GaN材料的研究與應用是目前全球半導體研究的前沿和熱點，是研制微電子器件、光電子器件的新型半導體材料。上次金譽半導體帶大家了解了它的基礎特性：氮化鎵（GAN)具有寬的直接帶隙、強的原子鍵、高的熱導率、化學穩定性好（幾乎不被任何酸腐蝕）等性質和強的抗輻照能力，在光電子、高溫大功率器件和高頻微波器件應用方面有著廣闊的前景。

今天就來了解一下，氮化鎵（GAN)在應用過程中具有那些性能特點？

氮化鎵（GAN)的性能特點

高性能：這一點金譽半導體在上一篇有講過，氮化鎵（GAN)的高性能主要包括高輸出功率、高功率密度、高工作帶寬、高效率、體積小、重量輕等。目前第一代和第二代半導體材料在輸出功率方面已經達到了極限，而氮化鎵（GAN)半導體由于在熱穩定性能方面的優勢，很容易就實現高工作脈寬和高工作比，將天線單元級的發射功率提高10倍。

低成本：GaN半導體的應用，能夠有效改善發射天線的設計，減少發射組件的數目和放大器的級數等，有效降低成本。目前氮化鎵（GAN)已經開始取代GaAs作為新型雷達和干擾機的T/R（收/發）模塊電子器件材料。美軍下一代的AMDR（固態有源相控陣雷達）便采用了氮化鎵（GAN)半導體。

并且，氮化鎵禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導率大、電子飽和漂移速度高、抗輻射能力強和良好的化學穩定性等優越性質，使得它成為迄今理論上電光、光電轉換效率最高的材料體系，并可以成為制備寬波譜、高功率、高效率的微電子、電力電子、光電子等器件的關鍵基礎材料。

高可靠性：一般情況下，功率器件的壽命與其溫度密切相關，溫結越高，壽命越低。氮化鎵（GAN)材料具有高溫結和高熱傳導率等特性，極大地提高了器件在不同溫度下的適應性和可靠性。而且，氮化鎵（GAN)器件可以用在650°C以上的軍用裝備中。

氮化鎵（GAN)較寬的禁帶寬度(3.4eV) 及藍寶石等材料作襯底，散熱性能好，有利于器件在大功率條件下工作。隨著對Ⅲ族氮化物材料和器件研究與開發工作的不斷深入，GaInN超高度藍光、綠光LED技術已經實現商品化，現在世界各大公司和研究機構都紛紛投入巨資加入到開發藍光LED的競爭行列。

由于它的優異特性，氮化鎵（GAN)與SIC、金剛石等半導體材料一起，被譽為是繼第一代Ge、Si半導體材料、第二代GaAs、InP化合物半導體材料之后的第三代半導體材料。

審核編輯 黃宇