一、

在工業(yè)應(yīng)用中經(jīng)常使用EEPROM來存儲數(shù)據(jù)，為降低成本、節(jié)省PCB空間，外部EEPROM可以用片內(nèi)Flash加上特定的軟件算法代替。

因為片內(nèi)Flash的擦寫次數(shù)有限，所以要加上特定算法來增加使用壽命。此算法ST提供了歷程，我們可以移植到我們的程序里直接使用，比較方便。

二、源碼移植

移植很簡單，一共兩個文件“eeprom.c"，"eeprom.h"，移植前需要準(zhǔn)備選擇至少2塊連續(xù)大小相同的flash扇區(qū)，示例程序中選用的是16K大小的2、3扇區(qū)?，F(xiàn)在打開“eeprom.h”文件。移植時需要修改的內(nèi)容：

好了移植完成，注意此源碼是基于HAL庫的，也可以自己修改flash讀寫程序，之前我將這個移植到GD的芯片，這個還是很方便的。

三、使用方法

在“eeprom.h”文件中的最下方可以看到對外的功能函數(shù)

我們首先需要將EE_Init()函數(shù)在主函數(shù)中調(diào)用初始化。剩下兩個EE_ReadVariable( uint16_t VirtAddress, uint16_t* Data )和EE_WriteVariable( uint16_t VirtAddress, uint16_t Data )函數(shù)是我們將用到的FLASH讀寫函數(shù)。

這里需要注意這兩個函數(shù)都有一個輸入參數(shù)，這是一個虛擬地址，也就是一個將來尋找我們存儲內(nèi)容的地址。

例如，示例程序中，要存儲3個變量值，分別給這3個變量一個虛擬地址，0x5555, 0x6666, 0x7777 當(dāng)然你也可以不用這個三個值作為虛擬地址。

將VarValue值分配虛擬地址為0x5555后通過EE_WriteVariable函數(shù)寫入flash，然后根據(jù)0x5555這個地址使用EE_ReadVariable函數(shù)將剛剛存儲的值讀到VarDataTab數(shù)組里。如下圖。

使用起來同樣簡單。