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最新SiC市場預測:2030年8英寸滲透率達5成;中國汽車OEM SiC 6成本土供應

Hobby觀察 ? 來源:電子發燒友網 ? 作者:梁浩斌 ? 2023-10-30 06:59 ? 次閱讀

電子發燒友網報道(文/梁浩斌)近日,著名咨詢公司麥肯錫發表了一份SiC市場的分析報告,其中電動汽車市場以及SiC市場的最新預測數據值得我們關注。

電動汽車以及SiC市場預測

麥肯錫從2018年到2022年之間的數據預測,到2030年電動汽車在全球輕型汽車市場中的份額將增長3.8倍,從大約1700萬輛增加至6400萬輛,市場份額從2022年的19%增長至2030年的67%。預計到2024年或2025年,多個國家的電動汽車總擁有成本將會與內燃機汽車持平,這樣的預期也推動了電動汽車市場的增長。

SiC在電動汽車中主要被應用于逆變器、DC-DC、OBC等核心部件上。相比以往的硅功率器件,SiC功率器件能夠提供更高的開關頻率、熱阻和擊穿電壓,從而有效提高電動汽車的工作效率并降低系統總成本。

因此,隨著電動汽車市場的增長,SiC也將迎來高增長階段。麥肯錫報告顯示,SiC器件市場在2022年的價值約為20億美元,預計到2023年將達到110億美元至140億美元,年均復合增長率預計達到26%。

麥肯錫預計,市場上70%的SiC需求將來自電動汽車,并認為中國是電動汽車需求最高的國家,將占到電動汽車SiC總需求的40%左右。

由于對耐壓以及效率的需求,目前800V平臺的電動汽車上SiC器件的使用比例較高。報告分析稱,到2030年,純電動汽車(BEV)預計會占新能源汽車產量的75%,而混合動力(HEV)和插電混動(PHEV)汽車將占其余的25%。另外,到2030年,800V平臺的滲透率將超過50%。

SiC行業趨勢:走向IDM,8英寸晶圓滲透率提高

目前SiC市場高度集中,SiC襯底和器件市場上的前兩家公司就壟斷了大約60%到65%的SiC市場份額。


其中,SiC市場的主要玩家采用IDM模式。根據麥肯錫的分析,SiC襯底和器件制造中采用IDM模式,能夠將產量提高5%至10%,利潤提高10%至15%。其中的原因包括更低的損耗率,同時還有在制造過程中的每個步驟中消除邊際堆疊。通過更好地控制設計,并與晶圓和器件制造之間的閉環反饋實現更快的產量提升,可以實現更高的良率。

從戰略上看,IDM廠商能夠為汽車OEM提供更穩定的供應,這在供應鏈中具備很大的優勢。包括意法半導體收購Norstel、安森美收購GT Advanced Technologies (GTAT)和羅姆收購SiCrystal,都展示出SiC廠商布局IDM的趨勢。

在SiC晶圓方面,麥肯錫預計從6英寸晶圓向8英寸晶圓的轉變將在2024年或2025年左右開始,到2030年8英寸SiC晶圓的市場滲透率將達到50%。一旦制造商成功克服了技術挑戰,8英寸晶圓將為他們帶來豐厚的利潤收益,同時減少邊緣損耗,提高生產效率,并能夠充分利用硅制造中的折舊資產。根據我們對垂直整合程度的不同估計,這種轉變所帶來的利潤增長幅度大約在5%至10%之間。

美國領先的制造商預計將于2024年和2025年開始批量生產8英寸晶圓,隨后這種生產將迅速增長。主要推動因素包括應對需求和價格壓力(特別是來自中等規模電動汽車制造商),以及通過轉向8英寸碳化硅晶圓制造實現的成本節約。

分析結果顯示,由于產量較低,與6英寸晶片相比,目前8英寸晶片襯底的單位價格仍相對較高。然而,隨著工藝產量的提升和新晶片技術的引入,領先制造商在未來十年內有望縮小這一差距。例如,麥肯錫發現相較于傳統的多線鋸晶片切割技術,激光切割技術有望將一個單晶毛坯生產的晶片數量提升一倍以上。此外,先進的晶片技術如氫分裂等也有望進一步提高產能。

中國本土供應商未出現行業領先者

目前在中國SiC市場上,80%的襯底/晶圓以及95%以上的器件來自海外供應商,不過由于考慮到地緣政治以及供應穩定,中國汽車OEM正在加速尋求本土供應商。鑒于可見的產能擴張和器件技術性能,預計到2030年,中國汽車OEM廠商將廣泛轉向本地供應商采購,從目前的約15%提高到約60%。

在整個碳化硅價值鏈中,從設備供應到晶圓和器件制造,再到系統集成,中國企業的崛起將推動中國向本地采購的轉變。中國的設備供應商已經覆蓋了所有主要的碳化硅制造步驟,并已宣布投資提升產能至2027年。不過,麥肯錫也認為,在中國的SiC行業中尚未出現明確的供應領導者。

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