碳化硅（ Silicon Carbide, SiC)具有很好的電學特性，其中禁帶寬度 （2.3~3.3eV）約是Si的3倍，擊穿電場強度（0.8×10?~3×10?V/cm）約是Si的10倍，飽和漂移速度（2.7x10?cm/s）則是Si 的2.7倍，熱導率(4.9W/ (cm ?K)）約是Si的3.2倍。Si、GaAs、4H-SiC 三種半導體材料的物理參數見表2-1。

碳化硅材料主要應用于高壓功率器件，許多SiC 器件已經投入應用。碳化硅產業鏈包括碳化硅材料制備、芯片制造、器件銷售和設備供應。目前美國在碳化硅的芯片制造和器件銷售方面處于領先地位，而日本主要是在碳化硅的設備供應領域處于領先地位。

SiC 是新一代的寬禁帶半導體材料，在半導體應用中有極大的發展潛力。SiC 在軍事方面的應用有導彈芯片、相控陣雷達、航空母艦等，在新能源方面的應用有 LED 綠色照明。在節能環保方面，SiC 芯片可用于發電/輸電逆變器開關，在輸送電過程中能夠節省 50%~70%的傳輸損耗電力。在電動汽車方面，SiC 芯片作為車載半導體器件能夠實現節能減耗，而且在體積上能夠節省 80%左右的空間，為電動汽車產業的發展提供了巨大幫助。在高端裝備制造方面，新能源汽車、船舶、航空、航天飛機和宇航開發所需通信系統都需要大量的 SiC芯片。

全球在 SiC 材料的研究及商用化 SiC 功率器件的開發方面尚處于起步階段，中國的企業亟待對整個產業鏈進行技術整合，應該及早發展 SiC原材料的純化技術、SiC晶體生長設備的制造技術、SiC 晶體生長技術、SiC芯片生產技術，以及相關 SiC 器件設計和制造的技術。