如今社會(huì)電子化越來越普遍，也越來越多的產(chǎn)品內(nèi)部集成了電池，電池是一種通過內(nèi)部材料發(fā)生化學(xué)反應(yīng)產(chǎn)生電能的器件，受其工作原理影響，電池屬于一種危險(xiǎn)物品，做的好，就是一個(gè)好的電能來源，做的不好，那就是一個(gè)定時(shí)炸彈，空運(yùn)，海運(yùn)，快遞運(yùn)輸?shù)榷紩?huì)對(duì)電池類產(chǎn)品特別關(guān)注。

應(yīng)用于產(chǎn)品上的電池一般是電池包，包括電芯和保護(hù)板，電芯本身是必須經(jīng)過嚴(yán)格認(rèn)證的，保護(hù)板是為了實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品應(yīng)用中針對(duì)電池方面的單一故障保護(hù)，避免外部不利的使用條件直接對(duì)電池造成不必要的影響。

過放保護(hù)和過充保護(hù)是電池保護(hù)板的基本功能，過放保護(hù)是為了保護(hù)電池不至于放完電，導(dǎo)致電壓過低，電池?zé)o法重新使用；過充保護(hù)是為了保護(hù)電池不至于充太滿，導(dǎo)致電壓太高，超過電池的承受能力，造成危害。

電池保護(hù)板如下應(yīng)用電路：

上圖為3節(jié)電池串聯(lián)的保護(hù)板參考設(shè)計(jì)，圖中可以觀察到，在外部電源EB和內(nèi)部電池之間有兩個(gè)背靠背的MOSFET，均為PMOS，靠EB端的MOSFET稱為充電用FET，靠電池端的稱為放電用FET，充電用FET受COP控制，放電用FET受DOP控制，VMP檢測(cè)外部電源電壓，VCn（b=1,2,3）檢測(cè)電池電壓。

充電用FET的作用是控制充電通路，該FET導(dǎo)通時(shí)，外部電源可往電池充電，該FET截止時(shí)，外部電源無法進(jìn)入電池，也即電池?zé)o法進(jìn)行充電，但是電池電壓可以通過該FET的體二極管往外輸出。放電用FET的作用是控制充電通路，該FET導(dǎo)通時(shí)，電池可對(duì)外放電，而該FET截止時(shí)，完全截止了電池的放電路徑。

過充電狀態(tài)：

電池保護(hù)IC通過VCn腳實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)每個(gè)電池的電壓，當(dāng)外部電源持續(xù)充電導(dǎo)致任何一個(gè)電池電壓超過規(guī)定的過充檢測(cè)電壓時(shí)，電池保護(hù)IC將使COP變?yōu)楦咦钁B(tài)，此時(shí)充電用FET將截止，實(shí)現(xiàn)過充電保護(hù)。

若要解除過充電保護(hù)狀態(tài)，對(duì)于S-8254A電池保護(hù)IC的規(guī)定，有如下兩種情況：

1)全部電池處于規(guī)定的過充解除電壓以下時(shí)；
2)全部電池處于規(guī)定的過充檢測(cè)電壓以下，且VMP端子電壓在39/40×VDD以下時(shí)。

按照以上描述，一般選擇拔掉充電器或去掉施加在電池上的外部電源即可實(shí)現(xiàn)電池過充狀態(tài)的解除，需要注意的是，過充電保護(hù)狀態(tài)解除后，充電用FET并不是立馬就能導(dǎo)通，因此，會(huì)有一段很小的時(shí)間，在EB端的電壓為VBAT-VD，VBAT即為電芯的輸出電壓，VD為充電用FET體二極管的壓降，此二極管壓降在0.7V左右，因此，若此時(shí)外部有檢測(cè)電池電壓的檢測(cè)電路，如滯回比較器電路，需要注意滯回區(qū)間要把這個(gè)情況考慮進(jìn)去。

過放電狀態(tài)：

電池保護(hù)IC通過VCn腳實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)每個(gè)電池的電壓，當(dāng)外部電源持續(xù)充電導(dǎo)致任何一個(gè)電池電壓超過規(guī)定的過放檢測(cè)電壓時(shí)，電池保護(hù)IC將使DOP變?yōu)榕cVDD電平，此時(shí)放電用FET將截止，實(shí)現(xiàn)過放電保護(hù)。

對(duì)于S-8254A保護(hù)IC，當(dāng)進(jìn)入過放保護(hù)狀態(tài)后，S-8254A也將進(jìn)入休眠狀態(tài)，此舉是為了將電池耗電降到最低，避免電池因IC的功耗持續(xù)耗電導(dǎo)致電芯進(jìn)入深度放電狀態(tài)，電芯電壓持續(xù)降低后，S-8254A將無法正常工作，且不說電芯出問題，保護(hù)板的FET都無法被打開，結(jié)果就是造成整個(gè)電池?zé)o法充電。S-8254A進(jìn)入休眠狀態(tài)后，會(huì)將COP端子也變?yōu)楦咦钁B(tài)，此時(shí)放電FET也被關(guān)斷。

當(dāng)插入外部電源，也即VMP端檢測(cè)到大于VDD的電壓時(shí)，即解除休眠狀態(tài)，恢復(fù)正常充電。