什么是TLP測(cè)試

我們比較熟悉的ESD模型和評(píng)估手段是人體模型HBM、機(jī)器模型MM、充電模型CDM，IEC模式等，這些靜電模型直接模擬了現(xiàn)實(shí)中的某種靜電形式。

TLP：Transmission Line Pulse，傳輸線脈沖與以上模型不同，并非模擬現(xiàn)實(shí)中的靜電形式，而是通過(guò)納秒級(jí)別方波脈沖，獲得I-V曲線的方式，雖然不能完全模擬現(xiàn)實(shí)情況，但是具有在記錄失效級(jí)別的同時(shí)也能獲得芯片具體表現(xiàn)的優(yōu)勢(shì)。

芯片的具體表現(xiàn)也就是阻抗特性=電壓/電流（I-V曲線），可通過(guò)持續(xù)增加電壓直到芯片損壞得到，因此常常在芯片研發(fā)階段使用，以獲得防護(hù)器件的關(guān)鍵性能參數(shù)，便于在生產(chǎn)制造過(guò)程中調(diào)整相關(guān)的設(shè)計(jì)，從根本上提高產(chǎn)品的ESD防護(hù)能力，保證良率。

TLP short pulse

如下圖所示,TLP 測(cè)試使用短脈沖的方波(比如100ns)且持續(xù)增加的形式進(jìn)行測(cè)試，占空比小，產(chǎn)生熱量少，最終得到Turn-on time，Snapback voltage，Performance changes with rise time（比如2ns,10ns等）TLP測(cè)試的脈寬一般為100ns或者30-500ns（超快TLP為1ns-10ns）, 上升時(shí)間一般0.2ns-10ns。不管是封裝好的芯片還是芯片晶圓都可以進(jìn)行TLP測(cè)試。

TLP如何工作

電源給左邊的cable 充電，充好電開啟TLP的開關(guān)，到DUT,從而產(chǎn)生電壓。Charger line cable 長(zhǎng)度決定脈沖的寬度，上升沿決定于TLP開關(guān)后面的低通濾波器。

TLP如何測(cè)量

分別使用電壓探頭和電流探頭測(cè)量DUT側(cè)電壓和電流，通過(guò)電壓/電流就可以得到阻抗等信息。