發(fā)光二極管,簡(jiǎn)稱為LED,是一種常用的發(fā)光器件,通過電子與空穴復(fù)合釋放能量發(fā)光。LED光源具有體積小、壽命長(zhǎng)、效率高等優(yōu)點(diǎn),在社會(huì)生活的方方面面有著廣泛的應(yīng)用前景,如照明、平板顯示、醫(yī)療器件等諸多領(lǐng)域已采用LED光源提升設(shè)備效能。
隨著電源管理技術(shù)和功率器件工藝技術(shù)的不斷發(fā)展進(jìn)步,越來越多的新型半導(dǎo)體器件也逐漸被應(yīng)用到LED光源產(chǎn)品上,比如許多LED電源廠商已開始用超結(jié)(SJ) MOSFET去替代VDMOS,在達(dá)到高效率的同時(shí),更節(jié)省了電源空間和生產(chǎn)成本。
超結(jié)(SJ) MOSFET作為一種高性能的半導(dǎo)體器件,在大功率電子照明領(lǐng)域應(yīng)用廣泛,尤其是在LED、熒光燈、高壓鈉燈等領(lǐng)域,超結(jié)(SJ)MOSFET已經(jīng)成為重要的解決方案。
安森德半導(dǎo)體自主研發(fā)的先進(jìn)多層外延高壓超結(jié)(SJ)MOSFET,具有電流密度高、短路能力強(qiáng)、開關(guān)速度快、易用性好等特點(diǎn),可廣泛應(yīng)用于各種LED驅(qū)動(dòng)電源、電動(dòng)工具驅(qū)動(dòng)電源、家電電源等產(chǎn)品中。安森德半導(dǎo)體,為未來的照明技術(shù)的發(fā)展賦能,讓人們的生活更加美好、舒適、節(jié)能。
01安森德超結(jié) (SJ) MOSFET優(yōu)勢(shì)
效率高
較高的輕載、滿載效率,超低的導(dǎo)通內(nèi)阻、Qg,有效的降低導(dǎo)通、開關(guān)損耗。
低溫升
較低的功耗,有效的降低電源整體的工作溫度,延長(zhǎng)電源的使用壽命。
穩(wěn)定性強(qiáng)
強(qiáng)大的EAS 能力可以為電源抗沖擊提供有效的保證,芯片的內(nèi)部缺陷遠(yuǎn)小于低成本的溝槽工藝產(chǎn)品,其高溫穩(wěn)定性大大提高。
內(nèi)阻低
超結(jié)(SJ)MOS具有極低的內(nèi)阻,在相同的芯片面積下,超結(jié)(SJ)MOS芯片的內(nèi)阻甚至只有傳統(tǒng)MOS的一半以上。
體積小
在同等電壓和電流要求下,超結(jié)(SJ)MOS的芯片面積能做到比傳統(tǒng)MOS更小,可以封裝更小尺寸的產(chǎn)品。
02應(yīng)用拓?fù)鋱D
03行業(yè)市場(chǎng)應(yīng)用
應(yīng)用于LED燈、LED顯示屏等領(lǐng)域
04安森德ASDsemi產(chǎn)品選型推薦
審核編輯:湯梓紅
-
MOSFET
+關(guān)注
關(guān)注
147文章
7572瀏覽量
215474 -
MOS管
+關(guān)注
關(guān)注
108文章
2473瀏覽量
68292 -
發(fā)光二極管
+關(guān)注
關(guān)注
13文章
1210瀏覽量
66708 -
LED光源
+關(guān)注
關(guān)注
3文章
258瀏覽量
32810
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
國(guó)產(chǎn)碳化硅MOSFET全面開啟對(duì)超結(jié)MOSFET的替代浪潮

超結(jié)MOSFET升級(jí)至650V碳化硅MOSFET的根本驅(qū)動(dòng)力分析

橋式電路中碳化硅MOSFET替換超結(jié)MOSFET技術(shù)注意事項(xiàng)

6.6 KW雙向OBC碳化硅MOSFET替代超結(jié)的仿真計(jì)算

40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET,替代30mR 超結(jié)MOSFET或者20-30mR的GaN!
超結(jié)MOSFET體二極管性能優(yōu)化
評(píng)估超結(jié)功率 MOSFET 的性能和效率

英飛凌推出600V CoolMOS 8 SJ MOSFET系列
瑞能半導(dǎo)體G2超結(jié)MOSFET在軟硬開關(guān)中的應(yīng)用

突破碳化硅(SiC)和超結(jié)電力技術(shù)的極限


碳化硅MOS、超結(jié)MOS與IGBT性能比較

評(píng)論