1前言

閃存有兩種分類，NAND型閃存主要用于存儲

寫操作

■MOS的特性

給柵極高電平，就導通

給柵極低電平，就截止

在MOS管的基礎上加入浮柵層和隧穿層就變成浮柵晶體管（存儲一位數據的基本單位）

■浮柵晶體管寫操作（邏輯0）

當給柵極施加較高的高電平（較高的高電平才能讓電子穿過隧穿層），電子到浮柵層就被絕緣層阻礙了

當給柵極低電平時，這時隧穿層就相當于絕緣層，這樣電子就被存儲起來了，這時隧穿層有電子表示邏輯0

■浮柵晶體管寫操作（邏輯1）

這時給襯底較高的高電平時，電子就會從隧穿層被吸引出來，這時隧穿層沒電子表示邏輯1

■小結

根據浮柵層有無電子就可以判斷兩種狀態

讀操作

可以通過判斷浮柵層當前有無電子，來讀取當前的狀態

■如何判斷有無浮柵層電子？

現在給柵極低電平，電子就會被吸引形成溝道（因為低電平不能讓隧穿層導通，所以等價于絕緣層）

因為形成了溝道，D極和S極就有電流了，在這回路中加一個電流表來檢測是否有電流

如果浮柵層里有電子的話，由于同性相斥，即使給柵極通電，電子也不會被吸引上來形成溝道

既然沒溝道的話，那就沒有回路，就檢測不到有電流

矩陣控制

NAND Flash閃存的讀寫單位是頁，擦寫單位是塊

可以看出兩個浮柵晶體管共用一個N溝道，連接的是同一塊襯底（因為襯底都是同一塊，所以以塊為單位）

閃存剖視圖

閃存3D圖

■如何以塊為單位來讀寫？

當要給某一個晶體管寫入邏輯0時，給該行較高的高電平（比如20V），給該列低電平（不形成回路，也就不阻礙電子流向浮柵層）

當給某一個晶體管寫入邏輯1時，還是給該行較高的電平（比如20V），給該列高電平（形成回路，阻礙電子流向浮柵層）

總結