sic功率半導(dǎo)體上市公司
sic功率半導(dǎo)體上市公司有三安光電、露笑科技、楚江新材、天通股份、東尼電子、華潤(rùn)微、揚(yáng)杰科技、捷捷微電、華微電子、斯達(dá)半導(dǎo)、聞泰科技等公司，注意以上信息僅供參考，如果想了解更多公司，建議查詢(xún)相關(guān)網(wǎng)站。
sic功率半導(dǎo)體技術(shù)如何實(shí)現(xiàn)成果轉(zhuǎn)化
SIC功率半導(dǎo)體技術(shù)的成果轉(zhuǎn)化可以通過(guò)以下途徑實(shí)現(xiàn)：
與現(xiàn)有產(chǎn)業(yè)合作：尋找現(xiàn)有的使用SIC功率半導(dǎo)體技術(shù)的企業(yè)，與他們合作，共同研究開(kāi)發(fā)新產(chǎn)品，將技術(shù)轉(zhuǎn)化為商業(yè)化的產(chǎn)品。
研究與開(kāi)發(fā)：加大對(duì)SIC功率半導(dǎo)體技術(shù)的研究與開(kāi)發(fā)力度，不斷優(yōu)化技術(shù)性能，完善技術(shù)應(yīng)用，提高技術(shù)轉(zhuǎn)化成功率。
審核編輯：彭菁
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題，請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
半導(dǎo)體
+關(guān)注
關(guān)注
335文章
28650瀏覽量
233092 -
SiC
+關(guān)注
關(guān)注
31文章
3168瀏覽量
64517 -
功率半導(dǎo)體
+關(guān)注
關(guān)注
23文章
1286瀏覽量
43876
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦
熱泵與空調(diào)全面跨入SiC碳化硅功率半導(dǎo)體時(shí)代：能效革命與產(chǎn)業(yè)升級(jí)
熱泵與空調(diào)全面跨入SiC碳化硅功率半導(dǎo)體時(shí)代：能效革命與產(chǎn)業(yè)升級(jí) 在“雙碳”目標(biāo)的驅(qū)動(dòng)下，商用空調(diào)和熱泵行業(yè)正經(jīng)歷一場(chǎng)靜默卻深刻的技術(shù)革命。碳化硅（
國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)引領(lǐng)全球市場(chǎng)格局重構(gòu)
SiC碳化硅MOSFET國(guó)產(chǎn)化替代浪潮：國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)引領(lǐng)全球市場(chǎng)格局重構(gòu) 1 國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅
東升西降：從Wolfspeed危機(jī)看全球SiC碳化硅功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈重構(gòu)
的此消彼長(zhǎng)。這一現(xiàn)象不僅是企業(yè)個(gè)體的興衰，更是技術(shù)迭代、政策支持、市場(chǎng)需求與資本流向共同作用的結(jié)果。以下從多個(gè)維度解析這一“東升西降”的產(chǎn)業(yè)格局演變。 Wolfspeed的危機(jī)標(biāo)志著歐美SiC碳化硅功率
全球功率半導(dǎo)體變革：SiC碳化硅功率器件中國(guó)龍崛起
功率器件變革中SiC碳化硅中國(guó)龍的崛起：從技術(shù)受制到全球引領(lǐng)的歷程與未來(lái)趨勢(shì) 當(dāng)前功率器件正在經(jīng)歷從傳統(tǒng)的硅基功率器件持續(xù)躍升到
華大半導(dǎo)體與湖南大學(xué)成功舉辦SiC功率半導(dǎo)體技術(shù)研討會(huì)
近日，華大半導(dǎo)體與湖南大學(xué)在上海舉辦SiC功率半導(dǎo)體技術(shù)研討會(huì)，共同探討SiC
從國(guó)產(chǎn)SiC器件質(zhì)量問(wèn)題頻發(fā)的亂象看碳化硅功率半導(dǎo)體行業(yè)洗牌
可持續(xù)發(fā)展必須以器件質(zhì)量為生命線，國(guó)產(chǎn)碳化硅（SiC）行業(yè)的器件質(zhì)量之所以成為生命線，核心在于其直接決定了產(chǎn)品的長(zhǎng)期可靠性和市場(chǎng)信任度。以下從技術(shù)、行業(yè)現(xiàn)象及后果三個(gè)層面進(jìn)行深度剖析： 1. 器件質(zhì)量是國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅
使用 SiC 功率半導(dǎo)體提升高性能開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換器的效率
。 下面我們以 [Microchip Technology] 的 SiC 器件為例，從 SiC 技術(shù)的基本優(yōu)勢(shì)入手，為您打消這些顧慮。隨后，我們將探討 SiC
功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)（十二）——功率半導(dǎo)體器件的PCB設(shè)計(jì)
/前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率
功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)（十一）——功率半導(dǎo)體器件的功率端子
/前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率
功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)（十）——功率半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)函數(shù)
樣品活動(dòng)進(jìn)行中，掃碼了解詳情/前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握
功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)（一）——功率半導(dǎo)體的熱阻
功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率
芯動(dòng)半導(dǎo)體與羅姆簽署SiC車(chē)載功率模塊合作協(xié)議
近日，長(zhǎng)城汽車(chē)旗下的無(wú)錫芯動(dòng)半導(dǎo)體科技有限公司（簡(jiǎn)稱(chēng)“芯動(dòng)半導(dǎo)體”）與全球知名半導(dǎo)體廠商羅姆簽署了戰(zhàn)略合作協(xié)議。雙方將以SiC為核心，共同開(kāi)
日本加速SiC供應(yīng)鏈布局，強(qiáng)化功率半導(dǎo)體競(jìng)爭(zhēng)力
在電動(dòng)車(chē)等領(lǐng)域至關(guān)重要的功率半導(dǎo)體市場(chǎng)中，日本廠商雖占據(jù)全球前十大席位中的四席，但在基于第三代半導(dǎo)體材料碳化硅（SiC）的關(guān)鍵領(lǐng)域卻面臨挑戰(zhàn)。據(jù)日媒報(bào)道，日本在
功率半導(dǎo)體和寬禁半導(dǎo)體的區(qū)別
功率半導(dǎo)體和寬禁半導(dǎo)體是兩種不同類(lèi)型的半導(dǎo)體材料，它們?cè)陔娮悠骷械膽?yīng)用有著很大的不同。以下是它們之間的一些主要區(qū)別： 材料類(lèi)型：功率
TMC2024丨車(chē)規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體論壇劇透一丨SiC模塊特色封裝與半導(dǎo)體制造技術(shù)創(chuàng)新
聚焦車(chē)規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體與應(yīng)用技術(shù)創(chuàng)新及發(fā)展趨勢(shì) 21+創(chuàng)新技術(shù)與戰(zhàn)略報(bào)告 15+車(chē)規(guī)級(jí)SiC相關(guān)企業(yè)產(chǎn)品展示 1場(chǎng)高層閉門(mén)會(huì) ?
發(fā)表于 06-18 15:26
?4275次閱讀
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論