傳感新品

【中國科學(xué)院長(zhǎng)春應(yīng)化所：研究一種集成汗液傳感器同步檢測(cè)多種動(dòng)脈粥樣硬化生物標(biāo)志物！】

臨床上經(jīng)常通過測(cè)量血液粘度、血流量和血液損傷水平來評(píng)估動(dòng)脈粥樣硬化狀況。與精準(zhǔn)醫(yī)學(xué)相結(jié)合，開發(fā)方便、無創(chuàng)的動(dòng)脈粥樣硬化診斷方法至關(guān)重要。

中國科學(xué)院長(zhǎng)春應(yīng)用化學(xué)研究所張強(qiáng)和中國人民解放軍聯(lián)勤保障部隊(duì)第九八九醫(yī)院 Qi Chang 設(shè)計(jì)了一種集成的電化學(xué)傳感器，同時(shí)檢測(cè)汗液中的膽固醇、轉(zhuǎn)鐵蛋白和 K + ，這些都是動(dòng)脈粥樣硬化的生物標(biāo)志物指標(biāo)。這傳感器顯示出對(duì)動(dòng)脈粥樣硬化狀態(tài)進(jìn)行常規(guī)個(gè)性化評(píng)估的良好前景，這是精確醫(yī)學(xué)的一個(gè)值得注意的科學(xué)進(jìn)步。

研究要點(diǎn)

要點(diǎn)1 . 該傳感系統(tǒng)是通過絲網(wǎng)印刷技術(shù)在柔性聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯 ( PET ) 基板上制備的，該基板由三個(gè)工作電極、兩個(gè)參比電極和一個(gè)對(duì)電極組成。在工作電極表面連續(xù)電沉積了多壁碳納米管 ( MWCNTs ) 和碳量子點(diǎn) ( C QDs ) 。固定化CQDs的MWCNTs支架提供了大量的活性位點(diǎn)。CQDs降低了電子轉(zhuǎn)移電阻，提高了電子轉(zhuǎn)移速率常數(shù) ( k 0 ′ ) 。在三個(gè)電極表面上沉積了特定的分子傳感元件。

要點(diǎn)2 . 傳感機(jī)制 ：β-CD共價(jià)連接在電極表面，作為選擇性膽固醇識(shí)別的宿主。識(shí)別反應(yīng)導(dǎo)致電信號(hào)隨膽固醇濃度的變化。對(duì)于轉(zhuǎn)鐵蛋白檢測(cè)，一種錨定在工作電極表面的高選擇性分子印跡聚合物 ( MIP ) 。轉(zhuǎn)鐵蛋白插入MIP分子腔會(huì)阻礙電子轉(zhuǎn)移，導(dǎo)致電流信號(hào)減少。通過在工作電極上沉積K + 離子選擇膜 ( ISM ) 來制備K + 傳感器。ISM的K + 選擇性 磁導(dǎo)率導(dǎo)致電極表面上與 K + 成比例的獨(dú)特電勢(shì)差。

要點(diǎn)3 . 該傳感 器 為痕量汗液生物標(biāo)志物 ( 膽固醇、轉(zhuǎn)鐵蛋白和K + )的超靈敏檢測(cè)提供了一個(gè)高度電化學(xué)活性平臺(tái)。集成的非酶?jìng)鞲衅鞅憩F(xiàn)出優(yōu)異的長(zhǎng)期穩(wěn)定性。通過同時(shí)檢測(cè)接受預(yù)先設(shè)計(jì)的日常活動(dòng)的志愿者汗液中的三種動(dòng)脈粥樣硬化生物標(biāo)志物，成功證明了該傳感器的實(shí)用性。

研究圖文

圖1 . （ a） ( I ) M-SPE和 ( II ) C-SPE的SEM。（b）SPE、M-SPE和C-SPE在5 mM K 3 [Fe ( CN ) 6 ]溶液中以100 mV/s的掃描速率的CV。（c）電極的Nyquist圖。（d）C-SPE 在 掃描速率范圍為10-500 mV/s 內(nèi) 的CV。（e）陰極和陽極峰值電流與掃描速率平方根的關(guān)系 。

圖 2. （ a）膽固醇傳感器的傳感機(jī)制示意圖。（b）傳感器在人造汗液中膽固醇0-100 μM范圍內(nèi)的DPV。（c）膽固醇傳感器的相應(yīng)校準(zhǔn)曲線。（d）膽固醇傳感器的選擇性測(cè)試。I：0.1 M PBS；II、10 -7 M膽固醇；III：10 -7 M膽固醇+10 -6 M尿素；IV：10 -7 M膽固醇+10 -6 M葡萄糖；V：10 -7 M膽固醇+10 -6 M尿酸；VI：10 -6 M膽固醇。（e）10個(gè)獨(dú)立的膽固醇傳感器進(jìn)行再現(xiàn)性測(cè)試。（f）膽固醇傳感器在20天內(nèi)的長(zhǎng)期穩(wěn)定性。（g）膽固醇傳感器在 實(shí)際汗液中的 DPV。（h）在實(shí)際汗液中測(cè)試時(shí)的相應(yīng)校準(zhǔn)曲線。

圖 3. （ a）轉(zhuǎn)鐵蛋白傳感器的傳感機(jī)制。（b）轉(zhuǎn)鐵蛋白傳感器在人工汗液中0-10 -2 g/L濃度范圍內(nèi)的安培響應(yīng)。（c）相應(yīng)的校準(zhǔn)曲線。（d）轉(zhuǎn)鐵蛋白傳感器的選擇性測(cè)試。（e）10個(gè)獨(dú)立轉(zhuǎn)鐵蛋白傳感器和10 -5 g/L轉(zhuǎn)鐵蛋白進(jìn)行再現(xiàn)性測(cè)試。（f）轉(zhuǎn)鐵蛋白傳感器在20天內(nèi)的長(zhǎng)期穩(wěn) 定性。（ g）轉(zhuǎn)鐵蛋白傳感器在真實(shí)汗液中的安培響應(yīng)。（h）實(shí)際汗液分析的轉(zhuǎn)鐵蛋白傳感器的相應(yīng)校準(zhǔn)曲線。

圖4 . （ a）K + 傳感器的感應(yīng)機(jī)構(gòu)。（b）人工汗液中K + 傳感器在10 -7 -10 -1 M濃度范圍內(nèi)的OCPT響應(yīng)。（c）相應(yīng)的校準(zhǔn)曲線。（d）K + 傳感器在不同pH下的OCPT響應(yīng)。（e）在存在各種離子的情況下對(duì)K + 傳感器進(jìn)行離子干擾測(cè)試。（f）10個(gè)K + 傳感器進(jìn)行重復(fù)性測(cè)試。（g）K + 傳感器在1小時(shí)測(cè)量期間的信號(hào)穩(wěn)定性。（h）K + 傳感器在20天內(nèi)具有10 mM K + 的長(zhǎng)期穩(wěn)定性。（i）K + 傳感器在實(shí)際汗液中的OCPT響應(yīng)和（j）相應(yīng)的校準(zhǔn)曲線。

圖5 . （ a）傳感器對(duì)攝入三個(gè)雞蛋后汗液樣本中（I）膽固醇、（II）K + 和（III）轉(zhuǎn)鐵蛋白的反應(yīng)。（b）傳感器對(duì)攝入0.375 g KCl后汗液樣本中（I）膽固醇、（II）K + 和（III）轉(zhuǎn)鐵蛋白的反應(yīng)。（c）攝入2.5 mg鐵元素后，傳感器對(duì)汗液樣本中（I）膽固醇、（II）K + 和（III）轉(zhuǎn)鐵蛋白的反應(yīng)。（d）三名具有不同BMI值的受試者對(duì)汗液中（I）膽固醇、（II）K+和（III）轉(zhuǎn)鐵蛋白的傳感器反應(yīng)。

傳感動(dòng)態(tài)

【英飛凌推出集成MEMS傳感器與ASIC的胎壓監(jiān)測(cè)傳感器】

英飛凌將自身在汽車領(lǐng)域經(jīng)驗(yàn)證的專業(yè)知識(shí)與面向汽車胎壓監(jiān)測(cè)系統(tǒng)（TPMS）市場(chǎng)的專利玻璃-硅-玻璃MEMS硅麥傳感器結(jié)合，推出XENSIV SP49胎壓監(jiān)測(cè)傳感器。該傳感器集成了MEMS傳感器與ASIC，可提供先進(jìn)的胎壓監(jiān)測(cè)系統(tǒng)所需的智能輪胎功能。XENSIV SP49胎壓監(jiān)測(cè)傳感器采用性能強(qiáng)大的 32位Arm M0+內(nèi)核、大容量閃存和RAM，并具有低功耗監(jiān)測(cè)（LPM）以及更優(yōu)化的快速加速度感應(yīng)功能，適用于輪胎位置自動(dòng)檢測(cè)、輪胎充氣輔助、爆胎檢測(cè)、負(fù)載檢測(cè)等智能輪胎功能。

英飛凌推出XENSIV胎壓傳感器，以智能功能滿足胎壓監(jiān)測(cè)系統(tǒng)的需求

SP49是英飛凌上一代SP40 TPMS新一代產(chǎn)品，與SP40引腳對(duì)引腳兼容，配備硬件主/從 I?C接口及軟件模擬UART、SPI和PWM接口，適用于1GHz以下頻率，并可擴(kuò)展以用于BLE TPMS。這款傳感器達(dá)到ASIL-A級(jí)標(biāo)準(zhǔn)，集成度高且經(jīng)過優(yōu)化，具備現(xiàn)代TPMS模塊所需的所有功能。SP49集成了微控制器、傳感器和便捷的外設(shè)，因此只需要少量無源元件，即可構(gòu)成完整的TPMS傳感器單元。該半導(dǎo)體器件采用低功耗設(shè)計(jì)，是電池供電應(yīng)用的理想選擇。

除了能夠利用內(nèi)部集成的間隔計(jì)時(shí)器實(shí)現(xiàn)喚醒功能外，SP49傳感器還適用于需要低功耗的獨(dú)立遠(yuǎn)程壓力傳感解決方案。在這些應(yīng)用中，該款具有喚醒功能和一流靈敏度的低頻接收器能夠?qū)崿F(xiàn)按需測(cè)量。

【A股半導(dǎo)體加入“增持回購軍團(tuán)” 華潤(rùn)微實(shí)控人拋出1億元增持計(jì)劃】

今年下半年A股半導(dǎo)體板塊整體回調(diào)，越來越多行業(yè)龍頭上市公司加入“護(hù)盤”大軍，公布增持以及回購計(jì)劃以及更新進(jìn)展。10月16日晚間，A股功率半導(dǎo)體IDM龍頭華潤(rùn)微(688396)披露實(shí)際控制人子公司不低于1億元的增持計(jì)劃。

根據(jù)告知函，基于對(duì)公司未來發(fā)展的信心以及長(zhǎng)期投資價(jià)值認(rèn)可，中國華潤(rùn)計(jì)劃自12個(gè)月內(nèi)通過公司控股股東CRH (Microelectronics) Limited（華潤(rùn)集團(tuán)（微電子）有限公司）或中國華潤(rùn)其他全資子公司增持上市公司股份，合計(jì)增持金額不低于1億元。

目前中國華潤(rùn)持有CRH(Micro)100%股份，并通過CRH(Micro)持有華潤(rùn)微總股本的66.58%，為公司的實(shí)際控制人，另外，本次中國華潤(rùn)方面將通過自有資金或自籌資金增持公司股份。

今年上半年，華潤(rùn)微實(shí)現(xiàn)歸屬凈利潤(rùn)7.78億元，同比下降約四成。對(duì)于下半年業(yè)績(jī)?cè)鲩L(zhǎng)來源，華潤(rùn)微高管在9月份接受機(jī)構(gòu)調(diào)研時(shí)表示，公司重慶12吋產(chǎn)線及封裝基地產(chǎn)能逐步上量，做好產(chǎn)能準(zhǔn)備；另外，公司積極布局潛力賽道，新能源、汽車電子、工控通信等應(yīng)用領(lǐng)域占比不斷提，IGBT、第三代化合物、傳感器、模塊等將是未來產(chǎn)品的增長(zhǎng)點(diǎn)。

據(jù)預(yù)測(cè)，華潤(rùn)微重慶12吋2023年底規(guī)劃產(chǎn)能爬坡至2萬片，目前公司封裝能力月產(chǎn)能8.7億顆，未來公司將以重慶封測(cè)基地項(xiàng)目為抓手，全面覆蓋功率半導(dǎo)體產(chǎn)品模塊封裝、晶圓中道生產(chǎn)線、面板級(jí)封裝、第三代半導(dǎo)體封裝等技術(shù)領(lǐng)先門類，有序推進(jìn)封裝工藝升級(jí)。

同日，從事電源管理及信號(hào)鏈芯片供應(yīng)商的希荻微披露完成回購。

今年8月18日，希荻微首次披露了回購股份事項(xiàng)；截至10月13日，公司通過集中競(jìng)價(jià)交易累計(jì)回購81.1萬股，占公司總股本0.2%，回購成均價(jià)18.5元/股，支付的資金總額約1500萬元；所回購股份計(jì)劃將在未來適宜時(shí)機(jī)全部用于員工持股計(jì)劃或股權(quán)激勵(lì)計(jì)劃。

作為A股Nor Flash存儲(chǔ)龍頭，今年9月兆易創(chuàng)新拋出8000萬元至1.5億元回購計(jì)劃；最新披露，截至2023年10月16日，公司通過集中競(jìng)價(jià)交易方式累計(jì)回購股份約73萬股，占公司總股本的比例為0.11%，購買的最高價(jià)格為102.44元/股，最低價(jià)格為98.33元/股，已支付的總金額約7345萬元（不含交易費(fèi)用）。

A股存儲(chǔ)器龍頭江波龍也在今年8月31日江波龍也拋出了增持計(jì)劃，公司實(shí)際控制人、控股股東、董事長(zhǎng)兼總經(jīng)理蔡華波，董事兼副總經(jīng)理王景陽，董事、副總經(jīng)理兼財(cái)務(wù)負(fù)責(zé)人朱宇計(jì)劃增持公司股份總金額合計(jì)不低于1500萬元。隨后公司進(jìn)一步補(bǔ)充增持計(jì)劃，即蔡華波計(jì)劃增持不低于700萬元，王景陽增持不低于500萬元，朱宇增持不低于不低于300萬元。

LED芯片龍頭三安光電大股東已經(jīng)完成增持。9月19日晚間公告，公司間接控股股東三安集團(tuán)完成增持股份計(jì)劃，累計(jì)斥資近1億元增持股份比例至5.0081%。增持完成后，控股股東三安集團(tuán)以及一致行動(dòng)人累計(jì)持股比例升至29.338%。

龍芯中科作為國產(chǎn)通用CPU龍頭，截至2023年9月30日，公司通過集中競(jìng)價(jià)交易回購公司股份157,974股，占公司總股本0.04%，回購成交的最高價(jià)為87.99元/股，最低價(jià)為86.24元/股，支付的資金總額為1374.65萬元。不過，近期公司披露鼎暉華蘊(yùn)及其一致行動(dòng)人鼎暉祁賢合計(jì)減持約417萬股，截至10月12日上述股東持股比例由6.35%變動(dòng)至5.31%。

作為A股晶圓代工巨頭之一，華虹公司也在今年8月底推出了增持計(jì)劃，公司執(zhí)行董事兼總裁唐均君等高管，計(jì)劃后續(xù)6個(gè)月內(nèi)通過集中競(jìng)價(jià)方式增持公司股份，合計(jì)增持金額不低于225萬元且不超過450萬元。

同時(shí)，華虹公司間接控股股東上海華虹（集團(tuán)）也計(jì)劃6個(gè)月內(nèi)增持公司股份，合計(jì)增持金額不低于5000萬元且不超過1億元。

【美計(jì)劃進(jìn)一步收緊對(duì)華芯片出口措施，阿斯麥CEO：實(shí)際會(huì)削弱西方自己】

美國彭博社15日援引知情人士的消息稱，在限制對(duì)華出口先進(jìn)芯片一年后，美國計(jì)劃進(jìn)一步收緊相關(guān)措施，以阻止中國獲得可能有助于其軍事發(fā)展的尖端技術(shù)，新規(guī)可能會(huì)在本周發(fā)布。中國外交部發(fā)言人毛寧16日在例行記者會(huì)上強(qiáng)調(diào)，美方應(yīng)當(dāng)停止將經(jīng)貿(mào)科技問題政治化、工具化、武器化，停止擾亂全球產(chǎn)供鏈穩(wěn)定。中方將密切關(guān)注有關(guān)動(dòng)向，堅(jiān)決維護(hù)自身權(quán)益。

彭博社援引知情人士的消息稱，相關(guān)措施旨在彌補(bǔ)去年10月限制措施的漏洞，拜登政府將尋求加強(qiáng)對(duì)向中國公司出售用于人工智能（AI）的圖形芯片和先進(jìn)芯片制造設(shè)備的控制。此外，白宮還將對(duì)試圖通過其他國家運(yùn)輸以規(guī)避出口限制的中國企業(yè)實(shí)施額外檢查，并將中國芯片設(shè)計(jì)公司列入貿(mào)易限制名單，要求美國海外的芯片制造商必須獲得華盛頓的許可證才能為這些公司供貨。

路透社披露的消息則顯示，新限制措施將阻止一些恰好滿足當(dāng)前技術(shù)參數(shù)限制的AI芯片的對(duì)華出口。報(bào)道稱，在美國去年發(fā)布對(duì)華芯片出口限制后，英偉達(dá)公司就針對(duì)中國市場(chǎng)推出了H800芯片，以代替被禁售的H100型號(hào)AI芯片。而H800被普遍認(rèn)為是華盛頓希望阻止對(duì)華出口的對(duì)象之一。路透社稱，美國還計(jì)劃取消用于限制AI芯片出口的“帶寬參數(shù)”，用其他標(biāo)準(zhǔn)取而代之，以擴(kuò)大限制范圍。

彭博社稱，近期，中國華為公司發(fā)布了新款智能手機(jī)，其搭載芯片所展現(xiàn)的制造能力“遠(yuǎn)遠(yuǎn)超出美國試圖阻止其進(jìn)步的范圍……這一成就讓華盛頓打壓北京的能力遭到懷疑，并引發(fā)拜登政府對(duì)華為及其合作伙伴實(shí)施更多制裁的政治壓力”。

此外，拜登政府對(duì)中國持續(xù)不斷的打壓也遭到業(yè)界反對(duì)。彭博社稱，英偉達(dá)、高通和英特爾這三大美國本土芯片巨頭的首席執(zhí)行官一直在警告美國政府不要對(duì)華采取高壓手段。在減少中國獲得高尖端技術(shù)的同時(shí)，他們擔(dān)心對(duì)向中國出口非尖端芯片的新限制將剝奪他們的大量收入來源。美國商會(huì)估計(jì)，如果出現(xiàn)最糟糕的情況，即對(duì)中國的銷售完全停止，美國芯片公司每年可能會(huì)損失830億美元、12.4萬個(gè)工作崗位，相關(guān)研發(fā)支出每年將減少120億美元。

香港半導(dǎo)體行業(yè)分析師林子恒16日對(duì)《環(huán)球時(shí)報(bào)》記者分析稱，拜登政府在芯片領(lǐng)域的限制行動(dòng)意圖明顯，就是想“扼殺”中國芯片產(chǎn)業(yè)，削弱中國在未來全球高科技領(lǐng)域競(jìng)爭(zhēng)中的實(shí)力，并維護(hù)自身的科技霸權(quán)。林子恒認(rèn)為，媒體報(bào)道的新限制措施更有針對(duì)性，可能會(huì)為中國芯片行業(yè)以及人工智能行業(yè)的發(fā)展帶來新挑戰(zhàn)，但也會(huì)激發(fā)出中國科研機(jī)構(gòu)和企業(yè)的攻關(guān)動(dòng)力。

荷蘭***制造商阿斯麥CEO溫寧克近期接受外媒采訪時(shí)表示，試圖通過禁止技術(shù)移民和出口管制等方式孤立中國，實(shí)際上會(huì)削弱西方自己。“中國有14億人，其中很多人都很聰明。他們會(huì)提出我們還沒想到的解決方案。你在迫使他們變得非常善于創(chuàng)新。”《紐約時(shí)報(bào)》報(bào)道稱，近幾個(gè)月，美國芯片公司一直在發(fā)出警告，美國（的限制）可能加快中國發(fā)展獨(dú)立自主的芯片產(chǎn)業(yè)，從而為中國制造的芯片主導(dǎo)世界鋪平道路。

在彭博社看來，美國芯片企業(yè)幾個(gè)月來的呼吁，多少得到了白宮的回應(yīng)。根據(jù)新規(guī)定，除最強(qiáng)大的消費(fèi)級(jí)圖形芯片之外，美國企業(yè)將被允許向中國出口所有其他產(chǎn)品。此外，美國官員稱，更新后的規(guī)定將不包括限制中國企業(yè)使用美國或其盟友的云計(jì)算服務(wù)。美國政府將發(fā)布意見征詢，以更好地了解與此相關(guān)的可能的國家安全風(fēng)險(xiǎn)以及潛在的解決方案。美國還延長(zhǎng)了對(duì)韓國三星電子、SK海力士等企業(yè)的豁免，從而讓它們可以繼續(xù)向自己在中國（大陸）的工廠供應(yīng)含有美國技術(shù)的半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備。

【消息稱三星西安半導(dǎo)體工廠開啟工藝升級(jí)，正采購新設(shè)備備產(chǎn) 236 層 NAND】

10 月 16 日消息，上周一，三星電子和 SK 海力士等韓國公司獲得美國政府無限期豁免，其中國工廠無需特別許可即可進(jìn)口美國芯片設(shè)備。

對(duì)于三星來說這無疑是一個(gè)好消息，而且他們?cè)谌〉没砻夂笠泊_實(shí)在采取相應(yīng)措施。據(jù) Business Korea 報(bào)道，三星電子高層已決定將其西安 NAND 閃存工廠升級(jí)到 236 層 NAND 工藝，并已開始大規(guī)模擴(kuò)張。

消息人士稱，三星已開始采購最新的半導(dǎo)體設(shè)備，新設(shè)備預(yù)計(jì)將在 2023 年底交付，并于 2024 年在西安工廠陸續(xù)引進(jìn)可生產(chǎn)第 8 代 NAND 的設(shè)備，這也被業(yè)界視為克服全球 NAND 需求疲軟導(dǎo)致產(chǎn)能下降的戰(zhàn)略步驟。

公開資料顯示，三星（中國）半導(dǎo)體有限公司 2012 年落戶西安高新區(qū)，而三星半導(dǎo)體西安工廠是該公司唯一的海外存儲(chǔ)器半導(dǎo)體生產(chǎn)基地。

該工廠于 2020 年增設(shè)了第二期工廠項(xiàng)目，目前已發(fā)展成為全球最大的 NAND 制造基地，每月可生產(chǎn) 20 萬片 12 英寸晶圓，這占據(jù)了三星 NAND 總產(chǎn)量的 40% 以上。

三星西安工廠第一工廠投資 108.7 億美元，2017 年開始建造的第二工廠，先后投資了 150 億美元（當(dāng)前約 1096.5 億元人民幣）。

外媒認(rèn)為，三星決定升級(jí)其西安工廠的原因有兩個(gè)。其一主要在全球 NAND 市場(chǎng)環(huán)境沒有表現(xiàn)出明顯的復(fù)蘇跡象，而在這種情況下三星需要保持其在 NAND 市場(chǎng)的全球領(lǐng)導(dǎo)地位；另一個(gè)原因就是美國剛剛發(fā)布的無限期豁免。

由于產(chǎn)能嚴(yán)重過剩，再加上去年年底以來全球 IT 市場(chǎng)需求嚴(yán)重低迷，半導(dǎo)體市場(chǎng)疲軟嚴(yán)重影響了三星的 NAND 業(yè)務(wù)，導(dǎo)致庫存水位一直增加，進(jìn)而導(dǎo)致虧損不斷擴(kuò)大。即使在通過減產(chǎn)政策略降低產(chǎn)量后略有改善，但目前三星依然需要盡快實(shí)現(xiàn)工藝升級(jí)。

通過升級(jí)最新的第 8 代 NAND 產(chǎn)品，三星不僅可以確保價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)力，而且考慮到第 8 代 NAND 相比第 6 代晶圓投入減少約 30%，更能平衡市場(chǎng)供應(yīng)和需求。

據(jù)稱，作為第 6 代（128 層）V-NAND 主要生產(chǎn)基地，西安工廠自三星 4 月份宣布減產(chǎn)以來，其開工率也出現(xiàn)了大幅下降，目前整體開工率已降至 20% 左右。

外媒認(rèn)為，美國雖然暫時(shí)放寬了對(duì)中國半導(dǎo)體設(shè)備的限制，但這對(duì)于三星和 SK 海力士來說僅僅只是一個(gè)暫時(shí)的喘息機(jī)會(huì)。

審核編輯 黃宇