10月，為期四天的第五屆全國寬禁帶半導(dǎo)體學(xué)術(shù)會議于蘇州召開。此次會議聚集了來自科研院所、高校與行業(yè)領(lǐng)域相關(guān)企業(yè)近700位專家、學(xué)者，一同探討寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展現(xiàn)狀和未來趨勢。

中微公司集團(tuán)副總裁 、MOCVD產(chǎn)品部總經(jīng)理郭世平博士攜MOCVD技術(shù)團(tuán)隊受邀出席了此次盛會。中微公司MOCVD高級工藝總監(jiān)胡建正博士在本次大會上作了題為《大尺寸藍(lán)光Mini/Micro-LED外延生長助力高端顯示應(yīng)用》的主題報告，引起在場嘉賓的廣泛關(guān)注。

胡建正博士談到，Mini/Micro-LEDs在高端顯示應(yīng)用領(lǐng)域具有高對比度、高動態(tài)范圍、輕薄以及低能耗等諸多優(yōu)點(diǎn)，近年來正受到越來越多的關(guān)注。然而，高昂的成本制約了Mini/Micro-LEDs技術(shù)的廣泛應(yīng)用。為此，中微公司開發(fā)了一種新的技術(shù)發(fā)展方向，即在大尺寸襯底上進(jìn)行外延生長，這種方法可以有效減少芯片的邊緣損失，提高良率，同時可以利用現(xiàn)有的集成電路制造產(chǎn)線進(jìn)行后段集成，有助于大幅降低成本。

中微公司開發(fā)的用于Mini-LED生產(chǎn)的MOCVD多片機(jī)設(shè)備Prismo UniMax, 采用了PVD AlN與低溫氮化鎵復(fù)合緩沖層，成功實現(xiàn)了高晶體質(zhì)量的GaN薄膜外延。同時，得益于Prismo UniMax設(shè)備創(chuàng)新的局部精細(xì)調(diào)溫能力以及外延工藝復(fù)合緩沖層的翹曲控制，我們在8x8''藍(lán)寶石襯底上實現(xiàn)了藍(lán)光LED片內(nèi)主波長均值464.8nm，片內(nèi)波長均勻性（1σ）達(dá)到1.31nm。此外，中微公司還在單機(jī)片機(jī)MOCVD設(shè)備上采用了8''硅襯底進(jìn)行LED生長。通過引入AlN/AlGaN緩沖層，并借助于機(jī)臺實時原位翹曲監(jiān)測系統(tǒng)，我們對MQW生長時的晶片應(yīng)力進(jìn)行了精準(zhǔn)調(diào)控，成功實現(xiàn)了高波長均勻性的8''硅基藍(lán)光LED，其片內(nèi)波長均勻性（1σ）低至0.98nm。同時，中微公司單機(jī)片機(jī)MOCVD設(shè)備通過獨(dú)特的腔體結(jié)構(gòu)設(shè)計與流場控制，使得8''硅基藍(lán)光LED的表面顆粒性能也得到了很好的控制，尺寸大于0.25um的顆粒密度僅有0.35顆/cm2。

基于中微公司Prismo系列MOCVD平臺，我們成功進(jìn)行了8''藍(lán)寶石襯底和硅襯底上的藍(lán)光LED生長，實現(xiàn)了優(yōu)良的GaN材料質(zhì)量、LED波長均勻性以及低的顆粒密度，為大尺寸外延Mini/Micro-LED的進(jìn)一步應(yīng)用夯實了基礎(chǔ)。

攀登勇者，志在巔峰。中微公司瞄準(zhǔn)世界科技前沿，緊跟行業(yè)發(fā)展趨勢，堅持“四個十大”的企業(yè)文化，持續(xù)推進(jìn)三維發(fā)展戰(zhàn)略，與產(chǎn)業(yè)鏈上下游企業(yè)緊密合作，加速科技創(chuàng)新，共同推動第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展。

審核編輯：彭菁