美格納半導(dǎo)體公司宣布推出兩款基于其第8代溝槽MOSFET技術(shù)的新型150V MXT MV 金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）。MXT MV MOSFET，代表美格納極限溝槽中壓MOSFET，是美格納40~200V溝槽MOSFET的尖端產(chǎn)品組合。

在大功率設(shè)備中，能源效率對于降低功耗和確保穩(wěn)定性至關(guān)重要。利用美格納尖端的溝槽式MOSFET技術(shù)，這些新發(fā)布的第8代150V MXT MV MOSFET（MDES15N056PTRH，MDU150V113PTVRH）被創(chuàng)造出來。特別是，與上一代產(chǎn)品相比，MDES15N056PTRH的RDS（導(dǎo)通）（MOSFET的漏極和源極之間的電阻值）比上一代降低了22%，從而顯著提高了應(yīng)用的能效。

與早期版本相比，MDES15N056PTRH和MDU150N113PTVRH的品質(zhì)因數(shù)（FOM：RDS（on） x Qg）分別提高了23%和39%。這是通過增強(qiáng)核心單元和端接的設(shè)計(jì)來實(shí)現(xiàn)的。此外，D2PAK-7L （TO-263-7L） 和 PDFN56 等表面貼裝型封裝的使用減小了 MOSFET 的尺寸，從而實(shí)現(xiàn)了各種應(yīng)用的靈活設(shè)計(jì)。這些應(yīng)用的一些示例包括電機(jī)控制器、電池管理系統(tǒng) （BMS）、家用太陽能逆變器和工業(yè)電源。

繼去年推出五款采用新封裝的第八代 200V 和 150V MOSFET 以及兩款新的 150V MXT MV MOSFET 產(chǎn)品之后，美格納現(xiàn)已推出另外兩款 150V MXT MV MOSFET 產(chǎn)品。據(jù)該公司稱，美格納將繼續(xù)擴(kuò)大其高效MXT MOSFET產(chǎn)品組合，其中很快將包括采用180nm微細(xì)加工技術(shù)的新版本。