應用電路如下

在上述電路中，無需使用其它DC-DC元件，僅使用一顆耗盡型MOSFET，即可將較高的電壓轉換為穩定的低電壓給LDO輸入端供電。LDO的輸入電壓Vin與輸出電壓VOUT的關系滿足：Vin=VOUT+|Vth|(Vth即DMD4523E在一定電流下的閾值電壓)。

該電路具有如下優點：

上述電路可直接應用于寬電壓范圍中(DMD4523E的最高工作電壓為450V，需考慮器件的功耗)。DMD4523E可以為LDO電路提供良好的瞬態浪涌防護。

MOSFET響應速度快，該電路結構簡單且成本低，由于MOSFET可以承擔輸入部分的高壓，因此僅需要選擇能滿足輸出電壓要求的低壓LDO即可。該電路應用范圍廣泛，可應用于MCU、通訊設備的電路中。

DMD4523E

DMD4523E系列產品在容性負載、儀表、通訊設備中用于過壓過流保護的應用。該電路通過選擇合適的穩壓二極管VD1,即可得到穩定的輸出電壓Vout。

該系列產品可工作在較高電壓下，能為負載回路提供過壓保護及瞬態浪涌抑制。當負載出現短路時，為負載提供過流保護。該系列MOSFET響應速度快，電路結構簡單。