ROHM Semiconductor宣布推出新的硅電容器BTD1RVFL系列。智能手機和可穿戴設備將逐步整合這些組件。硅半導體加工技術經過多年的改進，可以在更緊湊的封裝中實現更高的效率。

智能手機和其他功能不斷增長的設備需要支持高密度安裝的更小組件。與現有的多層陶瓷電容器 (MLCC) 相比，采用薄膜半導體技術的硅電容器可以以更薄的外形尺寸提供更高的電容。同時，穩(wěn)定的溫度特性和出色的可靠性正在加速它們在各種應用中的采用。預計到2030年，全球硅電容器市場將增長到3000億日元(約20億美元)，比2022年增長約1.5倍，ROHM利用半導體專有工藝開發(fā)了小型高性能硅電容器。

ROHM專有的RASMID小型化技術允許以1μm的增量進行加工，從而消除了外部成型過程中的剝落，并將尺寸公差提高到±10μm以內。產品尺寸的這種細微變化使得安裝時相鄰組件之間的間距更小。此外，用于基板粘接的背面電極已擴展到封裝的外圍，以提高安裝強度。

BTD1RVFL系列(BTD1RVFL102/BTD1RVFL471)包含業(yè)界最小的01005尺寸(0.1英寸×0.05英寸)/0402尺寸(0.4mm×0.2mm)量產表面貼裝硅電容器。與傳統的0201尺寸(0.2英寸×0.1英寸)/0603尺寸(0.6mm×0.3mm)元件相比，安裝面積減少了約55%，有助于實現應用的小型化。此外，集成的 TVS 保護元件可確保高 ESD 電阻，并減少浪涌對策和其他電路設計元件所需的工時。

2024年，ROHM計劃開發(fā)適用于高速、大容量通信設備的具有優(yōu)異高頻特性的第二個系列。此外，ROHM還致力于開發(fā)服務器等工業(yè)設備用產品，以提高其適用性。

審核編輯：彭菁