駐波效應，在先進光刻制程中一個不可忽視的現象，能引發一系列的光刻質量問題，以至于嚴重影響著圖案的精度。那么駐波效應是什么？如何產生的？有什么危害？怎么抑制呢？

什么是駐波效應？

當光束經過光刻膠并射向晶圓基底時，光束的一部分會從襯底表面反射回光刻膠內部。這反射的光束與原始的入射光束產生干涉，造成了明暗交替的干涉條紋，這就是“駐波效應”。

這種效應會使光刻膠中的光強度呈現出上下起伏的模式：那些處于高光強的部分會發生更多的光化學反應，而低光強區域的反應則相對較少。

這導致了在顯影階段，光刻膠的溶解呈現出與光強度模式相匹配的不均勻性，最終在光刻膠的剖面上形成了明顯的起伏結構。

什么是光的干涉？

當兩束或多束同一波長的光波在同一個處相交時，相同相位的兩束波振幅相加，形成一個振幅更大的波，即明條紋。相反相位的兩束波振幅相互抵消，即暗條紋。

相同相位指的是波峰與波峰相遇，波谷與波谷相遇，因此相互疊加。

而相反相位一般為波峰與波谷相遇，波谷與波峰相遇，因此相互抵消。

證明光的干涉的著名實驗，則是楊氏雙縫干涉實驗，以驗證光的波動理論。

什么情況下駐波效應會加??？

高反射率襯底

如果襯底的反射率較高，反射回來的光強度較大，與入射光波形成的駐波將更為顯著，相應的圖案質量問題也更加嚴重。

反射率較高的襯底材料有： 鋁（Al），鉻（Cr），銀（Ag），硅（Si），氧化硅（SiO2），碳化硅（SiC），氮化硅（SiNx），藍寶石襯底等。

這些襯底能夠形成鏡面反射的效果，會加劇光刻的駐波效應。

不恰當的曝光參數

曝光劑量：曝光劑量指的是單位面積上投射到光刻膠的光子數量。若曝光劑量過高，可能在亮帶區域產生過度交聯，使光刻膠在該區域更難以去除。相反，如果曝光劑量過低，暗帶區域的光刻膠可能不足以實現充分交聯，導致這些區域在后續顯影過程中被過度溶解。

曝光焦距：正確的曝光焦距確保光刻膠上的圖像清晰，如果曝光焦距設置不精確，光的分布在晶圓上形成不均勻的光強分布。這就意味著某些接收到的光量可能大于或小于預期，進一步放大由駐波效應。

如何抑制駐波效應？

PEB

PEB，（Post-Exposure Bake），指的是在曝光后進行適當烘烤，高溫促進光敏劑的擴散，一定程度上彌補了光強分布不均，在顯影過程中得到更均勻的圖案剖面。

涂抗反射膜

使用TARC，BARC等抗反射層。

審核編輯：劉清