擴散電容CD

當給二極管加正向偏壓時，在 PN結兩側的少子擴散區內，都有一定的少數載流子的積累，而且它們的密度隨電壓而變化，形成一個附加的電容效應，稱為擴散電容。

當PN結加上正向電壓，內部電場區被削弱，因為濃度差異，P區空穴向N區擴散，N區的電子向P區擴散。

擴散的空穴和電子在內部電場區相遇，會有部分空穴和電子復合而消失，也有部分沒有消失。沒有復合的空穴和電子穿過內部電場區，空穴進入N區，電子進入P區。

進入N區的空穴，并不是立馬和N區的多子-電子復合消失，而是在一定的距離內，一部分繼續擴散，一部分與N區的電子復合消失。

顯然，N區中靠近內部電場區處的空穴濃度是最高的，距離N區越遠，濃度越低，因為空穴不斷復合消失。同理，P區也是一樣，濃度隨著遠離內部電場區而逐漸降低。總體濃度分布如下圖所示。

當外部電壓穩定不變的時候，最終P區中的電子，N區中的空穴濃度也是穩定的。

也就是說，P區中存儲了數量一定的電子，N區中存儲了數量一定的空穴。如果外部電壓不變，存儲的電子和空穴數量就不會發生變化，也就是說穩定存儲了一定的電荷。

但是，如果電壓發生變化，比如正向電壓降低，電流減小，單位時間內涌入N區中的空穴也會減小，這樣N區中空穴濃度必然會降低。同理，P區中電子濃度也降低。所以，穩定后，存儲的電子和空穴的數量相比之前會更少，也就是說存儲的電荷就變少了。

因此，這里的擴散電容是和加在二極管兩端的正向偏置電壓有關系的。