǎo)線的線寬(單位為in)，Z_0表示導(dǎo)線的特性阻抗(單位為Ω)，ε_(tái)r表示介電常數(shù)。

例如，對(duì)于前面測(cè)量的65mil寬的導(dǎo)線，兩個(gè)90°彎曲中的每個(gè)電容量約為 40/50×2×0.065=0.1pF 。因?yàn)猷徑袃蓚€(gè)拐角，總的突變?nèi)萘縿t為0.2pF。

這種對(duì)拐角電容的估計(jì)可以簡(jiǎn)化為一個(gè)簡(jiǎn)單易記的 經(jīng)驗(yàn)法則 ：50Ω?jìng)鬏斁€上一個(gè)拐角的電容量(單位為fF)約等于兩倍線寬(單位為mil)。

在保持阻抗仍為50Ω的同時(shí)減小線寬，拐角的電容量將下降，其作用會(huì)變得不那么明顯。對(duì)于高密度電路板中線寬為5mil的典型信號(hào)線，一個(gè)拐角的電容量約為10fF。10F電容器產(chǎn)生的反射噪聲如果對(duì)信號(hào)上升邊有影響，上升邊的數(shù)量級(jí)就必須在0.01/4≈3ps左右。而經(jīng)過計(jì)算，此電容引起的時(shí)延累加約為 0.5×50×0.01=0.25ps 。所以，5mil寬的導(dǎo)線上拐角的電容量不太可能對(duì)信號(hào)完整性有很大的影響。

如果過孔把信號(hào)線連接到測(cè)試焊盤，或者過孔把信號(hào)線連接到相鄰層上但又穿越所有板層，則筒狀孔壁與板中不同平面層之間通常會(huì)有額外的電容量。殘余的過孔樁線使過孔就像信號(hào)的一個(gè)集總?cè)菪载?fù)載。過孔樁線的電容量與筒狀孔壁的尺寸、出砂孔及頂層和底層上焊盤的尺寸、樁線的長度等有密切的關(guān)系，其范圍從0.1pF到1pF左右。任何與信號(hào)線相連的過孔都可以看成容性突變。在高速串接中，它是互連線信號(hào)質(zhì)量的一個(gè)主要制約因素。

過孔的殘余電容可以通過如下簡(jiǎn)單的近似關(guān)系得到。除非經(jīng)特別小心處置，一般過孔處的有效特性阻抗，包括經(jīng)過不同平面的返回路徑，小于50Ω，約為35Ω。50Ω?jìng)鬏斁€的單位長度電容為3.3pF/in，那么過孔樁線的單位長度電容為5pF/in。即約為5fF/mil。根據(jù)這一經(jīng)驗(yàn)法則可以估算出過孔樁線的容性負(fù)載。

例如，長度為20mil的過孔樁線，它的電容量為 20mil×5fF/mil=100fF 。位于較厚電路板上長度為100mil的過孔樁線，它的電容量為 100mil×5fF/mil=500fF ，也就是0.5pF。

下圖給出了一塊10層板中15in長的均勻傳輸線上分別有和沒有通孔時(shí)，測(cè)得的時(shí)域反射響應(yīng)，其中導(dǎo)線的阻抗約為58Ω，線寬為8mil，信號(hào)上升邊約為50ps。導(dǎo)線中，SMA連接器的過孔和線中間位置上的通孔的電容量均約為0.4pF。致使這兩個(gè)過孔產(chǎn)生的反射電壓不同的原因是：當(dāng)信號(hào)傳播到中間位置及后續(xù)返回的過程中，介質(zhì)損耗使信號(hào)上升邊均發(fā)生了退化。沿線反射電壓的其他起伏反映的是由于制造工藝波動(dòng)引起的阻抗波動(dòng)。

這個(gè)過孔的電容量近似為0.4pF，可預(yù)估這單個(gè)過孔產(chǎn)生的時(shí)延累加約為 0.5×50×0.4pF=10ps 。上圖說明這個(gè)傳輸信號(hào)的時(shí)延比相同導(dǎo)線上沒有過孔時(shí)增加了9ps。

16.5

有載線

當(dāng)傳輸線上存在一個(gè)小的容性負(fù)載時(shí)，信號(hào)將失真，而且信號(hào)上升邊也會(huì)退化。每個(gè)分立電容會(huì)降低它附近的阻抗。如果在導(dǎo)線上分布多個(gè)容性負(fù)載(如連接器的總線排上每隔1.2in就有一個(gè)2pF連接器樁線，或存儲(chǔ)器的總線排上每0.8in就分布一個(gè)3pF的封裝和輸入門電容)，而且它們的間距小于上升邊的空間延伸，每個(gè)容性突變處引起的反射就會(huì)相互抵消。此時(shí)，等于是將導(dǎo)線的特性阻抗降低了。其上均勻分布著容性負(fù)載的傳輸線稱為 有載線 。

每個(gè)突變看起來像一個(gè)低阻抗區(qū)域。當(dāng)上升邊小于電容之間的時(shí)延時(shí)，對(duì)于信號(hào)而言，每個(gè)突變都是彼此獨(dú)立的。當(dāng)上升邊大于電容之間的時(shí)延時(shí)，低阻抗區(qū)域相互交疊，從而使導(dǎo)線的平均阻抗下降。

下圖給出了3個(gè)上升邊互不相同時(shí)，有載線的反射信號(hào)。該例中，導(dǎo)線的標(biāo)稱阻抗是50Ω，每隔1in分布一個(gè)3pF電容器，共有5個(gè)這樣的電容器；最后10in導(dǎo)線是沒有負(fù)載的無載線。每個(gè)電容器固有的10%~90%上升邊約為 2.2×0.5×50×3=150ps 。即使初始上升邊為50ps，在通過第一個(gè)電容器后，上升邊也增加到150ps，而且每通過一個(gè)電容器都會(huì)繼續(xù)增加。

起初，電容器還可以看成獨(dú)立的突變，但較長的信號(hào)上升邊使后面電容器的作用相互抵消。當(dāng)信號(hào)上升邊大于容性突變之間的時(shí)延時(shí)，均勻分布的容性負(fù)載會(huì)降低導(dǎo)線的特性阻抗。在有載線上，電路板上這些額外的負(fù)載特征使導(dǎo)線的單位長度電容增加。單位長度電容越大，特性阻抗就越低，時(shí)延也就越長。

50Ω導(dǎo)線的單位長度電容約為3.4pF/in，當(dāng)添加的分布式容性負(fù)載與此值相當(dāng)時(shí)，特性阻抗和時(shí)延就有明顯的改變。例如，一個(gè)多支路總線排上每隔1in有一個(gè)3pF的內(nèi)存條輸入門電容負(fù)載，則單位長度上添加的負(fù)載電容為3pF/in，負(fù)載特性阻抗降低到0.73Z_0，時(shí)延提升到1.37T_D0 。

隨著導(dǎo)線特性阻抗的降低，用于端接匹配的電阻也應(yīng)隨之降低。或者，在有分布式電容的區(qū)域內(nèi)，通過減小線寬，使無載阻抗變大。這樣，最后的效果可以使有載線的阻抗比較接近于期望的阻抗值。分立電容的加大對(duì)導(dǎo)線的作用就是降低了特性阻抗并加大了時(shí)延，它與在過孔中所發(fā)生的情況相同。

在焊盤疊層的每一層上的任何非功能性焊盤，或者只是穿越平面出砂孔的過孔桶壁的額外電容，粗看就像增加了分立電容，從而導(dǎo)致了過孔的阻抗降低，基于過孔長度和疊層介質(zhì)材料介電常數(shù)Dk的時(shí)延也會(huì)加大。

與大多數(shù)Dk為4不同，這里好像有一個(gè)高達(dá)8～15的有效Dk。這都是由于過孔桶壁與平面之間的離散負(fù)載電容較高所造成的。

16.6

感性突變的反射

連接到傳輸線上的任何串聯(lián)連接都有一些相應(yīng)的串聯(lián)回路電感。改變信號(hào)所在層的所有過孔、串聯(lián)端接電阻器、各種連接器及每個(gè)工程變更線，都有一些額外的回路電感，信號(hào)認(rèn)為這些回路電感是在傳輸線上加入的突變。

如果信號(hào)路徑上出現(xiàn)突變，則雖然信號(hào)路徑與返回路徑之間有局部互感，回路電感也主要由信號(hào)路徑上突變引起的局部自感決定。如果返回路徑上出現(xiàn)突變，返回路徑上突變引起的局部自感就決定了回路電感。

對(duì)于邊沿快速上升的入射信號(hào)，大的串聯(lián)回路電感初看是一個(gè)高阻抗元件，所以產(chǎn)生返回源端的正反射。

下圖為不同感性突變情況下的源端和接收端的信號(hào)。近端信號(hào)的形狀為先上升后下降，稱為非單調(diào)性，即信號(hào)不是穩(wěn)定一致地單調(diào)上升。這一特征本身并不會(huì)造成信號(hào)完整性問題。然而，如果近端有接收器，并且它接收到的信號(hào)先是超過50%點(diǎn)，再下降到50%點(diǎn)以下，就有可能造成誤觸發(fā)。

如果接收器中信號(hào)初始的上升邊或下降邊的邊沿失真發(fā)生在規(guī)定的建立和保持時(shí)間，就可能不會(huì)造成誤碼。然而，時(shí)鐘信號(hào)的邊沿發(fā)生失真卻會(huì)導(dǎo)致一個(gè)時(shí)序錯(cuò)誤，從而造成一個(gè)誤碼。

這種信號(hào)非單調(diào)性在任何地方都應(yīng)盡量避免。在遠(yuǎn)端，傳輸信號(hào)出現(xiàn)過沖，并有一個(gè)時(shí)延累加。

總之，電路中可容許的最大電感總量取決于噪聲容限和電路的其他特征，通常每一種情況都必須通過仿真去估計(jì)是否可行。不過，也可以按分立電感器這一串聯(lián)阻抗突變引起的增量小于導(dǎo)線特性阻抗的20%為限，粗略估算多大的電感就算太大。此時(shí)，反射信號(hào)約為信號(hào)擺幅的10%，對(duì)反射噪聲而言，這通常就是可以容許的最大噪聲了。

當(dāng)信號(hào)的上升邊通過電感器時(shí)，如果電感器的阻抗小于特性阻抗，而且信號(hào)的上升邊是線性上升的，則電感器的阻抗約為：

其中，Z_inductor表示電感器的阻抗(單位為Ω)，L表示電感(單位為nH)，RT表示信號(hào)的上升邊(單位為ns)。

為了確保電感器的阻抗低于導(dǎo)線阻抗的20%，可容許的最大感性突變約為 L_max<0.2Z_0×RT 。其中，L_max表示可容許的最大串聯(lián)電感(單位為nH)，Z_0表示導(dǎo)線的特性阻抗(單位為Ω)，RT表示信號(hào)的上升邊(單位為ns)。

通過粗略的估算，50Ω導(dǎo)線上可容許的最大額外回路電感(單位為nH)為信號(hào)上升邊(單位為ns)的10倍。同理，如果突變形成了回路電感，則為了使反射噪聲不超過噪聲預(yù)算，可容許的最短上升邊(單位為ns)為電感(單位為nH)的1/10。

為了保證反射信號(hào)不造成問題，使用軸向引腳電阻器時(shí)，信號(hào)的最短上升邊約為10nH/101ns。而對(duì)于SMT電阻器，信號(hào)的最短上升邊約為2nH/100.2ns。

****感性突變會(huì)引起反射噪聲和時(shí)延累加。若上升邊很短，信號(hào)的上升邊主要由串聯(lián)電感決定，則傳輸信號(hào)的10%~90%上升邊約為 **T_D10%~90%=2.2×L/2Z_0=L/Z_0** 。其中，T_D10%~90%表示傳輸信號(hào)的10%~90%上升邊(單位為ns)，L表示突變處的串聯(lián)回路電感(單位為nH)，Z_0表示導(dǎo)線的特性阻抗(單位為Ω）。****

16.7

補(bǔ)償

設(shè)計(jì)中常常要用到專用連接器，電路中的串聯(lián)回路電感是不可避免的。如果不加以控制，它就可能造成過量的反射噪聲。補(bǔ)償技術(shù)就是為了抵消部分此類噪聲。

補(bǔ)償?shù)母拍罹褪潜M量讓信號(hào)感受不到很大的感性突變，而是覺得遇到了與導(dǎo)線特性阻抗相匹配的一段傳輸線。既然理想傳輸線可以用單節(jié)LC網(wǎng)絡(luò)實(shí)現(xiàn)一階近似，在感性突變兩側(cè)各加一個(gè)小電容器，就能將感性突變轉(zhuǎn)變成一節(jié)傳輸線，如下圖所示：

為了最小化反射噪聲，就要找到合適的電容值，使連接器的實(shí)在特性阻抗Z_1等于電路其余部分的特性阻抗Z_0。基于這個(gè)關(guān)系式，添加的電容為 C_1=L_1/Z_0^2 ，其中，C_1表示添加的總補(bǔ)償電容(單位為nF)，L_1表示突變處的電感(單位為nH)，Z_0表示導(dǎo)線的特性阻抗(單位為Ω)。

****例如，如果連接器的電感為10nH，導(dǎo)線的特性阻抗為50Ω，則所要加上的總補(bǔ)償電容為 **10/(50×50)=0.004nF=4pF** 。最優(yōu)的補(bǔ)償方式是將4pF電容分為兩部分，分別加在電感器的兩側(cè)，即各為2pF。****

下圖給出了無連接器、無補(bǔ)償連接器和有補(bǔ)償連接器這3種情況下的反射和傳輸信號(hào)。根據(jù)系統(tǒng)的上升邊，反射噪聲有時(shí)能降低75%。

這一技術(shù)適用于所有的感性突變，如過孔、電阻器等。根據(jù)焊盤上的電容和電感總量，可以把實(shí)際突變看成容性的或感性的。

互連設(shè)計(jì)目標(biāo)就是控制焊盤和其他特征，使它們的結(jié)構(gòu)如同均勻傳輸線的一部分。用這種方法，一些感性突變(如連接器)的現(xiàn)象幾乎可以消失。