色哟哟视频在线观看-色哟哟视频在线-色哟哟欧美15最新在线-色哟哟免费在线观看-国产l精品国产亚洲区在线观看-国产l精品国产亚洲区久久

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

安森美專家深度解析:SiC業(yè)務(wù)高速增長的制勝策略

安森美 ? 來源:安森美 ? 作者:安森美 ? 2023-11-14 19:10 ? 次閱讀

SiC市場需求旺盛增長,對于供應(yīng)商而言,抓緊產(chǎn)能擴(kuò)充是重中之重。雖然市場足夠大,但競爭依然存在。對于SiC技術(shù)、設(shè)計支持和解決方案等方面,供應(yīng)商也要體現(xiàn)出自己的競爭優(yōu)勢。

從2017年特斯拉Model 3開始配備SiC,標(biāo)志著新能源汽車行業(yè)的功率半導(dǎo)體開始了從Si向SiC的轉(zhuǎn)變。而近年來光儲充一體化的方案也進(jìn)一步擴(kuò)大了SiC類功率器件的市場需求。

根據(jù)Yole Intelligence最新發(fā)布 2023年版功率SiC報告顯示,預(yù)計到2028年,全球功率SiC器件市場將增長至近90億美元,比2022年增長31%。

主要行業(yè)應(yīng)用方向有電力SiC市場以及各種工業(yè)應(yīng)用,包括交通、能源和電信等。其中汽車應(yīng)用在SiC市場中占據(jù)主導(dǎo)地位,占比高達(dá)70%。

wKgaomVTVraARF6TAAQR0oLbBJo870.png

受到下游SiC市場需求的鼓舞,上游芯片廠商在SiC領(lǐng)域不約而同地開始各種大手筆的投資計劃,資金并購案和產(chǎn)能擴(kuò)充計劃紛紛上線。而安森美(onsemi)在其中表現(xiàn)亮眼,SiC業(yè)務(wù)的增長率方面超越了同行。從其今年最新二季度的財報成績看,SiC收入同比增長近4倍,僅在第二季度安森美就簽署了超過30億美元的SiC長期服務(wù)協(xié)議。

SiC業(yè)務(wù)得以如此高速增長背后的原因何在?而對于汽車和儲能等應(yīng)用領(lǐng)域,安森美有何優(yōu)勢解決方案?如何能夠更好地支持中國本土客戶的研發(fā)創(chuàng)新?對這一系列的問題,安森美汽車主驅(qū)逆變器半導(dǎo)體中國區(qū)負(fù)責(zé)人Bryan Lu先生和安森美應(yīng)用市場工程師Kane Jia先生進(jìn)行了精彩的分享。

wKgaomVTVraARC4CAACL6t_Oul4544.jpg

戶用光儲充一體的能量微網(wǎng)方案,目前在國內(nèi)外的市場滲透情況和發(fā)展趨勢如何?

Kane Jia:全球新能源汽車預(yù)計在2023年銷售超過14M輛,為了滿足不斷增長的電車充電需求,以及國家雙碳目標(biāo),我們需要利用清潔能源來盡量代替?zhèn)鹘y(tǒng)能源,并且采用儲能系統(tǒng)來減緩用電高峰對電網(wǎng)的負(fù)擔(dān)以及不斷上升的電費對用戶的負(fù)擔(dān)。光儲充一體發(fā)電站是近年來興起的一種能夠?qū)⒐夥孀兤鳌δ芟到y(tǒng)以及電車充電樁整合在一體的,具有自給自足充電能力的公共設(shè)施。它主要利用光伏面板發(fā)電以及電網(wǎng)供電為充電樁供電,同時并聯(lián)儲能系統(tǒng),儲存能量用于高峰用電時期,一定程度上解決了電網(wǎng)負(fù)擔(dān)以及電價上升的問題。

整套系統(tǒng)中包含了多個功率變換單元,其中涉及到相當(dāng)數(shù)量的功率器件產(chǎn)品。系統(tǒng)效率的損耗在多個功率變換過程中是難以避免的,利用SiC器件優(yōu)秀的耐壓以及熱導(dǎo)等特性,可以顯著的提高系統(tǒng)效率以及功率密度,有助于提高充電樁輸出功率和功率密度。比如,在最新的800V直流充電系統(tǒng)中采用1200V規(guī)格的SiC器件可以允許更高的母線電壓,減少工作電流,從而減少系統(tǒng)損耗,或者允許更高的充電功率。在光伏逆變器的DC-DC變換器中采用SiC器件可以提高系統(tǒng)工作頻率,減少電感尺寸,最終減少光伏逆變器的尺寸和產(chǎn)品擁有成本。在一些超充站中的高功率直流充電樁中(比如超過300千瓦)也可以采用SiC功率模塊來替代SiC單管以提高整體散熱能力以及由寄生參數(shù)和高速開關(guān)所帶來的負(fù)面影響。

wKgaomVTVraASo4EAADAYJUEFY8740.jpg

車用SiC模塊的市場需求非常旺盛,onsemi如何保證客戶的供貨穩(wěn)定?

Bryan Lu:從產(chǎn)能方面,安森美(onsemi)正積極加速進(jìn)行SiC擴(kuò)產(chǎn),以滿足市場需求,同時,加速部分6英寸轉(zhuǎn)向8英寸的轉(zhuǎn)型進(jìn)程。安森美也通過與客戶簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議,為客戶鎖定現(xiàn)有及未來的產(chǎn)能,并密切溝通以及時獲取客戶的動態(tài)需求,從而保障SiC產(chǎn)品的按時交付。

中國主機(jī)廠客戶相比歐美的傳統(tǒng)客戶,有何特點?安森美如何支持國內(nèi)的主機(jī)廠客戶的產(chǎn)品快速研發(fā)上市的需求?

Bryan Lu:中國的主機(jī)廠客戶也就是我們常說的OEM,他們算是汽車半導(dǎo)體芯片產(chǎn)業(yè)鏈里的最終的客戶。在這里我們要把新能源汽車的OEM和燃油車的OEM區(qū)分開來。在燃油車領(lǐng)域,目前中國的OEM和歐美的OEM在整個研發(fā)體系上已經(jīng)比較接近了。但是在新能源汽車領(lǐng)域,國內(nèi)和歐美的OEM差別還是比較大的。由于新能源汽車和傳統(tǒng)燃油車有著本質(zhì)上的差別,所以整個研發(fā)體系,并不完全可以互相借鑒。而且中國已經(jīng)是全球最大的新能源汽車產(chǎn)銷國家,競爭非常激烈。為了保持競爭力,要求中國的OEM產(chǎn)品的定位要非常的準(zhǔn)確,要緊貼著市場的需求。一旦定位偏差比較大,大概率會泯然于江湖中。而一旦出現(xiàn)定位的偏差,需要即時的糾正。所以響應(yīng)速度要求非常高。然后產(chǎn)品的產(chǎn)銷預(yù)測也變得比較有挑戰(zhàn)。這個就對整個供應(yīng)鏈的要求也比較高,研發(fā)階段要能快速配合樣品的交付,測試的順利進(jìn)行。這里面涉及到商務(wù)和技術(shù)支持的配合。后期量產(chǎn)之后,對于產(chǎn)能的支持要求也很高。

針對以上的特點,安森美有完善的商務(wù)同時還有很強的技術(shù)支持團(tuán)隊來支持中國傳統(tǒng)和新能源OEM的以上需求。同時安森美在國內(nèi)的兩大模塊生產(chǎn)基地也可以很好的配合OEM的產(chǎn)能爬坡需求。

為了實現(xiàn)更長續(xù)航,車用SiC更在向著更高電壓等級發(fā)展,請問onsemi目前提供車用SiC模塊最高支持多大電壓?900V、1200V的SiC模塊產(chǎn)品的上車情況如何?

Bryan Lu:汽車應(yīng)用中的電池電壓等級決定了功率器件的電壓等級。例如,電動汽車驅(qū)動中的400V電池電壓需要750V的SiC, 800V的電動汽車電池市場需要1200V的SiC MOSFET。安森美的1200 V M3S EliteSiC 最高支持800 V電池架構(gòu),其900V和1200VSiC功率模塊都在新能源汽車市場上獲得了廣泛的應(yīng)用,其中用于電驅(qū)的900V EliteSiC市場反饋非常不錯。我們在設(shè)計的時候充分考慮了已獲得市場廣泛應(yīng)用的單面直接散熱(SSDC)封裝的特點,也就是它的雜散電感相對比較大,然后SiC的開關(guān)速度比較快,這樣會容易形成比較高的關(guān)斷尖峰電壓,如果為了避免這個比較高的尖峰電壓而采取限制SiC的開關(guān)速度,會使得SiC快速開關(guān)的特點得不到發(fā)揮,我們針對這個應(yīng)用把擊穿電壓BV設(shè)計到了900V,這樣可以使得SiC可以工作在高速下,同時也無懼比較高的尖峰電壓,這樣也不需要客戶在使用上需要妥協(xié)效率和速度。

RDS(on)、溫升、小體積是業(yè)界對于SiC器件的關(guān)鍵要求,請問如何應(yīng)對和平衡這些挑戰(zhàn)?

Bryan Lu:RDS(on),溫升和小體積的需求是持續(xù)性的,也就是每個用戶都在追求這三個指標(biāo)的持續(xù)降低。不過他們?nèi)咧g的關(guān)系不是簡單的加或者減。RDS(on)的降低,必然帶來導(dǎo)通損耗的減小,這也意味著在同樣的條件下,溫升有可能降低,也就是說也許體積可以減小。但是我們要注意的是,在實際的應(yīng)用中,損耗是由導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗構(gòu)成的,在不同的應(yīng)用里它們兩個的占比是不一樣的。所以我們會根據(jù)實際的應(yīng)用去優(yōu)化RDS(on)和開關(guān)的loss,這樣才能更好的控制溫升。總的來說我們會在固定的溫升和體積邊界條件之內(nèi)去優(yōu)化RDS(on)來使得整個功率模塊更加的匹配客戶的需求。或者是在犧牲某一項參數(shù)的前提下去匹配客戶的需求。所以和客戶緊密的合作才能應(yīng)對和平衡這些挑戰(zhàn)。

SiC作為一種較新的功率器件,對于開發(fā)者而言相對比較陌生。為方便加速客戶的產(chǎn)品開發(fā)和上市時間,onsemi提供了哪些SiC相關(guān)的設(shè)計支持?

Bryan Lu:安森美可以為客戶提供一整套方案,包括SiC器件及專用驅(qū)動、配套的評估板/套件、SPICE 模型和仿真工具、參考設(shè)計、選型指南、應(yīng)用手冊及其他設(shè)計支持。

電力電子設(shè)計人員通常需要使用仿真工具來驗證所設(shè)計的功能。安森美為SiC器件開發(fā)了基于物理的、可擴(kuò)展的SPICE模型。此外,Elite Power仿真工具能夠為工程師精確呈現(xiàn)所設(shè)計的電路在使用EliteSiC產(chǎn)品系列時的工況,包括邊界工況,配合使用軟硬開關(guān)皆適用的PLECS 模型自助生成工具,這種虛擬環(huán)境使系統(tǒng)設(shè)計人員能夠在進(jìn)入硬件環(huán)節(jié)之前快速迭代并優(yōu)化方案,從而顯著縮短產(chǎn)品上市時間。

wKgaomVTVreAbxMSAACo58iBNcU066.jpg

垂直端到端的供應(yīng)鏈?zhǔn)莖nsemi SiC的一大特色,請問這種端到端的垂直供應(yīng)鏈能夠提供哪些優(yōu)勢?

Bryan Lu:安森美垂直的端到端SiC供應(yīng)鏈的優(yōu)勢在于,無論質(zhì)量和產(chǎn)能都可以得到保障,并具有成本優(yōu)勢,安森美在每一個環(huán)節(jié)的know-how都可以借鑒到上游其他環(huán)節(jié),能夠很好地控制從最開始到最后產(chǎn)品的整個過程。每一個環(huán)節(jié)的失效都可以向上溯源,看到底是哪個環(huán)節(jié)出了問題。這樣,就會使技術(shù)和產(chǎn)品迭代更快,同時也能夠確保產(chǎn)品質(zhì)量。而且,將所有關(guān)鍵環(huán)節(jié)都掌握在自己手里,可以控制生產(chǎn)節(jié)奏,按照市場需求去擴(kuò)展我們的產(chǎn)品。

wKgaomVTVreAZu2_AADc8-WycqY310.jpg

SiC的生產(chǎn)平均良率僅為50%,生長速度也比較慢。onsemi在SiC的晶圓制造方面有何技術(shù)儲備,未來的年產(chǎn)目標(biāo)是多少?

Bryan Lu:安森美采取了多項措施來確保SiC產(chǎn)品具有高質(zhì)量和高可靠性,包括通過外延生長前后的缺陷掃描、嚴(yán)格的工藝控制、對所有的芯片執(zhí)行100%雪崩測試、實施產(chǎn)品級老化測試來消除外部柵極氧化物故障,來確保制造質(zhì)量和可靠性,通過在100%額定電壓下和175℃下進(jìn)行標(biāo)準(zhǔn)可靠性測試,在出廠前對器件進(jìn)行柵極氧化物可靠性測試、宇宙輻射測試、檢查閾值或參數(shù)沒有漂移,來確保產(chǎn)品可靠性。同時,安森美也在積極的推進(jìn)從6英寸提升到8英寸。

現(xiàn)在提供單一器件產(chǎn)品難以滿足客戶需求,onsemi也有很寬的產(chǎn)品線,onsemi有電源方案部(PSG),也有先進(jìn)方案部(ASG)。請問有哪些SiC相關(guān)的特色方案可以分享?

Bryan Lu:在SiC分立器件方面,安森美提供超過120款SiC二極管和上百款SiC MOSFET,工作電壓從650 V到1700 V不等,并提供多種封裝選項。最新的1700 V EliteSiC MOSFET最大Vgs范圍-15 V/25 V,RDS(on)典型值僅 28 m,柵極電荷Qg遠(yuǎn)低于同類競爭器件,在高溫高壓下導(dǎo)通損耗更低,電壓設(shè)計裕量更高,適用于關(guān)斷電壓達(dá)到-10 V的快速開關(guān)應(yīng)用如電動汽車直流充電樁、光伏逆變等。

在SiC模塊方面,安森美提供 30 多款集成 SiC MOSFET 和 SiC 二極管的EliteSiC 功率集成模塊 (PIM),電壓額定值高達(dá)1200 V。另外,安森美還有 20 多款利用了 SiC 和硅技術(shù)特性的混合 Si IGBT 和 SiC 器件模塊,全面的產(chǎn)品陣容供客戶選用適合其特定應(yīng)用需求的方案。最新一代1200 V EliteSiC M3S器件系列,包括有助于提高開關(guān)速度的EliteSiC MOSFET和模塊,面向800 V電動汽車車載充電器和電動汽車直流快充、太陽能方案以及儲能等能源基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用,助力電力電子工程師實現(xiàn)更出色的能效和更低系統(tǒng)成本,采用半橋功率集成模塊,具有領(lǐng)先業(yè)界的超低RRDS(on)和開關(guān)損耗品質(zhì)因數(shù),優(yōu)化的直接鍵合銅設(shè)計,實現(xiàn)了并聯(lián)開關(guān)之間的平衡電流共享和熱分布。

針對與共模瞬態(tài)抗擾度 (CMTI) 相關(guān)的特殊驅(qū)動要求,安森美提供多種用于驅(qū)動SiC MOSFET的柵極驅(qū)動器,例如NCP51705和NCP51561。NCP51705提供高的設(shè)計靈活度和集成度,幾乎與任何SiC MOSFET兼容,VDD正電源電壓最高28V,高峰值輸出電流:6A拉電流和10 A灌電流,內(nèi)置5 V基準(zhǔn)可用于偏置5V、20mA以下的低功耗負(fù)載(數(shù)字隔離器光耦合器、微控制器等),單獨的信號和電源接地連接 ,單獨的源和灌輸出引腳 ,內(nèi)置熱關(guān)斷保護(hù) ,單獨的非反相和反相TTL、PWM輸入,還集成獨特的功能如欠壓保護(hù)(DESAT)、電荷泵 (用于設(shè)置負(fù)電壓軌)、可編程的欠壓鎖定(UVLO)、數(shù)字同步和故障報告等。

國內(nèi)SiC廠商涌現(xiàn),國際上各大巨頭紛紛投資擴(kuò)產(chǎn),onsemi如何看待未來SiC的市場競爭格局?

Bryan Lu:目前整個SiC市場風(fēng)起云涌,國際上的各大巨頭也紛紛加大投資擴(kuò)產(chǎn),我們在看到各大廠商擴(kuò)產(chǎn)的同時,也要看到整個需求市場的變化,要知道現(xiàn)在的新能源車銷售占比還小于35%。而且現(xiàn)在的新能源汽車用SiC的就更少,從存量市場和未來的市場來看。還是可以支持這些國際廠商的產(chǎn)能的。隨著中國廠商的加入,整個SiC器件的價格會逐漸降低,然后這個也會增加一些新的應(yīng)用,所以充分競爭是有利于市場發(fā)展的。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • MOSFET
    +關(guān)注

    關(guān)注

    147

    文章

    7160

    瀏覽量

    213211
  • 安森美
    +關(guān)注

    關(guān)注

    32

    文章

    1678

    瀏覽量

    92003
  • SiC
    SiC
    +關(guān)注

    關(guān)注

    29

    文章

    2810

    瀏覽量

    62624

原文標(biāo)題:安森美專家深度解析:SiC業(yè)務(wù)高速增長的制勝策略

文章出處:【微信號:onsemi-china,微信公眾號:安森美】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

收藏 人收藏

    評論

    相關(guān)推薦

    安森美收購Qorvo碳化硅業(yè)務(wù),碳化硅行業(yè)即將進(jìn)入整合趨勢?

    電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/梁浩斌)安森美在12月10日宣布,已經(jīng)與Qorvo達(dá)成協(xié)議,以1.15億美元現(xiàn)金收購其碳化硅結(jié)型場效應(yīng)晶體管(SiC JFET) 技術(shù)業(yè)務(wù)及其子公司United Silicon
    的頭像 發(fā)表于 12-15 07:30 ?1572次閱讀
    <b class='flag-5'>安森美</b>收購Qorvo碳化硅<b class='flag-5'>業(yè)務(wù)</b>,碳化硅行業(yè)即將進(jìn)入整合趨勢?

    安森美收購碳化硅JFET技術(shù),強化AI數(shù)據(jù)中心電源產(chǎn)品組合

    近日,全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司安森美(onsemi)宣布了一項重大收購計劃,已與Qorvo達(dá)成協(xié)議,將以1.15億美元現(xiàn)金收購其碳化硅結(jié)型場效應(yīng)晶體管(SiC JFET)技術(shù)業(yè)務(wù),以及Qorvo旗下
    的頭像 發(fā)表于 12-24 14:16 ?80次閱讀

    安森美1.15億美元收購Qorvo碳化硅JFET技術(shù)業(yè)務(wù)

    近日,安森美半導(dǎo)體公司宣布了一項重要的收購計劃,以1.15億美元現(xiàn)金收購Qorvo的碳化硅結(jié)型場效應(yīng)晶體管(SiC JFET)技術(shù)業(yè)務(wù)及其子公司United Silicon Carbide。 據(jù)
    的頭像 發(fā)表于 12-11 10:00 ?151次閱讀

    安森美以1.15億美元收購Qorvo的SiC JFET技術(shù)

    安森美(onsemi,納斯達(dá)克股票代碼:ON)宣布已與Qorvo達(dá)成協(xié)議,以1.15億美元現(xiàn)金收購其碳化硅結(jié)型場效應(yīng)晶體管(SiCJFET) 技術(shù)業(yè)務(wù)及其子公司
    的頭像 發(fā)表于 12-11 09:55 ?149次閱讀

    安森美SiC模組加速滲透

    隨著清潔能源的快速增長,作為光伏系統(tǒng)心臟的太陽能逆變器儼然已經(jīng)成為能源革命浪潮中的超級賽道。高效的光伏系統(tǒng),離不開功率器件。全I(xiàn)GBT方案、混合SiC方案和全SiC方案以其在成本、性能、空間、可靠性等方面不同的優(yōu)勢,均在市場上有
    的頭像 發(fā)表于 11-30 16:19 ?573次閱讀
    <b class='flag-5'>安森美</b>全<b class='flag-5'>SiC</b>模組加速滲透

    安森美亮相2024德國慕尼黑電子展

    安森美首席執(zhí)行官Hassane El-Khoury在現(xiàn)場接受媒體采訪時表示:“Treo平臺代表了安森美在模擬混合信號領(lǐng)域的最新技術(shù)突破。”
    的頭像 發(fā)表于 11-27 15:17 ?297次閱讀

    深度解析安森美Treo平臺

    本文重點介紹了安森美(onsemi)Treo平臺的模擬性能。引入了PPA三角形概念來比較不同工藝技術(shù)之間的模擬關(guān)鍵指標(biāo)。總體而言,本文將展示基于65nm BCD工藝技術(shù)的安森美 Treo平臺,在模擬、混合信號及高壓BCD解決方案領(lǐng)域具有強大的競爭力。
    的頭像 發(fā)表于 11-27 15:13 ?749次閱讀
    <b class='flag-5'>深度</b><b class='flag-5'>解析</b><b class='flag-5'>安森美</b>Treo平臺

    揭秘安森美SiC市場的未來布局

    地普及到更多的電動汽車上。SiC市場面臨哪些機(jī)遇?安森美(onsemi)在SiC市場的未來布局如何?一起來看下。
    的頭像 發(fā)表于 11-15 10:35 ?302次閱讀

    安森美封裝技術(shù)進(jìn)階,解鎖SiC性能上限

    的有力市場競爭者。本文將聚焦于SiC材料的卓越屬性,探討安森美(onsemi)系列先進(jìn)的封裝技術(shù)為加速SiC導(dǎo)入新能源領(lǐng)域應(yīng)用提供的參考范例。
    的頭像 發(fā)表于 11-14 09:58 ?204次閱讀
    <b class='flag-5'>安森美</b>封裝技術(shù)進(jìn)階,解鎖<b class='flag-5'>SiC</b>性能上限

    細(xì)數(shù)安森美重磅功率器件產(chǎn)品

    由世紀(jì)電源網(wǎng)主辦的“第三屆電源行業(yè)配套品牌頒獎晚會”將于2024年12月07日在深圳隆重舉辦。安森美(onsemi)憑借領(lǐng)先的功率器件入圍國際功率器件行業(yè)卓越獎、功率器件-SiC行業(yè)優(yōu)秀獎兩項大獎,一起細(xì)數(shù)安森美領(lǐng)先的功率器產(chǎn)品
    的頭像 發(fā)表于 11-08 09:32 ?282次閱讀

    安森美與Entegris達(dá)成碳化硅半導(dǎo)體供應(yīng)協(xié)議

    近日,工業(yè)材料領(lǐng)域的佼佼者Entegris宣布與知名芯片制造商安森美半導(dǎo)體簽署了一項長期供應(yīng)協(xié)議。根據(jù)協(xié)議內(nèi)容,Entegris將為安森美提供制造碳化硅(SiC)半導(dǎo)體的專業(yè)技術(shù)解決方案,標(biāo)志著雙方在高科技材料供應(yīng)領(lǐng)域的
    的頭像 發(fā)表于 08-09 10:39 ?482次閱讀

    安森美大手筆投資捷克,擴(kuò)建SiC功率器件制造工廠

    在全球SiC功率器件市場需求持續(xù)增長的背景下,各大廠商紛紛加大投資力度,以擴(kuò)大產(chǎn)能、提升競爭力。作為全球半導(dǎo)體行業(yè)的佼佼者,安森美(onsemi)也不例外,近日宣布在捷克共和國進(jìn)行大規(guī)模的投資,建設(shè)一座先進(jìn)的垂直整合
    的頭像 發(fā)表于 06-25 10:46 ?664次閱讀

    安森美投資20億美元,擴(kuò)產(chǎn)SiC

    安森美 (onsemi)將實施高達(dá) 20 億美元的多年投資計劃,鞏固其面向歐洲和全球客戶的先進(jìn)功率半導(dǎo)體供應(yīng)鏈
    的頭像 發(fā)表于 06-20 10:02 ?503次閱讀

    深度解析碳化硅功率器件原理和優(yōu)勢

    SiC市場格局仍由海外巨頭主導(dǎo),市占率排名依次是:意法半導(dǎo)體、英飛凌、wolfspeed、羅姆、安森美、三菱電機(jī)等。
    發(fā)表于 04-01 14:37 ?2973次閱讀
    <b class='flag-5'>深度</b><b class='flag-5'>解析</b>碳化硅功率器件原理和優(yōu)勢

    安森美發(fā)布了第二代1200V碳化硅 (SiC) MOSFET—M3S

    安森美(onsemi)發(fā)布了第二代1200V碳化硅 (SiC) MOSFET,命名為M3S,其中S代表開關(guān)。
    的頭像 發(fā)表于 03-26 09:57 ?1622次閱讀
    <b class='flag-5'>安森美</b>發(fā)布了第二代1200V碳化硅 (<b class='flag-5'>SiC</b>) MOSFET—M3S
    主站蜘蛛池模板: 男人插曲女人身体视频| 99热久久视频只有精品6国产| 60老妇性xxxxhd| 高清大胆欧美videossexo| 精品手机在线1卡二卡3卡四卡| 欧美日韩一区在线观看| 亚洲国产黄色| xxxx俄罗斯1819| 久久91精品国产91久| 青青视频 在线 在线播放| 亚洲天堂久久久| 初中XXXXXL| 成人国产AV精品久久久久| 韩国女主播内部vip自带氏巾| 尿了么app| 亚洲精品入口一区二区乱麻豆精品| av色天堂2018在线观看| 大胸美女被C得嗷嗷叫动态图| 精品久久99麻豆蜜桃666| 日本午夜精品一区二区三区电影| 伊人网综合在线观看| 国产 日韩 欧美 综合 激情| 浪小辉军警服务员VIDEOS| 无码专区aaaaaa免费视频| beeg日本老师按摩| 久草在线福利视频在线播放| 熟女人妻-蜜臀AV-首页| av56788成 人影院| 久久久久国产精品嫩草影院| 香蕉久久一区二区三区啪啪| 本庄优花aⅴ全部在线影片| 久久综合色悠悠| 亚洲伊人成综合人影院| 国产成人在线视频| 青青草视频在线ac| 18禁黄久久久AAA片| 花蝴蝶高清观看免费| 午夜男人免费福利视频| 伊在香蕉国产在线视频| 国产女人91精品嗷嗷嗷嗷| 日韩一区二区三区四区区区|