01

前言

嵌入式軟件中經(jīng)常要存儲(chǔ)一些非易失參數(shù)，例如用戶(hù)設(shè)置、校準(zhǔn)參數(shù)、設(shè)備運(yùn)行參數(shù)等，通常情況下我們都會(huì)選擇存儲(chǔ)在EEPROM或者SPI-FLASH中。在削減成本考量的情況下，我們可以把存儲(chǔ)器省下來(lái)，參數(shù)存儲(chǔ)在內(nèi)部flash中，畢竟就算每片減少一塊錢(qián)，量大后還是非常可觀的。

02

選擇參數(shù)存儲(chǔ)位置

stm32的flash地址起始于0x08000000，結(jié)束地址是0x08000000加上芯片實(shí)際的flash大小，不同的芯片flash大小不同。我們可以在KEIL項(xiàng)目工程的Target也看到ROM的起始地址和大小，前提是Device頁(yè)要選對(duì)正在使用的芯片規(guī)型號(hào)。

因?yàn)閟tm32擦除flash的時(shí)候是以扇區(qū)（sector）為單位的，我們存儲(chǔ)參數(shù)也是選擇以扇區(qū)為單位，從扇區(qū)頭開(kāi)始擦、讀、寫(xiě)，這樣邏輯簡(jiǎn)單。LD、MD型產(chǎn)品的扇區(qū)大小是1K，HD、CL型產(chǎn)品的扇區(qū)大小是2K。

一般將參數(shù)存儲(chǔ)在flash的尾部最后幾個(gè)扇區(qū)比較穩(wěn)妥，我們只要確保程序固件（編譯出的燒錄bin文件）的大小不進(jìn)入尾部的這幾個(gè)扇區(qū)就可以。

以stm32f103cbt6為例，flash起始地址為0x8000000，大小是0x20000。一個(gè)Sector的大小是1K。那么定義參數(shù)位置如下：

#define PARA_START_ADDR ((u32)0x0801fc00)
#define PARA_PAGE_SIZE  ((u16)0x400)

03

參數(shù)形式

將參數(shù)封裝成一個(gè)結(jié)構(gòu)體，方便讀存。注意flash存儲(chǔ)時(shí)會(huì)自動(dòng)做4字節(jié)對(duì)齊，所有盡量保證PARASAVED_T的大小是4的整數(shù)倍，避免存入讀取后數(shù)據(jù)錯(cuò)位的麻煩。

#define PARA_FLAG 0x1000 //參數(shù)標(biāo)記
typedef struct
{
  u8 para[64];
  u32 flag;
}PARASAVED_T;
PARASAVED_T para_t;

04

參數(shù)存取

讀參數(shù)，將flash內(nèi)的數(shù)據(jù)，讀入到para_t結(jié)構(gòu)體中

void ReadData(void)
{
  u32 address;
  u32 *pd;
  u16 i;


  address = PARA_START_ADDR;   
  pd = (u32 *)(&para_t);
  for(i=0; i< sizeof(para_t)/4; i++)
  {
    *pd = *((u32 *) address);
    address += 4;
    pd ++;
  }
}

寫(xiě)參數(shù)，將para_t的數(shù)據(jù)寫(xiě)入到flash中

void SaveData(void)
{
  u16 i;
  u8 writeTimes;
  u32 address;
  u8 isRight;
  u32 * pd;


  FLASH_Unlock();
  FLASH_ClearFlag(FLASH_FLAG_BSY | FLASH_FLAG_EOP | FLASH_FLAG_PGERR | FLASH_FLAG_WRPRTERR);


  writeTimes = MAX_FLASH_WRITE_TIMES;


  while(writeTimes--)
  {
    FLASH_ErasePage(PARA_START_ADDR);
    address = PARA_START_ADDR;   
    pd = (u32 *)(&para_t);
    for(i=0; i< sizeof(para_t)/4; i++)
    {
      FLASH_ProgramWord(address, *pd);
      address += 4;
      pd ++;
    }


    isRight = 1;
    address = PARA_START_ADDR;   
    pd = (u32 *)(&para_t);  
    for(i=0; i< sizeof(para_t)/4; i++)
    {
      if((*(__IO u32*) address) != *pd)
      {
        isRight = 0;
      }
      address += 4;
      pd ++;
    }
    if (isRight)
    {
      break;
    }
  }
}

05

讀寫(xiě)調(diào)用邏輯

開(kāi)機(jī)調(diào)用read函數(shù)，將參數(shù)讀取到全局變量para_t中，后面在整個(gè)生命周期中都操作para_t。當(dāng)para_t的內(nèi)容被改動(dòng)后，調(diào)用save函數(shù)，將改動(dòng)值保存。

結(jié)構(gòu)體中的flag的作用，是做為一個(gè)全部參數(shù)的存儲(chǔ)標(biāo)記，當(dāng)開(kāi)機(jī)讀到它是全ff時(shí)，就是參數(shù)全空的初始狀態(tài)，此時(shí)可以做初始化參數(shù)的操作，將一些默認(rèn)值寫(xiě)入到flash中。當(dāng)開(kāi)機(jī)讀到flag非全ff，但是與define PARA_FLAG不同時(shí)，就初始化參數(shù)或者參數(shù)中的一部分。這個(gè)作用是當(dāng)我們需要改變某些默認(rèn)參數(shù)值，并希望他在升級(jí)后生效時(shí)，可以修改define值，來(lái)觸發(fā)參數(shù)初始化。

06

優(yōu)勢(shì)與缺點(diǎn)

把參數(shù)存儲(chǔ)在內(nèi)部flash，好處是可以cost down，但是也要壞處，就是一旦全刷芯片的固件，所有的參數(shù)就會(huì)消失。但是一般的應(yīng)用場(chǎng)合，這參數(shù)消失后觸發(fā)參數(shù)初始化，也沒(méi)有什么大問(wèn)題。但是如果參數(shù)中存儲(chǔ)了一些非常困難才得到的校準(zhǔn)參數(shù)、運(yùn)行數(shù)據(jù)等，要慎用。