老生常談我們先結合手冊認識下這個器件：我們以無錫新潔能的NCE2302為例：

1. 我們看到手冊中標注Pb Free Product ：表示本電子元件無鉛；
2. 下圖2中為N溝道的原理圖符號，N溝道MOS管有3個極，分別是G(柵極)，S(源極)，D(漏極)；注意箭頭方向是從S指向G，同時內部有個體二極管，方向和箭頭指向一致；
3. 下圖3給我們標注了引腳序號對應的三個極，這個畫封裝焊盤和器件原理圖符號就是根據這個來畫的；同時在器件實物表面絲印有2302字樣，便于我們區(qū)分；
4. 圖4給我們展示了器件的封裝為SOT23封裝；
5. 下圖5中給了信息當加載在GS兩端電壓越高，N溝道MOS管阻抗越低；

下面是在常溫下測試的極限參數：

1. VDS = 20V，表示DS之間加載電壓差最大不超過20V；
2. VGS = ±12V，表示在GS之間電壓差最大不超過12V，最小不超過-12V；
3. ID = 4A，表示該MOS管漏極持續(xù)電流最大不超過4A；
4. IDM = 10A，表示漏極瞬間電流最大不超過10A；
5. PD = 1W，表示該MOS管額定功率是1W；這個和三極管一樣都會受溫度升高而降低，所以選型還是降額選取；
   

下面我們主要關注標注的3點內容：

1. VGS(th)表示N溝道MOS管的導通閾值，圖中表示該MOS管的導通閾值在0.85V左右；這個是低閾值MOS管，好處是低電壓即可驅動；
2. RDS(on)表示MOS管導通時，DS之間的阻抗大小；
3. Ciss為輸入電容，Coss為輸出電容，Crss為反向傳輸電容，這個怎么理解，我們舉個例子：
   

我們看下圖中三個極間電容：則有

輸入電容Ciss = Cgd +Cgs；

輸出電容Coss = Cds +Cgd；

Crss = Cgd ；Crss也叫米勒電容，米勒電容為啥會叫這個名字咧？我們知道MOS管有個比較有名的效應，即米勒效應，就是這個電容影響的結果；

即我們前端輸入電壓給Cgs充電時，當Cgs兩端電壓小于閾值電壓，MOS管關閉；

當Cgs兩端電壓開始大于閾值電壓時，ID電流從0迅速增大，同時當進入米勒平臺效應時，VGS電壓將保持不變，不再上升，此時VGS部分電流從米勒電容支路流失，待米勒效應過后，VGS繼續(xù)上升到驅動電壓；

為什么介紹這個米勒效應，因為米勒效應增加了導通時間，即額外增加了MOS管的損耗；這個我們注意一下

MOS管的損耗有3部分構成：

1. 導通損耗；
2. 開啟損耗；
3. 關斷損耗；

最后總結下選型要求：

1. 根據我們驅動目標要求和結構空間大小確認封裝；
2. 根據目標整體電流，確定額定功率；
3. 根據電路中電源電壓確認目標MOS管閾值大小；
4. 根據成本要求，確認最終品牌；

今天就到這里，謝謝大家閱讀支持；