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國(guó)巨推出新款薄膜氮化鉭晶片電阻-NT系列

YAGEO國(guó)巨電子 ? 來(lái)源:YAGEO國(guó)巨電子 ? 2023-11-08 11:08 ? 次閱讀

全球被動(dòng)元件領(lǐng)導(dǎo)廠商-國(guó)巨集團(tuán),推出新款薄膜氮化鉭晶片電阻-NT系列。

NT系列產(chǎn)品具備抗?jié)瘛⒖沽颉⒏呔芏取⒏叻€(wěn)定表現(xiàn)的特性,外殼尺寸從0402到1206 ,電阻范圍為100Ω-481KΩ,具有±0.1%、±0.25%、±0.5%及±1 %的窄容差和±25、±50 ppm /°C的低溫度特性(TCR),額定功率值為1/20 W-2/5 W。

NT系列擁有自生成鈍化層,形成不透濕的介面使其包覆性的覆蓋電阻,因此水氣不易從外部滲入。多了鈍化層的保護(hù),使得NT系列能在嚴(yán)苛的環(huán)境始終保持電阻的高穩(wěn)定性,適用于醫(yī)療、航太、電信通訊、工業(yè)、測(cè)試和量測(cè)領(lǐng)域。

特色及可靠性測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)

符合AEC-Q200車用標(biāo)準(zhǔn)

優(yōu)異地抵抗含硫與高濕度環(huán)境

高精度和穩(wěn)定性

低溫度特性(TCR)及低電噪聲

高/低溫循環(huán)試驗(yàn): ΔR/R ±0.1%

抗硫化試驗(yàn)(105°C, 750小時(shí)硫化測(cè)試環(huán)境): ΔR/R ±2%

壽命/耐久度試驗(yàn)(70°C):ΔR/R ±0.1%

高溫高濕試驗(yàn) (85°C/85% RH): ΔR/R ±0.1%

審核編輯:彭菁

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原文標(biāo)題:國(guó)巨推出具備抗?jié)瘛⒖沽蛱匦缘牡g薄膜、高精度電阻 - NT系列

文章出處:【微信號(hào):YAGEO國(guó)巨電子,微信公眾號(hào):YAGEO國(guó)巨電子】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

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