三星電子存儲器事業部門負責dram開發的副總經理Sangjun Hwang表示：“三星已經開始向顧客提供高帶寬存儲器hbm3e的樣品，目前正在開發新一代產品hbm4，目標是在2025年供貨。”

Sangjun Hwang還表示：“正在準備開發出最適合高溫熱特性的非導電粘合膜（ncf）組裝技術和混合粘合劑（hcb）技術，并適用于hbm4產品。”

今年年初，三星電子為了強化尖端成套技術和事業部門間的協同效應最大化，組成了avp（先進封裝）事業組等，正在傾盡全力開發這些技術。

另外，還計劃與hbm一起提供包括2.5d和3d尖端解決方案的尖端定制型turkey package服務，展示ai和hpc時代的最佳解決方案。

就上月上市的32gb ddr5 dram，Sangjun Hwang表示，可以節省費用并提高生產效率，同時還可以改善10%的電力消耗，最多可以使用1tb的內存模塊。

相俊黃表示，對在存儲器中增加系統半導體運算功能的pim（存儲器計算）產品抱有期待。hbm-pim在dram內部內置數據運算功能，改善了存儲器帶寬的瓶頸現象。在語音識別等特定工作量上，性能最高提高了12倍，最高提高了4倍。”