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半導體所在高功率、低噪聲的量子點DFB單模激光器研究

LD18688690737 ? 來源:光電資訊 ? 2023-10-08 09:42 ? 次閱讀
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分布反饋(DFB)激光器具有結構緊湊、動態單模等特性,是高速光通信、大規模光子集成、激光雷達和微波光子學等應用的核心光源。特別是,以ChatGPT為代表的人工智能領域呈現爆發態勢,亟需高算力、高集成、低功耗的光計算芯片作為物理支撐,對核心光源的溫度穩定性、高溫工作特性、光反饋穩定性、單模質量、體積成本等提出了更高要求。

近期,中國科學院半導體研究所材料科學重點實驗室研究員楊濤-楊曉光團隊與研究員陸丹,聯合浙江大學兼之江實驗室教授吉晨,在高功率、低噪聲的量子點DFB單模激光器研究方面取得重要進展。該團隊采用高密度、低缺陷的疊層InAs/GaAs量子點結構作為有源區,結合低損耗側向耦合光柵作為高效選模結構,研制出寬溫區內高功率、高穩定、低噪聲、抗反饋的高性能O波段量子點DFB激光器。在25-85 °C范圍內,激光器輸出功率均大于100 mW,最大邊模抑制比超過62 dB;最低的白噪聲水平僅為515 Hz2 Hz-1,對應的本征線寬低至1.62 kHz;最小平均RIN僅為-166 dB/Hz(0.1-20 GHz)。

此外,激光器的抗光反饋閾值高達-8 dB,滿足無外部光隔離器下穩定工作的技術標準。該器件綜合性能優異,兼具低成本、小體積的優勢,在大容量光通信、高速片上光互連、高精度探測等領域具有規模應用前景。 相關研究成果以High-Power, Narrow-Linewidth, and Low-Noise Quantum Dot Distributed Feedback Lasers為題,發表在Laser & Photonics Reviews上。研究工作得到國家重點研發計劃和國家自然科學基金等的支持。

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審核編輯:劉清

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原文標題:半導體所等在高功率、低噪聲量子點DFB單模激光器研究中獲進展

文章出處:【微信號:光電資訊,微信公眾號:光電資訊】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

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