閑暇之余，還是回顧了一下。場效應管，接下來重點討論一下場效應管中的MOS管。

場效應管FET（Field Effect Transistor），是利用輸入回路的電場效應來控制輸出回路電流的一種半導體器件，分為結型（JFET）和絕緣柵型（MOSFET簡稱MOS）。

一、MOS管的分類

mos管是一種具有絕緣柵的FET，其中電壓決定了器件的電導率。發明mos管是為了克服 FET 中存在的缺點，如高漏極電阻、中等輸入阻抗和較慢的操作。所以mos管可以稱為FET的高級形式。

mos管常用于切換或放大信號。隨著施加的電壓量改變電導率的能力可用于放大或切換電子信號。

mos管是迄今為止數字電路中最常見的晶體管，因為內存芯片或微處理器中可能包含數十萬或數百萬個晶體管。由于它們可以由 p 型或 n 型半導體制成，互補的 MOS 晶體管對可用于以CMOS邏輯的形式制造具有非常低功耗的開關電路。

MOSFET的輸入電阻很高，高達10^9Ω以上，從導電溝道來分，可以分為N溝道和P溝道兩種，無論是N溝道還是P溝道，又可以分為增強型和耗盡型。

?二、增強型和耗盡型MOS管

增強型MOS管介紹

?以P型半導體為襯底，在一個 低摻雜容度 的 P 型半導體上，通過擴散技術做出來2塊 高摻雜容度 的 N 型半導體，引出去分別作為 源級（d） 和 漏極（d） 。
P型襯底在 MOS管內部是和 源級（S）相連。
在P型襯底和兩個N型半導體 之間加一層 二氧化硅（SiO?）絕緣膜，其上層制作一層金屬鋁或者多晶硅引出引腳組成 柵極（g） 。

從上我們也不難理解MOS管的名稱由來，金屬 (Metal)—氧化物 (Oxide)—半導體 (Semiconductor)場效應晶體管。

工作原理

溝道的形成：在給柵源兩端施加電壓時，前面說過了源和襯底相連，即給柵極和襯底施加電壓Ugs，其隨著Ugs的增大，源漏之間從耗盡層轉變成反型層即N溝道，來實現對源漏間的通斷控制。使溝道剛剛形成的柵源電壓稱為開啟電壓Ugs(th)，如下圖

?漏極電流的產生（可變電阻區，預夾斷區，恒流區）：Ugs大于開啟電壓，在漏源兩端施加正向電壓Uds，即產生漏極電流，

隨著Uds增大，當(a)這種情況，為壓控型可變電阻，當(b)這種情況，為預夾斷，當(c）這種情況，為恒流模式，可用來放大。

轉移特性曲線和輸出特性曲線?

因為輸入不產生電流，所以我們稱之為轉移特性曲線。

?增耗盡型MOS管介紹（不常用）

在二氧化硅絕緣層摻入大量正離子，在正離子作用下使得P襯底存在反型層，即存在漏源之間的導電溝道。

?三、封裝

按照安裝在PCB板上的方式來劃分，MOS管封裝主要有兩大類：插入式(Through Hole)和表面貼裝式(Surface Mount)。

插入式就是MOSFET的管腳穿過PCB板的安裝孔并焊接在PCB板上。常見的插入式封裝有：雙列直插式封裝（DIP）、晶體管外形封裝（TO）、插針網格陣列封裝（PGA）三種樣式。

表面貼裝則是MOSFET的管腳及散熱法蘭焊接在PCB板表面的焊盤上。典型表面貼裝式封裝有：晶體管外形（D-PAK）、小外形晶體管（SOT）、小外形封裝（SOP）、方形扁平式封裝（QFP）、塑封有引線芯片載體（PLCC）等。

隨著技術的發展，目前主板、顯卡等的PCB板采用直插式封裝方式的越來越少，更多地選用了表面貼裝式封裝方式。