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Intel foundry能否實現趕超?

Astroys ? 來源:Astroys ? 2023-10-12 17:12 ? 次閱讀

Intel正在努力奪回半導體工藝技術的領先地位。它正在取得一些進展,但挑戰也層出不窮。

Intel正在foundry上努力追趕與TSMC和Samsung的差距。

Intel在愛爾蘭Leixlip的Fab34工廠已啟動,并開始量產4nm芯片。另外,有人猜測TSMC可能會將其在臺灣的2nm工藝推遲到2026年。

自2021年2月Pat Gelsinger重返Intel以來,他在技術實現和財務業績方面一直許愿不斷,卻無法達成目標。如果Gelsinger不盡快取得實際進展,而Intel又持續在銷售額上不濟,那么整個Intel項目就可能開始瓦解。

在Gelsinger回歸之前,人們已經清楚地看到,自從Andrew Grove擔任CEO以來,Intel以往對工程技術的不懈關注已經松懈,而這一直是Intel在計算機處理器業務領域占據優勢地位的基石。

然而,Intel先后多次推遲推出基于14nm和10nm FinFET工藝節點的產品,導致其在foundry技術上落后于TSMC和Samsung。這也意味著x86的fabless競爭對手AMD可以通過使用TSMC的foundry,以工藝制程優勢向市場推出處理器。結果,如今AMD的市值超過了Intel。

與此同時,隨著Intel收購采用TSMC服務的fabless初創公司,Intel發現自己正逐漸淪為fab-lite。

肩負使命的CEO

Gelsinger回來了。他曾在Intel擔任CTO,后被任命為CEO。從他到任的那一刻起,他就清楚自己的使命是重振Intel的foundry。他提出了Intel Foundry戰略。但是,Intel要想重新獲得世界一流的制造能力,就需要一個積極的技術發展計劃。

2020年8月,Intel聘用的愛爾蘭工程師Ann Kelleher被提升為技術開發管理者。她的任務是在四年內推出五個節點。這是前所未有的研發速度,但這也是Intel追趕對手必要的。

上周,Gelsinger和Kelleher都在Leixlip參加了Fab34的開工儀式,并象征性地將“Intel 4”工藝移交給運營部門。位于愛爾蘭Leixlip的Fab34是Intel的Intel 4制造工藝卓越中心

“Intel 4”是過去的7nm工藝,但由于Intel認為它在能力上更接近其競爭對手的4nm工藝,因此更名為“Intel 4”。Intel 3之后是“Intel 20A”和“Intel 18A”,其中“A”指的是測量單位“angstrom”,即納米的十分之一。

根據Kelleher的說法,這意味著5個節點中的2個已經成功交接。她在開幕式上說:“Intel 4已經完成:tick”。Intel 3即將問世。它做得非常好。Intel 20A和Intel 18A也進展順利。”

當然,TSMC和Samsung已經開始了3nm的生產,TSMC在新竹、臺中和高雄建設2nm晶圓廠的計劃也在緊鑼密鼓地進行。

2nm工藝推遲

?? 然而,臺灣有報道稱,TSMC的2nm制程的主要工廠新竹寶山工廠的建設正在放緩。新竹寶山工廠原本預計在2024下半年開始所謂的2nm芯片風險生產,并在2025年開始量產。報道稱,由于半導體行業對前沿工藝的需求疲軟,以及主要客戶的意圖不明,TSMC正將2nm工藝的量產時間推遲到2026年。

與此同時,Intel聲稱其下一個節點“Intel 3”將于今年“準備就緒”,這實際上意味著2024年上半年就能實現量產。

據說,Intel 20A“有望”在2024年投入生產,而18A也將在同年引入。

那么,這是否意味著Intel可以一舉趕上并超越TSMC和Samsung呢?也不盡然。

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GAA

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比起2nm工藝,更重要的是可能是GAA(gate-all-round)技術的引入。這是自2011年推出FinFET以來芯片架構的首次重大變革。

而Samsung已在其3nm工藝上采用了GAA技術,該工藝在2022年中期推出。據報道,Samsung foundry早期的3GAE良率為10%-20%,且改善緩慢。2023年初,又有消息稱良率“完美”,但沒有明確說具體數據是多少。

TSMC將在2nm工藝上采用GAA工藝,有消息稱,該工藝可能要到2026年才會量產,而Intel聲稱其GAA工藝(稱為RibbonFET)將在2024年上半年做好生產準備。Intel的設計有四個堆疊的納米片(nanosheet),每個納米片周圍都有一個柵極。Intel聲稱,這種設計可以實現更快的晶體管開關,同時使用與多個鰭片相同的驅動電流,但面積更小。

20A還將引入背面配電技術。TSMC計劃到2026年才會采用這種技術。將晶體管的功率傳輸與晶體管之間的信號傳輸分離,據稱這會產生許多好處。它能使晶體管陣列更密集,信號路徑更短,工作頻率更高,而且由于互連電阻電容更低,功耗更低。

但這種重大變化也會帶來了問題和延誤。正如Future Horizons的Malcolm Penn最近斷言的那樣:誰能率先完善GAA的引入,誰就將“在未來十年內擁有芯片制造”。

正如我們所見,Samsung、TSMC和Intel都有機會在2nm GAA節點上取得領先。而TSMC推遲推出2nm工藝的決定可能會是Intel的一個機會窗口。

制造正確的芯片

???

不過,還有一件事需要考慮。

能夠在2nm工藝下制造數十億晶體管集成電路是一回事,生產什么又是另一回事。在傳統計算市場上,Intel一直受到來自AMD x86處理器和Arm架構處理器的競爭。Intel很早就與Apple Mac失之交臂,而Arm又在服務器中獲得越來越多的關注。

數據中心市場正在轉向Nvidia GPU和定制化的加速器ASIC的組合,所需的x86通用處理器在相應減少。而這些領先的ASIC目前正由TSMC和Samsung代工。

Intel試圖通過收購Tower Semiconductor在foundry市場站穩腳跟,最終卻因監管審核的問題未能成形。

Ann Kelleher可能是工程界的英雄,她需要在四年內完成推出五個節點的壯舉,但這并不足以讓Intel起死回生。Intel不僅需要成為領先的foundry,還需要重新學習如何設計和制造客戶所真正需要的領先半導體技術。TSMC之所以延遲是出于客戶實際需求情況。而這些客戶恰恰是Intel沒有的。

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原文標題:Intel foundry能否實現趕超?

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