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類比電源講堂4-如何繪制MOSFET SOA曲線

大大通 ? 2023-10-16 18:22 ? 次閱讀

我們這堂課來講講電源結(jié)構(gòu)最重要的其中一個元件—功率開關(guān)元件。

大功率的開關(guān)元件例如BJT、IGBTMOSFET等,都有所謂的SOA(Safe Operating Area安全操作區(qū)域)、是用來評估大功率的開關(guān)元件操作是否安全可靠的判斷機(jī)制,甚至當(dāng)大功率的開關(guān)元件發(fā)生損壞時,也是透過SOA的計(jì)算結(jié)果來加以確認(rèn)。

我們這邊用最常用的 MOSFET 來舉例說明:

SOA(安全操作區(qū)域)

SOA是由5條limit線所圍起來的一個區(qū)域,在任何測試條件下都必須讓MOSFET操作在SOA的范圍之內(nèi),才能確保MOSFET在操作上是安全可靠的。

而這5條limit線分別為Rds-on、pulse電流maximum功率、熱穩(wěn)定與breakdown電壓

wKgaomUvQeWADkATAAUMaW0LAQE395.png

Rds-on limit線

SOA橫軸是Vds,縱軸是Ids,依據(jù)歐姆定律(V = I x R),斜率為Rds-on。

Rds-on為正溫度系數(shù),當(dāng)溫度低時,Rds-on電阻值也會比較低,在相同電壓下,就會得到較大的電流,而當(dāng)溫度高時,Rds-on電阻值也會比較高,在相同電壓下,就會得到較小的電流,因此Rds-on limit線是浮動的。而一般data sheet內(nèi)SOA的Rds-on limit線是建立在Tj=150℃下所繪制出來的曲線。

以SPP20N60C3為例

wKgZomUvQeWAcvuGAAL8j6NjTkY532.png

先設(shè)定二個Vds電壓點(diǎn),假設(shè)分別為2V與10V,再透過Rds-on對應(yīng)Tj的曲線,得出Rds-on值,代入算式即可計(jì)算出此時之Id電流,描繪出Rds-on limit線

Pulse current limit線

高壓MOSFET的peak pulse電流是來自silicon的限制,而低壓MOSFET的peak pulse電流是來自包裝的限制。pulse電流是一個計(jì)算值(已標(biāo)示在data sheet內(nèi))

以SPP20N60C3為例

wKgZomUvQeWASnpdAAODKguRVXk370.png

透過上述算式得出Id,pulse電流值,即可描繪出Pulse current limit線

Maximum power limit線

Maximum power是建立在一個前提下的條件,功率的消耗會相等于功率的產(chǎn)生,

Tj = Tc + Δt,而Δt = VDS x ID x Zthjc,SOA在maximum power是電壓與電流乘積產(chǎn)生的功率,功率再乘以熱阻值就會產(chǎn)生溫升。

以SPP20N60C3為例

wKgaomUvQeWAZy8kAAQ5WurGf7s279.pngwKgaomUvQeWAH5iLAATGQ-0dN1Q474.png

透過Zthjc與tp的曲線,對照出不同時間下的Zthjc,再透過算式先求出當(dāng)Tc=25℃時所能提供的功率PD,再分別取二個Vds的電壓點(diǎn)來計(jì)算出電流,即可描繪出Maximum power limit線。

Thermal stability limit線

依據(jù)熱穩(wěn)定度實(shí)驗(yàn)結(jié)果來修正SOA曲線

wKgaomUvQeWAcGx7AAPS9rgThdE498.png

Breakdown voltage limit線

Breakdown voltage則是與溫度相關(guān),它是正溫度系數(shù),SOA的Breakdown voltage limit線是建立在Tj=25℃下所繪制出來的曲線。

以SPP20N60C3為例

wKgZomUvQeWAEI3kAAKfCMmOZBw913.png

依照魚干我的經(jīng)驗(yàn):腳越少的半導(dǎo)體元件處理起來比很多腳的IC更復(fù)雜,因?yàn)?a href="http://www.1cnz.cn/tags/pi/" target="_blank">pin 少所以要分析得更細(xì)更精辟…@@||

SOA的分析有利于在設(shè)計(jì)初期就先驗(yàn)證理論上是否可行? 理論上可行再套用在實(shí)際硬件上。

萬一不幸在硬件測試階段發(fā)生”事故”時,我們也可以從”幸存”的樣機(jī)上去量測波形、并套用SOA的分析去找出問題的原因及改善對策……

<小貼士>

本堂只是淺談MOSFET 的SOA 分析,其實(shí)MOSFET 還有傳導(dǎo)損失(Conduction loss) 及開關(guān)損失(Switching loss)需要再去計(jì)算與分析,這些會影響SOA的細(xì)節(jié)請待我們到”中”學(xué)堂的部分再深入探討唄^_^

~本篇完

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