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IGBT認識:電力系統(tǒng)的開關(guān)死區(qū)的原理、意義和計算

冬至子 ? 來源:磁小詩 ? 作者:磁小詩 ? 2023-11-21 15:14 ? 次閱讀

一、死區(qū)時間定義

死區(qū)時間,也稱為互鎖延時時間(互鎖:即互相掣肘,對開關(guān)管來說就是Q1開通時候,Q2通過結(jié)合Q1控制邏輯必須關(guān)閉),是指高側(cè)(橋臂上管Q1)和低側(cè)(橋臂下管Q2)功率晶體管同時處于關(guān)閉的時間段。Q1和Q2的任何重疊導(dǎo)通將導(dǎo)致大電流流過功率管。即我Q1還沒有關(guān)斷,你Q2就來了(開通了),這豈不是很危險的事。

二、死區(qū)時間的意義

死區(qū)時間是保證一個橋臂(上管Q1和下管Q2)不會直通的保障條件,這個死區(qū)時間一定是根據(jù)正常工作條件下得到的最嚴酷的值而且會認為添加裕量。

采用IGBT器件的電氣設(shè)備,為了保證可靠地運行,應(yīng)當避免橋臂直通。橋臂直通將產(chǎn)生不必要的額外損耗,甚至引起IGBT發(fā)熱失控。其結(jié)果將可能導(dǎo)致IGBT器件和整個電氣設(shè)備的損壞。

三、死區(qū)時間設(shè)定的原理

原理還是從這句話開始,“ 我Q1還沒有關(guān)斷,你Q2就來了(開通了),這豈不是很危險的事

波形表示:如果沒有死區(qū),Q1沒有關(guān)斷,Q2隨即開通,必定導(dǎo)致一個橋臂上Q1和Q2同時導(dǎo)通,發(fā)生直通,出現(xiàn)大電流,引起極端過熱,極大可能損壞IGBT。

1 、控制死區(qū)時間公式的原理

控制死區(qū)時間指加入在控制算法中以使得器件獲得足夠有效的死區(qū)時間。設(shè)置控制死區(qū)時間的目的是為了確保有效死區(qū)時間總是足夠的。 計算控制死區(qū)時間總是基于最壞的情況考慮 。計算控制死區(qū)公式:

S是安全裕量系數(shù)**,通常可選1.5,這樣死區(qū)時間的安全裕量為50%,其它參數(shù)參照下面定義。**

上式中,死區(qū)時間的定義,包含兩部分參數(shù),其中一部分是IGBT開關(guān)特性決定的,也就是我們測試系統(tǒng)的雙脈沖得到的參數(shù);另一部分則是代表IGBT驅(qū)動器特性,是你選擇的驅(qū)動器決定的。

那么為什么會有如下這樣包含開關(guān)特性參數(shù)的一個式子?

2 、情況分析

我們接著從下面舉例波形看, Q1我可以存在關(guān)斷最快的情況,那么相對Q2你可以開通快一些 ,這也說明我的系統(tǒng)死區(qū)可以很小。但是實際狀況中,最惡劣情況就是Q1也會存在關(guān)斷很慢,那么Q1開通就要慢一些,并且是在最慢的情況,就是我Q1關(guān)斷后,你再來, 那么Q1何時來對于Q1和Q2直通風險最大,當然是你Q2開通最快,也就是開通延時最小的情況下 ,那么系統(tǒng)預(yù)留的最小死區(qū)就是如下的差值,如下圖示意“灰色”和“紅色”

當tdon_min延時為零時,這個值達到最大, 也就需要我們預(yù)留的控制死區(qū)越大

至于tf,是指(電流)下降時間,這個對IGBT模塊,尤其是感性負載,這個值就較大,看實際定義波形,關(guān)斷時,由于感性負載相對于VCE下降的滯后性,加之IGBT的拖尾電流,死區(qū)也要考慮這個值。下圖是幾個時間的清晰定義。

所以,這個式子是根據(jù)實際的一種推導(dǎo),并非是無根據(jù)的。

3 、參數(shù)定義說明

上面我們提到死區(qū)是開關(guān)特性和驅(qū)動器特性共同的結(jié)果,首先第一部分式子是IGBT開關(guān)特性參數(shù),如下圖定義,這個定義是開關(guān)管在感性負載下的定義,可見IGBT模塊手冊說明。

還是搞清楚這幾個時間參數(shù)的意義,下面我們加以文字解釋

**tdon:**開通延時,由柵極電壓VGE的10%到集極電流的10%

tr :上升時間,由集極電流Ic的10%到Ic的90%

tdoff :關(guān)斷延時,由柵極電壓VGE的90%到集極電流的90%

tf :下降時間,由集極電流Ic的90%到Ic的10%

手冊中的參數(shù)測定:

以上參數(shù)定義圖也是根據(jù)IEC-60747-9-2007對開關(guān)特性的定義,這里是感性負載下對時間開關(guān)特性的定義

關(guān)斷特性參數(shù)定義

開通特性參數(shù)定義

**tdon:**開通延時,由柵極電壓VGE的10%到集極電流的10%

tr :上升時間,由集極電流Ic的10%到Ic的90%

tdoff :關(guān)斷延時,由柵極電壓VGE的90%到集極電流的90%

tf :下降時間,由集極電流Ic的90%到Ic的10%

驅(qū)動電路參數(shù) ,通常通常脈沖變壓器形式的IGBT驅(qū)動器,下式中差值基本接近零,可以忽略而對于光耦形式的驅(qū)動器,這個值差異會大一些,因為一個驅(qū)動器通常Q1和Q2是對稱的,這兩個差值依舊表示上管Q1和下管Q2的差值,我們還是把“ 我Q1還沒有關(guān)斷,你Q2就來了,這豈不是很危險的事 ”,而這里特指由驅(qū)動引起的死區(qū)時間。

驅(qū)動電路常用構(gòu)架,信號經(jīng)過電子器件傳輸后,總會存在延時和失真,并且上升和下降的延時和失真總是不太一樣。 驅(qū)動器不帶IGBT工作的情況,稱為驅(qū)動器空載

例如,如下是某脈沖變壓器傳輸信號的IGBT驅(qū)動器參數(shù),這里tPHL_max是驅(qū)動器的關(guān)斷延時tdoff,tPLH_min是指驅(qū)動器的開通延時tdon,具體定義見后面解釋。

如下是某光耦傳輸信號的IGBT驅(qū)動器參數(shù),如果只給了典型值,那么對評估死區(qū)時間意義并不大

其實光耦傳輸信號的驅(qū)動器,延時值的大比重是由光耦引起的,tPHL是指輸出低電平的時間,這個其實就是關(guān)斷延時

P:代表延時“Propagation”

H:代表高電平“High”

L:代表低電平“Low”

PHL可以表示為H→L,就高電平向低電平變化,這個也表述信號由高變低的過程,正好類似關(guān)斷延時,只不過驅(qū)動器或者光耦定義就用tPHL定義了,同理tPLH則相反,如下是某正邏輯光耦的定義圖。

正邏輯光耦:輸入和輸出電平保持一致,通常是輸入高電平,輸出就是高電平

常見正邏輯光耦:HCPL-3120和HCNW2211

tPHL:邏輯低電平輸出傳輸延時

tPLH:邏輯高電平輸出傳輸延時

反邏輯光耦:輸入和輸出電平相反,通常是輸入高電平,輸出就是低電平

常見正邏輯光耦: HCNW2611、6N137、PC817等

四、死區(qū)計算舉例

某驅(qū)動器參數(shù)

IGBT模塊手冊數(shù)據(jù)

不同結(jié)溫下的死區(qū)時間:

25 ℃**情況下的死區(qū)時間:**td=[(0.87-0.20+0.2)+(0.5-0.1)]*1.5=1.9us

150 ℃**情況下的死區(qū)時間:**td=[(0.97-0.21+0.23)+(0.5-0.1)]*1.5=2.1us

為了保證系統(tǒng)可靠,選大死區(qū)的一種結(jié)果

五、總結(jié)

(1)死區(qū)的來源是有依據(jù)可循的,掌握“ Q1還沒有關(guān)斷, Q2就不能開通的原則 ”死區(qū)針對上下管橋臂的直通問題。

**(2)**死區(qū)時間是多個參數(shù)的共同結(jié)果,因為開關(guān)參數(shù)本身就是器件結(jié)溫、母線大小和通過電流的變量,需要熟讀器件數(shù)據(jù)手冊。

(3)死區(qū)時間,不僅關(guān)注實際開關(guān)特性,同時也要關(guān)注你選擇的驅(qū)動器特性。

(4)結(jié)合實際死區(qū)的意義理解開關(guān)特性參數(shù)的定義。

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