10月19日，韓國三星電子在德國慕尼黑舉辦了名為「三星代工論壇2023」的活動。在這個活動上，三星電子以霸氣十足的姿態公布了其芯片制造的先進工藝路線圖和代工戰略，宣稱將在未來3年內量產2納米制程的先進芯片，并計劃在未來5年內超過臺積電。論壇上，三星電子展示了一系列汽車行業定制解決方案，涵蓋了從先進的2納米工藝到傳統的8英寸工藝。

三星代工事業部總裁崔時榮表示：「目前我們正加大投入以準備工作，為客戶提供功率半導體、微電腦以及先進的自動駕駛人工智能芯片等多種解決方案。

三星強調，他們計劃在2026年實現車載2nm芯片的批量生產。同時，他們還公開了下一代存儲半導體技術——5nmeMRAM的開發計劃，將成為業界的首款產品。

據報道，三星計劃從2019年開始成為首家使用28納米工藝量產eMRAM的公司。他們計劃在2024年量產14納米車用eMRAM，隨后在2026年和2027年分別量產8納米和5納米車用eMRAM。

三星官方指出，8納米MRAM與14納米相比，預計集成度將提高30%，速度將提高33%。此外，三星還計劃將目前的130毫米車用BCD工藝提升至90納米，到2025年將會實現。相比于130納米，90納米的BCD工藝將使芯片面積減少20%。三星半導體和設備解決方案（DS）部門負責人慶桂顯（KyeHyunKyung）博士在公開場合表示，他們計劃在接下來的5年內超過臺積電和其他行業巨頭。