耗盡型MOSFET

在大多數反激式開關電源中，都是通過變壓器附加繞組給PWM控制 IC供電，在電路的啟動階段，附加繞組還沒有電壓輸出，因此需要單獨的電路給PWM控制IC進行啟動供電。

傳統的啟動電路多使用功率電阻直接給PWM控制IC供電，但是在電源系統啟動后，卻會持續不斷地消耗功率，從而大幅增加了系統功率損耗。

在不斷降低電源功耗的發展理念下，開關電源PWM控制 IC的啟動電路也在不斷優化。特別是在待機零功耗的要求下，將耗盡型MOSFET應用于開關電源的啟動電路，幾乎成了唯一的選擇。

使用耗盡型MOSFET構成啟動電路來給PWM控制IC供電，能夠有效降低系統功耗，特別是待機功耗。耗盡型MOSFTE為常閉器件，當柵-源電壓VGS= 0V時，器件的溝道處于自然開通狀態。將耗盡型MOSFET應用于啟動電路中，當PWM控制IC啟動后，由附加繞組對IC進行供電，此時再將耗盡型MOSFET關斷，之后PWM控制 IC啟動電路幾乎沒有功率損耗，因此能夠顯著降低系統功耗，尤其是待機功耗。

傳統電阻式啟動電路

如圖1所示，傳統的啟動電路由功率電阻構成。這種電阻式的啟動電路，由于電阻持續地消耗較大功率，大幅增加了系統功率損耗，在系統處于待機狀態時尤為突出。

圖1. 傳統電阻式啟動電路

耗盡型MOSFTE用于啟動電路

有源控制啟動電路

有源控制啟動電路示意圖如下：

圖2.耗盡型MOSFET有源控制啟動電路

很多PWM控制IC都有ASU（Active Start-Up）引腳，可用來控制耗盡型MOSFET DMZ6005E的關斷。

電路上電啟動時，通過耗盡型MOSFET DMZ6005E給PWM 控制IC供電。電流經DMZ6005E給C1充電，C1電壓持續升高，直至PWM IC開始工作。

電路啟動后，再由附加繞組給PWM 控制IC供電，此時通過ASU端口將DMZ6005E的柵極下拉至低電平，使DMZ6005E的柵-源電壓VGS大于其關斷電壓VGS(OFF) ，從而將DMZ6005E關斷，之后啟動電路無電流通過，不產生功率損耗。

通用PWM IC啟動電路

通用PWM IC啟動電路示意圖如下：

圖3. 耗盡型MOSFET的通用啟動電路

通用啟動電路適用于本身不具有ASU功能引腳的PWM控制IC的上電啟動。如圖3所示，耗盡型MOSFET DMZ6005E搭配低壓增強型MOSFET即可構成通用啟動電路。

開關電源啟動時，DMZ6005E處于導通狀態，電流經DMZ6005E給C1充電，C1電壓持續升高，直至PWM IC開始工作。開關電源啟動后，通過附加繞組給PWM控制IC供電，此時低壓增強型MOSFET的柵-源電壓VGS大于其開啟電壓VTH，增強型MOSFET導通，將DMZ6005E的柵極電壓下拉至低電位，使得DMZ6005E的柵-源電壓VGS大于其關斷電壓VGS(OFF) ，DMZ6005E切換至關斷狀態，啟動電路不再消耗功率。

ARK(方舟微)

ARK(方舟微)提供的DMZ6005E等高壓耗盡型MOSFET，是應用于PWM 控制IC啟動電路最理想的器件。DMZ6005E擊穿電壓BVDSS超過600V，可以在極寬的輸入電壓范圍內正常工作，并且器件采用SOT-23封裝，產品體積小，適于表面貼裝。

DMZ6005E規格書