2023年10月27日，瀾起科技宣布在業(yè)界率先試產(chǎn)DDR5第三子代寄存時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器芯片M88DR5RCD03，該芯片應(yīng)用于DDR5 RDIMM內(nèi)存模組，旨在進(jìn)一步提升內(nèi)存數(shù)據(jù)訪問的速度及穩(wěn)定性，滿足新一代服務(wù)器平臺對容量、帶寬、訪問延遲等內(nèi)存性能的更高要求。

作為國際領(lǐng)先的內(nèi)存接口芯片供應(yīng)商，瀾起科技在DDR5內(nèi)存接口技術(shù)上持續(xù)精進(jìn)，不斷推進(jìn)產(chǎn)品升級迭代。公司新推出的DDR5 RCD03芯片支持高達(dá)6400 MT/s的數(shù)據(jù)速率，相較第二子代提升14.3%，相較第一子代提升33.3%。

與DDR4世代的RCD產(chǎn)品相比，該款芯片采用雙通道架構(gòu)，支持更高的存儲效率和更低的訪問延時(shí)；采用1.1V VDD和1.0V VDDIO電壓及多種節(jié)電模式，功耗顯著降低；支持更高密度的DRAM，單模組最大容量可達(dá)256GB。

瀾起科技總裁Stephen Tai先生表示：

“我們很榮幸在DDR5 RCD03芯片的研發(fā)和試產(chǎn)上均保持行業(yè)領(lǐng)先。瀾起將繼續(xù)與國際主流CPU和DRAM廠商緊密合作，助力DDR5服務(wù)器大規(guī)模商用。”

英特爾內(nèi)存與IO技術(shù)副總裁Dimitrios Ziakas博士表示：

“英特爾一直處于DDR5內(nèi)存技術(shù)和生態(tài)系統(tǒng)發(fā)展的前沿，支持可靠和可擴(kuò)展的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。我們很高興看到瀾起科技在DDR5最新一代的內(nèi)存接口芯片上取得了新進(jìn)展，該芯片可與英特爾下一代E核和P核至強(qiáng)CPU配合使用，助力CPU釋放強(qiáng)勁性能。”

三星電子存儲器產(chǎn)品企劃團(tuán)隊(duì)執(zhí)行副總裁Yongcheol Bae先生表示：

“三星一直致力于最新一代內(nèi)存產(chǎn)品的研發(fā)和應(yīng)用，以滿足數(shù)據(jù)密集型應(yīng)用對內(nèi)存容量和帶寬迅猛增長的需求。我們期待與瀾起繼續(xù)保持穩(wěn)定的合作，不斷完善DDR5內(nèi)存產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)，推進(jìn)產(chǎn)品迭代和創(chuàng)新。”

除了RCD芯片以外，瀾起科技還提供DDR5數(shù)據(jù)緩沖器（DB）、串行檢測集線器(SPD Hub)、溫度傳感器(TS)、電源管理芯片(PMIC)等內(nèi)存接口及模組配套芯片。這些芯片也是DDR5內(nèi)存模組的重要組件，可配合RCD芯片為DDR5內(nèi)存模組提供多種必不可少的功能和特性。

審核編輯：劉清