1
共振頻率
在晶體諧振器的共振特性中,共振頻率是兩點阻抗變?yōu)?a target="_blank">電阻時的較低頻率點。
圖. 晶體諧振器共振特性
阻抗Z變?yōu)殡娮柙r,兩點之間的頻率。在這兩點上,相為0。其中頻率較低的點稱為共振頻率。另外一個點稱為反共振頻率。
2
等效電路
下圖所示的是由電阻、電感和電容組成的晶體諧振器的共振特性。R1在等效電路中稱為等效串聯電阻,是晶體諧振器的重要特性。
3
等效串聯電阻 (R1)
晶體諧振器等效電路串聯支路中的電阻。
4
負載電容 (Cs)
讓晶體諧振器具有負載共振頻率的電容。在實際振蕩電路中,連接晶體諧振器的實際電容是由外部負載電容、IC雜散和PCB等產生的。也可用下述公式進行計算:
5
負載共振頻率 (fL)
負載共振頻率是晶體諧振器中負載電容串聯的共振頻率,這一頻率比共振頻率高。由于實際值與晶體諧振器規(guī)范中額定值之間的電容差,所以實際和額定振蕩頻率間存在頻差。
也可用下述公式進行計算:
6
拉敏性
上面的圖顯示了負載電容變化產生的負載共振頻率 (fL) 偏移。此圖中每個點的斜率就是拉敏性。參見下面的圖。在負載電容為6pF時,拉敏性是-17ppm/pF。(負載電容變化1pF時,頻移為17ppm)。也可用下述公式進行計算:
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導納圓
下圖是在導納平面坐標 (電導—電納) 上繪制的晶體諧振器共振特征。由于畫成了圓形,因此稱為導納圓。在頻率低于共振頻率時,導納靠近原點。在頻率增加時,導納按順時針方向畫圓。
8
振蕩裕量
即振蕩停止的裕量,這也是振蕩電路中最重要的術語。振蕩裕量取決于組成振蕩電路的元件 (晶體諧振器、MCU、電容器以及電阻器) 。村田推薦維持5倍或更大的振蕩裕量。更詳細內容請關注本系列講座第二講。
9
負阻 (-R)
負阻是用阻抗表示的振蕩電路信號放大能力。由于其作用與電阻相反,所以是負值。負阻較高值小說明振蕩電路的放大能力低。振蕩電路中的負阻取決于CMOS逆變器的特性、反饋電阻、阻尼電阻和外部負載電容。
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驅動功率
驅動功率是指振蕩電路中晶體諧振器的功耗。它不僅取決于晶體諧振器的等效串聯電阻,還取決于組成振蕩電路的元件 (MCU、電容和電阻) 。在驅動功率超額時,頻率—時間性能會出現不正常特性。在設計振蕩電路時,最好檢查一下驅動功率。
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C-MOS逆變器
C-MOS是互補MOS,組成了相互連接的p和n型MOSFET。在下圖中起到逆變器 (邏輯逆變電路NOT) 的作用。
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振蕩電路
在裝有C-MOS逆變器或晶體管的放大電路中,所謂的“振蕩電路”就是將輸出連接到輸入,以便持續(xù)放大反饋。只有通過晶體諧振器反饋才能選擇并放大共振頻率的信號。
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